BLF7G10LS-250,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B

Дискретные полупроводниковые приборы     
Номер производителя:
BLF7G10LS-250,112
Производитель:
Описание:
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Current - Test :
Current Rating :
Frequency :
Gain :
Noise Figure :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Power - Output :
Series :
Supplier Device Package :
Transistor Type :
Voltage - Rated :
Voltage - Test :
в наличии
17,404
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

BLF7G10LS-250,112 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить BLF7G10LS-250,112 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc BLF7G10LS-250,112. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на BLF7G10LS-250,112. Нажмите, чтобы получить предложение
 

BLF7G10LS-250,112 Особенности

BLF7G10LS-250,112 is produced by Ampleon USA Inc., belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ.
  

BLF7G10LS-250,112 Подробная информация о продукции

:
BLF7G10LS-250,112 — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ, буферные усилители, разработанные и произведенные Ampleon USA Inc..
BLF7G10LS-250,112 производства Ampleon USA Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BLF7G10LS-250,112 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BLF7G10LS-250,112 (PDF), цена BLF7G10LS-250,112, Распиновка BLF7G10LS-250,112, руководство BLF7G10LS-250,112 и решение на замену BLF7G10LS-250,112.
  

BLF7G10LS-250,112 FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage of the BLF7G10LS-250,112?
The maximum drain-source voltage of the BLF7G10LS-250,112 is 65 volts.

2. What is the typical input capacitance of the BLF7G10LS-250,112?
The typical input capacitance of the BLF7G10LS-250,112 is 1800 picofarads.

3. What is the maximum drain current of the BLF7G10LS-250,112?
The maximum drain current of the BLF7G10LS-250,112 is 10 amperes.

4. What is the typical power gain of the BLF7G10LS-250,112 at 2 GHz?
The typical power gain of the BLF7G10LS-250,112 at 2 GHz is 14 dB.

5. What is the typical output power at 1 dB compression point for the BLF7G10LS-250,112?
The typical output power at 1 dB compression point for the BLF7G10LS-250,112 is 30 watts.

6. What is the typical efficiency of the BLF7G10LS-250,112 at 2 GHz and 30 watts output power?
The typical efficiency of the BLF7G10LS-250,112 at 2 GHz and 30 watts output power is 60%.

7. What is the recommended operating voltage for the BLF7G10LS-250,112?
The recommended operating voltage for the BLF7G10LS-250,112 is 32 volts.

8. What is the typical thermal resistance from junction to case of the BLF7G10LS-250,112?
The typical thermal resistance from junction to case of the BLF7G10LS-250,112 is 0.9 degrees Celsius per watt.

9. What is the storage temperature range for the BLF7G10LS-250,112?
The storage temperature range for the BLF7G10LS-250,112 is -65 to 150 degrees Celsius.

10. What is the typical input return loss at 2 GHz for the BLF7G10LS-250,112?
The typical input return loss at 2 GHz for the BLF7G10LS-250,112 is 12 dB.
  

BLF7G10LS-250,112 Связанные ключевые слова

:

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us:chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "BLF7" series products