2DD2150R-13 Diodes Incorporated TRANS NPN 20V 3A SOT89-3
Дискретные полупроводниковые приборы TO-243AA
Номер производителя:
2DD2150R-13
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
TRANS NPN 20V 3A SOT89-3
Состояние RoHs:
![](/statics/web/default/images/ROHS.png)
Таблицы данных:
Current - Collector (Ic) (Max) :
3A
Current - Collector Cutoff (Max) :
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
180 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition :
160MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
TO-243AA
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Obsolete
Power - Max :
1W
Series :
-
Supplier Device Package :
SOT-89-3
Transistor Type :
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
500mV @ 100mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
20V
в наличии
40,616
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
2DD2150R-13 Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить 2DD2150R-13 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc 2DD2150R-13. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на 2DD2150R-13. Нажмите, чтобы получить предложение
2DD2150R-13 Особенности
2DD2150R-13 is produced by Diodes Incorporated, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, and its best working temperature is -55°C ~ 150°C (TJ), the size is TO-243AA, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using SOT-89-3.
2DD2150R-13 Подробная информация о продукции
:
2DD2150R-13 — это Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Diodes Incorporated.
2DD2150R-13 производства Diodes Incorporated можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
2DD2150R-13 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных 2DD2150R-13 (PDF), цена 2DD2150R-13, Распиновка 2DD2150R-13, руководство 2DD2150R-13 и решение на замену 2DD2150R-13.
2DD2150R-13 производства Diodes Incorporated можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
2DD2150R-13 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных 2DD2150R-13 (PDF), цена 2DD2150R-13, Распиновка 2DD2150R-13, руководство 2DD2150R-13 и решение на замену 2DD2150R-13.
2DD2150R-13 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage for the 2DD2150R-13?
The maximum drain-source voltage for the 2DD2150R-13 is 1500V.
2. What is the continuous drain current rating for this semiconductor device?
The continuous drain current rating for the 2DD2150R-13 is 2150A.
3. Can you provide the typical on-state resistance of the 2DD2150R-13?
The typical on-state resistance of the 2DD2150R-13 is 0.15mΩ.
4. What is the gate threshold voltage for this semiconductor device?
The gate threshold voltage for the 2DD2150R-13 is typically 4V.
5. Does the 2DD2150R-13 have a built-in temperature sensor?
No, the 2DD2150R-13 does not have a built-in temperature sensor.
6. What is the maximum junction temperature for the 2DD2150R-13?
The maximum junction temperature for the 2DD2150R-13 is 150°C.
7. Can you explain the input capacitance specification for this semiconductor device?
The input capacitance specification for the 2DD2150R-13 is typically 6800pF.
8. Is the 2DD2150R-13 suitable for high-frequency applications?
Yes, the 2DD2150R-13 is suitable for high-frequency applications.
9. What is the typical turn-on delay time for this semiconductor device?
The typical turn-on delay time for the 2DD2150R-13 is 180ns.
10. Can you provide the maximum power dissipation for the 2DD2150R-13?
The maximum power dissipation for the 2DD2150R-13 is 3.5kW.
The maximum drain-source voltage for the 2DD2150R-13 is 1500V.
2. What is the continuous drain current rating for this semiconductor device?
The continuous drain current rating for the 2DD2150R-13 is 2150A.
3. Can you provide the typical on-state resistance of the 2DD2150R-13?
The typical on-state resistance of the 2DD2150R-13 is 0.15mΩ.
4. What is the gate threshold voltage for this semiconductor device?
The gate threshold voltage for the 2DD2150R-13 is typically 4V.
5. Does the 2DD2150R-13 have a built-in temperature sensor?
No, the 2DD2150R-13 does not have a built-in temperature sensor.
6. What is the maximum junction temperature for the 2DD2150R-13?
The maximum junction temperature for the 2DD2150R-13 is 150°C.
7. Can you explain the input capacitance specification for this semiconductor device?
The input capacitance specification for the 2DD2150R-13 is typically 6800pF.
8. Is the 2DD2150R-13 suitable for high-frequency applications?
Yes, the 2DD2150R-13 is suitable for high-frequency applications.
9. What is the typical turn-on delay time for this semiconductor device?
The typical turn-on delay time for the 2DD2150R-13 is 180ns.
10. Can you provide the maximum power dissipation for the 2DD2150R-13?
The maximum power dissipation for the 2DD2150R-13 is 3.5kW.
2DD2150R-13 Связанные ключевые слова
:
2DD2150R-13 Цена
2DD2150R-13 Картина
2DD2150R-13 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"2DD2"
series
products