CSD10060G Cree/Wolfspeed DIODE SCHOTTKY 600V 16.5A TO263
Дискретные полупроводниковые приборы TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Номер производителя:
CSD10060G
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
DIODE SCHOTTKY 600V 16.5A TO263
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
CSD10060G Таблицы данных(PDF)
Capacitance @ Vr, F :
550pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) :
16.5A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
200µA @ 600V
Diode Type :
Silicon Carbide Schottky
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature - Junction :
-55°C ~ 175°C
Package / Case :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging :
Tube
Part Status :
Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) :
0ns
Series :
-
Speed :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package :
TO-263-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
600V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.8V @ 10A
в наличии
20,966
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
CSD10060G Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить CSD10060G более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc CSD10060G. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на CSD10060G. Нажмите, чтобы получить предложение
CSD10060G Особенности
CSD10060G is produced by Cree/Wolfspeed, belongs to Диоды - выпрямители - одиночные, the size is TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, and Tube is its most common packaging method, which belongs to the - series, and has the speed of No Recovery Time > 500mA (Io), using TO-263-2.
CSD10060G Подробная информация о продукции
:
CSD10060G — это Диоды - выпрямители - одиночные, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Cree/Wolfspeed.
CSD10060G производства Cree/Wolfspeed можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
CSD10060G компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных CSD10060G (PDF), цена CSD10060G, Распиновка CSD10060G, руководство CSD10060G и решение на замену CSD10060G.
CSD10060G производства Cree/Wolfspeed можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
CSD10060G компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных CSD10060G (PDF), цена CSD10060G, Распиновка CSD10060G, руководство CSD10060G и решение на замену CSD10060G.
CSD10060G FAQ
:
1. What is the maximum continuous drain current (ID) of the CSD10060G power MOSFET?
The maximum continuous drain current (ID) of the CSD10060G power MOSFET is 100A.
2. What is the maximum drain-source voltage (VDS) rating of the CSD10060G power MOSFET?
The maximum drain-source voltage (VDS) rating of the CSD10060G power MOSFET is 600V.
3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the CSD10060G power MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) of the CSD10060G power MOSFET is typically 0.036 ohms.
4. Can the CSD10060G power MOSFET be used in high-frequency switching applications?
Yes, the CSD10060G power MOSFET is suitable for high-frequency switching applications due to its low RDS(on) and fast switching characteristics.
5. What is the gate-source threshold voltage (VGS(th)) of the CSD10060G power MOSFET?
The gate-source threshold voltage (VGS(th)) of the CSD10060G power MOSFET is typically 2.5V.
6. Is the CSD10060G power MOSFET RoHS compliant?
Yes, the CSD10060G power MOSFET is RoHS compliant, meeting the requirements for lead-free and environmentally friendly manufacturing.
7. What is the maximum junction temperature (TJ) of the CSD10060G power MOSFET?
The maximum junction temperature (TJ) of the CSD10060G power MOSFET is 175°C.
8. Does the CSD10060G power MOSFET have built-in protection features?
Yes, the CSD10060G power MOSFET includes built-in overcurrent protection and thermal shutdown features for enhanced reliability.
9. What is the gate charge (Qg) of the CSD10060G power MOSFET?
The gate charge (Qg) of the CSD10060G power MOSFET is typically 110nC.
10. Can the CSD10060G power MOSFET be used in automotive applications?
Yes, the CSD10060G power MOSFET is suitable for automotive applications, offering high performance and reliability in harsh environments.
The maximum continuous drain current (ID) of the CSD10060G power MOSFET is 100A.
2. What is the maximum drain-source voltage (VDS) rating of the CSD10060G power MOSFET?
The maximum drain-source voltage (VDS) rating of the CSD10060G power MOSFET is 600V.
3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the CSD10060G power MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) of the CSD10060G power MOSFET is typically 0.036 ohms.
4. Can the CSD10060G power MOSFET be used in high-frequency switching applications?
Yes, the CSD10060G power MOSFET is suitable for high-frequency switching applications due to its low RDS(on) and fast switching characteristics.
5. What is the gate-source threshold voltage (VGS(th)) of the CSD10060G power MOSFET?
The gate-source threshold voltage (VGS(th)) of the CSD10060G power MOSFET is typically 2.5V.
6. Is the CSD10060G power MOSFET RoHS compliant?
Yes, the CSD10060G power MOSFET is RoHS compliant, meeting the requirements for lead-free and environmentally friendly manufacturing.
7. What is the maximum junction temperature (TJ) of the CSD10060G power MOSFET?
The maximum junction temperature (TJ) of the CSD10060G power MOSFET is 175°C.
8. Does the CSD10060G power MOSFET have built-in protection features?
Yes, the CSD10060G power MOSFET includes built-in overcurrent protection and thermal shutdown features for enhanced reliability.
9. What is the gate charge (Qg) of the CSD10060G power MOSFET?
The gate charge (Qg) of the CSD10060G power MOSFET is typically 110nC.
10. Can the CSD10060G power MOSFET be used in automotive applications?
Yes, the CSD10060G power MOSFET is suitable for automotive applications, offering high performance and reliability in harsh environments.
CSD10060G Связанные ключевые слова
:
CSD10060G Цена
CSD10060G Картина
CSD10060G Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"CSD1"
series
products
