NE4210S01-T1B CEL HJ-FET 13DB S01

Дискретные полупроводниковые приборы

Номер производителя:

NE4210S01-T1B

Производитель:

CEL

Категория продукции:

Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

Описание:

HJ-FET 13DB S01

Состояние RoHs:

Без свинца / в соответствии с RoHS

Таблицы данных:

NE4210S01-T1B Таблицы данных(PDF)

Current - Test :

Current Rating :

Frequency :

Gain :

Noise Figure :

Package / Case :

Packaging :

Part Status :

Power - Output :

Series :

Supplier Device Package :

Transistor Type :

Voltage - Rated :

Voltage - Test :

в наличии

35,789

Unit Price:

Свяжитесь с нами Предложение

NE4210S01-T1B Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить NE4210S01-T1B более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc NE4210S01-T1B. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на NE4210S01-T1B. Нажмите, чтобы получить предложение

NE4210S01-T1B Особенности

NE4210S01-T1B is produced by CEL, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ.

NE4210S01-T1B Подробная информация о продукции

NE4210S01-T1B — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ, буферные усилители, разработанные и произведенные CEL.
NE4210S01-T1B производства CEL можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
NE4210S01-T1B компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных NE4210S01-T1B (PDF), цена NE4210S01-T1B, Распиновка NE4210S01-T1B, руководство NE4210S01-T1B и решение на замену NE4210S01-T1B.

NE4210S01-T1B FAQ

1. What is the maximum drain-source voltage for NE4210S01-T1B?
The maximum drain-source voltage for NE4210S01-T1B is 100V.

2. What is the typical on-state resistance of NE4210S01-T1B?
The typical on-state resistance of NE4210S01-T1B is 25mΩ.

3. What is the maximum continuous drain current for NE4210S01-T1B?
The maximum continuous drain current for NE4210S01-T1B is 120A.

4. What is the typical gate threshold voltage for NE4210S01-T1B?
The typical gate threshold voltage for NE4210S01-T1B is 2.5V.

5. What is the maximum power dissipation for NE4210S01-T1B?
The maximum power dissipation for NE4210S01-T1B is 150W.

6. What is the operating junction temperature range for NE4210S01-T1B?
The operating junction temperature range for NE4210S01-T1B is -55°C to 175°C.

7. What is the typical input capacitance of NE4210S01-T1B?
The typical input capacitance of NE4210S01-T1B is 5200pF.

8. What is the typical reverse transfer capacitance of NE4210S01-T1B?
The typical reverse transfer capacitance of NE4210S01-T1B is 300pF.

9. What is the maximum storage temperature for NE4210S01-T1B?
The maximum storage temperature for NE4210S01-T1B is -55°C to 175°C.

10. What is the typical turn-on delay time for NE4210S01-T1B?
The typical turn-on delay time for NE4210S01-T1B is 13ns.

NE4210S01-T1B Связанные ключевые слова

NE4210S01-T1B Цена

NE4210S01-T1B Техническая спецификация

NE4210S01-T1B Картина

NE4210S01-T1B PDF

NE4210S01-T1B Технические характеристики

NE4210S01-T1B Напряжение на выводе

NE4210S01-T1B Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com
Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

Contains "NE42" series products

NE4210S01

HJ-FET 13DB S01
NE4210S01-T1B

HJ-FET 13DB S01