DDTD113EC-7-F Diodes Incorporated TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Дискретные полупроводниковые приборы TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Номер производителя:
DDTD113EC-7-F
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
DDTD113EC-7-F Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
500mA
Current - Collector Cutoff (Max) :
500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
33 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition :
200MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Package / Case :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Power - Max :
200mW
Resistor - Base (R1) :
1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) :
1 kOhms
Series :
-
Supplier Device Package :
SOT-23-3
Transistor Type :
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50V
в наличии
50,503
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
DDTD113EC-7-F Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить DDTD113EC-7-F более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc DDTD113EC-7-F. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на DDTD113EC-7-F. Нажмите, чтобы получить предложение
DDTD113EC-7-F Особенности
DDTD113EC-7-F is produced by Diodes Incorporated, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые, the size is TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using SOT-23-3.
DDTD113EC-7-F Подробная информация о продукции
:
DDTD113EC-7-F — это Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Diodes Incorporated.
DDTD113EC-7-F производства Diodes Incorporated можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
DDTD113EC-7-F компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных DDTD113EC-7-F (PDF), цена DDTD113EC-7-F, Распиновка DDTD113EC-7-F, руководство DDTD113EC-7-F и решение на замену DDTD113EC-7-F.
DDTD113EC-7-F производства Diodes Incorporated можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
DDTD113EC-7-F компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных DDTD113EC-7-F (PDF), цена DDTD113EC-7-F, Распиновка DDTD113EC-7-F, руководство DDTD113EC-7-F и решение на замену DDTD113EC-7-F.
DDTD113EC-7-F FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage for DDTD113EC-7-F?
The maximum drain-source voltage for DDTD113EC-7-F is 60V.
2. What is the continuous drain current rating for DDTD113EC-7-F?
The continuous drain current rating for DDTD113EC-7-F is 6A.
3. What is the on-state resistance of DDTD113EC-7-F?
The on-state resistance of DDTD113EC-7-F is typically 0.022 ohms.
4. What is the gate threshold voltage for DDTD113EC-7-F?
The gate threshold voltage for DDTD113EC-7-F is typically 2V.
5. What is the maximum junction temperature for DDTD113EC-7-F?
The maximum junction temperature for DDTD113EC-7-F is 175°C.
6. What is the input capacitance of DDTD113EC-7-F?
The input capacitance of DDTD113EC-7-F is typically 1100pF.
7. What is the total gate charge of DDTD113EC-7-F?
The total gate charge of DDTD113EC-7-F is typically 15nC.
8. What is the reverse transfer capacitance of DDTD113EC-7-F?
The reverse transfer capacitance of DDTD113EC-7-F is typically 50pF.
9. What is the maximum power dissipation for DDTD113EC-7-F?
The maximum power dissipation for DDTD113EC-7-F is 2.5W.
10. What is the storage temperature range for DDTD113EC-7-F?
The storage temperature range for DDTD113EC-7-F is -55°C to 175°C.
The maximum drain-source voltage for DDTD113EC-7-F is 60V.
2. What is the continuous drain current rating for DDTD113EC-7-F?
The continuous drain current rating for DDTD113EC-7-F is 6A.
3. What is the on-state resistance of DDTD113EC-7-F?
The on-state resistance of DDTD113EC-7-F is typically 0.022 ohms.
4. What is the gate threshold voltage for DDTD113EC-7-F?
The gate threshold voltage for DDTD113EC-7-F is typically 2V.
5. What is the maximum junction temperature for DDTD113EC-7-F?
The maximum junction temperature for DDTD113EC-7-F is 175°C.
6. What is the input capacitance of DDTD113EC-7-F?
The input capacitance of DDTD113EC-7-F is typically 1100pF.
7. What is the total gate charge of DDTD113EC-7-F?
The total gate charge of DDTD113EC-7-F is typically 15nC.
8. What is the reverse transfer capacitance of DDTD113EC-7-F?
The reverse transfer capacitance of DDTD113EC-7-F is typically 50pF.
9. What is the maximum power dissipation for DDTD113EC-7-F?
The maximum power dissipation for DDTD113EC-7-F is 2.5W.
10. What is the storage temperature range for DDTD113EC-7-F?
The storage temperature range for DDTD113EC-7-F is -55°C to 175°C.
DDTD113EC-7-F Связанные ключевые слова
:
DDTD113EC-7-F Цена
DDTD113EC-7-F Картина
DDTD113EC-7-F Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"DDTD"
series
products
