PDR3G-13 Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 400V 3A POWERDI5
Дискретные полупроводниковые приборы
Номер производителя:
PDR3G-13
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
DIODE GEN PURP 400V 3A POWERDI5
Состояние RoHs:

Таблицы данных:
Capacitance @ Vr, F :
Current - Average Rectified (Io) :
Current - Reverse Leakage @ Vr :
Diode Type :
Mounting Type :
Operating Temperature - Junction :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Reverse Recovery Time (trr) :
Series :
Speed :
Supplier Device Package :
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
в наличии
35,509
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
PDR3G-13 Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить PDR3G-13 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc PDR3G-13. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на PDR3G-13. Нажмите, чтобы получить предложение
PDR3G-13 Особенности
PDR3G-13 is produced by Diodes Incorporated, belongs to Диоды - выпрямители - одиночные.
PDR3G-13 Подробная информация о продукции
:
PDR3G-13 — это Диоды - выпрямители - одиночные, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Diodes Incorporated.
PDR3G-13 производства Diodes Incorporated можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
PDR3G-13 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных PDR3G-13 (PDF), цена PDR3G-13, Распиновка PDR3G-13, руководство PDR3G-13 и решение на замену PDR3G-13.
PDR3G-13 производства Diodes Incorporated можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
PDR3G-13 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных PDR3G-13 (PDF), цена PDR3G-13, Распиновка PDR3G-13, руководство PDR3G-13 и решение на замену PDR3G-13.
PDR3G-13 FAQ
:
1. What is the maximum continuous drain current (ID) of the PDR3G-13 power MOSFET?
The maximum continuous drain current (ID) of the PDR3G-13 power MOSFET is 3.6A.
2. What is the typical gate threshold voltage (VGS(th)) of the PDR3G-13 power MOSFET?
The typical gate threshold voltage (VGS(th)) of the PDR3G-13 power MOSFET is 1.0V.
3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the PDR3G-13 power MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) of the PDR3G-13 power MOSFET is typically 75mΩ at VGS = 10V.
4. What is the maximum power dissipation (PD) of the PDR3G-13 power MOSFET?
The maximum power dissipation (PD) of the PDR3G-13 power MOSFET is 1.25W.
5. What is the maximum junction temperature (TJ) of the PDR3G-13 power MOSFET?
The maximum junction temperature (TJ) of the PDR3G-13 power MOSFET is 175°C.
6. What is the typical input capacitance (Ciss) of the PDR3G-13 power MOSFET?
The typical input capacitance (Ciss) of the PDR3G-13 power MOSFET is 1100pF at VDS = 25V, VGS = 0V, and f = 1MHz.
7. What is the typical output capacitance (Coss) of the PDR3G-13 power MOSFET?
The typical output capacitance (Coss) of the PDR3G-13 power MOSFET is 200pF at VDS = 25V, VGS = 0V, and f = 1MHz.
8. What is the typical reverse transfer capacitance (Crss) of the PDR3G-13 power MOSFET?
The typical reverse transfer capacitance (Crss) of the PDR3G-13 power MOSFET is 90pF at VDS = 25V, VGS = 0V, and f = 1MHz.
9. What is the maximum gate-source voltage (VGS) of the PDR3G-13 power MOSFET?
The maximum gate-source voltage (VGS) of the PDR3G-13 power MOSFET is ±20V.
10. What is the storage temperature range (Tstg) of the PDR3G-13 power MOSFET?
The storage temperature range (Tstg) of the PDR3G-13 power MOSFET is -55°C to 175°C.
The maximum continuous drain current (ID) of the PDR3G-13 power MOSFET is 3.6A.
2. What is the typical gate threshold voltage (VGS(th)) of the PDR3G-13 power MOSFET?
The typical gate threshold voltage (VGS(th)) of the PDR3G-13 power MOSFET is 1.0V.
3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the PDR3G-13 power MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) of the PDR3G-13 power MOSFET is typically 75mΩ at VGS = 10V.
4. What is the maximum power dissipation (PD) of the PDR3G-13 power MOSFET?
The maximum power dissipation (PD) of the PDR3G-13 power MOSFET is 1.25W.
5. What is the maximum junction temperature (TJ) of the PDR3G-13 power MOSFET?
The maximum junction temperature (TJ) of the PDR3G-13 power MOSFET is 175°C.
6. What is the typical input capacitance (Ciss) of the PDR3G-13 power MOSFET?
The typical input capacitance (Ciss) of the PDR3G-13 power MOSFET is 1100pF at VDS = 25V, VGS = 0V, and f = 1MHz.
7. What is the typical output capacitance (Coss) of the PDR3G-13 power MOSFET?
The typical output capacitance (Coss) of the PDR3G-13 power MOSFET is 200pF at VDS = 25V, VGS = 0V, and f = 1MHz.
8. What is the typical reverse transfer capacitance (Crss) of the PDR3G-13 power MOSFET?
The typical reverse transfer capacitance (Crss) of the PDR3G-13 power MOSFET is 90pF at VDS = 25V, VGS = 0V, and f = 1MHz.
9. What is the maximum gate-source voltage (VGS) of the PDR3G-13 power MOSFET?
The maximum gate-source voltage (VGS) of the PDR3G-13 power MOSFET is ±20V.
10. What is the storage temperature range (Tstg) of the PDR3G-13 power MOSFET?
The storage temperature range (Tstg) of the PDR3G-13 power MOSFET is -55°C to 175°C.
PDR3G-13 Связанные ключевые слова
:
PDR3G-13 Цена
PDR3G-13 Картина
PDR3G-13 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1