BLF8G09LS-270GWJ Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244C
Дискретные полупроводниковые приборы
Номер производителя:
BLF8G09LS-270GWJ
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244C
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
BLF8G09LS-270GWJ Таблицы данных(PDF)
Current - Test :
Current Rating :
Frequency :
Gain :
Noise Figure :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Power - Output :
Series :
Supplier Device Package :
Transistor Type :
Voltage - Rated :
Voltage - Test :
в наличии
41,399
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
BLF8G09LS-270GWJ Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить BLF8G09LS-270GWJ более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc BLF8G09LS-270GWJ. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на BLF8G09LS-270GWJ. Нажмите, чтобы получить предложение
BLF8G09LS-270GWJ Особенности
BLF8G09LS-270GWJ is produced by Ampleon USA Inc., belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ.
BLF8G09LS-270GWJ Подробная информация о продукции
:
BLF8G09LS-270GWJ — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Ampleon USA Inc..
BLF8G09LS-270GWJ производства Ampleon USA Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BLF8G09LS-270GWJ компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BLF8G09LS-270GWJ (PDF), цена BLF8G09LS-270GWJ, Распиновка BLF8G09LS-270GWJ, руководство BLF8G09LS-270GWJ и решение на замену BLF8G09LS-270GWJ.
BLF8G09LS-270GWJ производства Ampleon USA Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BLF8G09LS-270GWJ компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BLF8G09LS-270GWJ (PDF), цена BLF8G09LS-270GWJ, Распиновка BLF8G09LS-270GWJ, руководство BLF8G09LS-270GWJ и решение на замену BLF8G09LS-270GWJ.
BLF8G09LS-270GWJ FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage of the BLF8G09LS-270GWJ?
The maximum drain-source voltage of the BLF8G09LS-270GWJ is 270V.
2. What is the typical gain of this RF power LDMOS transistor at 2 GHz?
The typical gain of the BLF8G09LS-270GWJ at 2 GHz is 15 dB.
3. What is the maximum output power capability of the BLF8G09LS-270GWJ?
The maximum output power capability of the BLF8G09LS-270GWJ is 9W.
4. What is the recommended operating frequency range for this transistor?
The recommended operating frequency range for the BLF8G09LS-270GWJ is 0.7 - 2.7 GHz.
5. What is the typical input and output return loss at 2 GHz?
The typical input return loss at 2 GHz is -14 dB, and the typical output return loss at 2 GHz is -12 dB.
6. What is the maximum junction temperature of the BLF8G09LS-270GWJ?
The maximum junction temperature of the BLF8G09LS-270GWJ is 200°C.
7. What is the typical thermal resistance from junction to case?
The typical thermal resistance from junction to case is 0.83°C/W.
8. What is the recommended bias conditions for optimal performance?
The recommended bias conditions for optimal performance are VDS = 32V, IDQ = 150mA, and VGS = -5V.
9. What is the typical efficiency of the BLF8G09LS-270GWJ at P1dB?
The typical efficiency of the BLF8G09LS-270GWJ at P1dB is 55%.
10. What is the package type of the BLF8G09LS-270GWJ?
The BLF8G09LS-270GWJ comes in a SOT502A (LFPAK56) package.
The maximum drain-source voltage of the BLF8G09LS-270GWJ is 270V.
2. What is the typical gain of this RF power LDMOS transistor at 2 GHz?
The typical gain of the BLF8G09LS-270GWJ at 2 GHz is 15 dB.
3. What is the maximum output power capability of the BLF8G09LS-270GWJ?
The maximum output power capability of the BLF8G09LS-270GWJ is 9W.
4. What is the recommended operating frequency range for this transistor?
The recommended operating frequency range for the BLF8G09LS-270GWJ is 0.7 - 2.7 GHz.
5. What is the typical input and output return loss at 2 GHz?
The typical input return loss at 2 GHz is -14 dB, and the typical output return loss at 2 GHz is -12 dB.
6. What is the maximum junction temperature of the BLF8G09LS-270GWJ?
The maximum junction temperature of the BLF8G09LS-270GWJ is 200°C.
7. What is the typical thermal resistance from junction to case?
The typical thermal resistance from junction to case is 0.83°C/W.
8. What is the recommended bias conditions for optimal performance?
The recommended bias conditions for optimal performance are VDS = 32V, IDQ = 150mA, and VGS = -5V.
9. What is the typical efficiency of the BLF8G09LS-270GWJ at P1dB?
The typical efficiency of the BLF8G09LS-270GWJ at P1dB is 55%.
10. What is the package type of the BLF8G09LS-270GWJ?
The BLF8G09LS-270GWJ comes in a SOT502A (LFPAK56) package.
BLF8G09LS-270GWJ Связанные ключевые слова
:
BLF8G09LS-270GWJ Цена
BLF8G09LS-270GWJ Картина
BLF8G09LS-270GWJ Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"BLF8"
series
products
