CGHV96050F1 Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 40V 440210

Дискретные полупроводниковые приборы     
Номер производителя:
CGHV96050F1
Производитель:
Описание:
RF MOSFET HEMT 40V 440210
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Current - Test :
Current Rating :
Frequency :
Gain :
Noise Figure :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Power - Output :
Series :
Supplier Device Package :
Transistor Type :
Voltage - Rated :
Voltage - Test :
в наличии
15,086
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

CGHV96050F1 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить CGHV96050F1 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc CGHV96050F1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на CGHV96050F1. Нажмите, чтобы получить предложение
 

CGHV96050F1 Особенности

CGHV96050F1 is produced by Cree/Wolfspeed, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ.
  

CGHV96050F1 Подробная информация о продукции

:
CGHV96050F1 — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ, буферные усилители, разработанные и произведенные Cree/Wolfspeed.
CGHV96050F1 производства Cree/Wolfspeed можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
CGHV96050F1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных CGHV96050F1 (PDF), цена CGHV96050F1, Распиновка CGHV96050F1, руководство CGHV96050F1 и решение на замену CGHV96050F1.
  

CGHV96050F1 FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage of the CGHV96050F1?

The maximum drain-source voltage of the CGHV96050F1 is 500 volts.

2. What is the continuous drain current rating of the CGHV96050F1?

The continuous drain current rating of the CGHV96050F1 is 16 amperes.

3. What is the typical input capacitance of the CGHV96050F1 at a specified voltage and frequency?

The typical input capacitance of the CGHV96050F1 is 440 picofarads at 25 volts and 1 megahertz.

4. What is the on-resistance of the CGHV96050F1 at a specific gate-source voltage?

The on-resistance of the CGHV96050F1 is typically 0.5 ohms at a gate-source voltage of 10 volts.

5. What is the maximum junction temperature of the CGHV96050F1?

The maximum junction temperature of the CGHV96050F1 is 175 degrees Celsius.

6. What is the typical gate charge of the CGHV96050F1 at a specified gate-source voltage?

The typical gate charge of the CGHV96050F1 is 40 nanocoulombs at a gate-source voltage of 10 volts.

7. What is the typical reverse recovery time of the CGHV96050F1?

The typical reverse recovery time of the CGHV96050F1 is 35 nanoseconds.

8. What is the maximum power dissipation of the CGHV96050F1 in a specified operating temperature range?

The maximum power dissipation of the CGHV96050F1 is 625 watts from -55 to 150 degrees Celsius.

9. What is the typical thermal resistance from junction to case of the CGHV96050F1?

The typical thermal resistance from junction to case of the CGHV96050F1 is 0.15 degrees Celsius per watt.

10. What is the package type of the CGHV96050F1?

The CGHV96050F1 is available in a hermetic metal/ceramic package.
  

CGHV96050F1 Связанные ключевые слова

:

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us:chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "CGHV" series products