SIC788ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix 50A VRPOWER INTEGRATED POWER ST
Интегральные схемы (ИС)
Номер производителя:
SIC788ACD-T1-GE3
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
50A VRPOWER INTEGRATED POWER ST
Состояние RoHs:
Таблицы данных:
Applications :
Current - Output / Channel :
Current - Peak Output :
Fault Protection :
Features :
Interface :
Load Type :
Mounting Type :
Operating Temperature :
Output Configuration :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Rds On (Typ) :
Series :
Supplier Device Package :
Technology :
Voltage - Load :
Voltage - Supply :
в наличии
49,452
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
SIC788ACD-T1-GE3 Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить SIC788ACD-T1-GE3 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc SIC788ACD-T1-GE3. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на SIC788ACD-T1-GE3. Нажмите, чтобы получить предложение
SIC788ACD-T1-GE3 Особенности
SIC788ACD-T1-GE3 is produced by Vishay Siliconix, belongs to PMIC - Полные, Half-Bridge драйверы.
SIC788ACD-T1-GE3 Подробная информация о продукции
:
SIC788ACD-T1-GE3 — это PMIC - Полные, Half-Bridge драйверы, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Vishay Siliconix.
SIC788ACD-T1-GE3 производства Vishay Siliconix можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
SIC788ACD-T1-GE3 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных SIC788ACD-T1-GE3 (PDF), цена SIC788ACD-T1-GE3, Распиновка SIC788ACD-T1-GE3, руководство SIC788ACD-T1-GE3 и решение на замену SIC788ACD-T1-GE3.
SIC788ACD-T1-GE3 производства Vishay Siliconix можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
SIC788ACD-T1-GE3 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных SIC788ACD-T1-GE3 (PDF), цена SIC788ACD-T1-GE3, Распиновка SIC788ACD-T1-GE3, руководство SIC788ACD-T1-GE3 и решение на замену SIC788ACD-T1-GE3.
SIC788ACD-T1-GE3 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage rating for the SIC788ACD-T1-GE3?
The maximum drain-source voltage rating for the SIC788ACD-T1-GE3 is 1200V.
2. What is the continuous drain current rating for this MOSFET?
The continuous drain current rating for the SIC788ACD-T1-GE3 is 30A.
3. Can you provide the typical on-resistance of the SIC788ACD-T1-GE3 at a specific temperature and voltage?
At 25°C and a gate-source voltage of 15V, the typical on-resistance of the SIC788ACD-T1-GE3 is 80mΩ.
4. What is the maximum junction temperature for this device?
The maximum junction temperature for the SIC788ACD-T1-GE3 is 175°C.
5. Does the SIC788ACD-T1-GE3 have built-in ESD protection?
Yes, the SIC788ACD-T1-GE3 features built-in ESD protection.
6. What is the gate threshold voltage of this MOSFET?
The gate threshold voltage of the SIC788ACD-T1-GE3 typically ranges from 2V to 4V.
7. Can you provide information about the input capacitance of the SIC788ACD-T1-GE3?
The input capacitance of the SIC788ACD-T1-GE3 is typically 3200pF.
8. Is the SIC788ACD-T1-GE3 suitable for high-frequency switching applications?
Yes, the SIC788ACD-T1-GE3 is suitable for high-frequency switching applications.
9. What is the total power dissipation of this device?
The total power dissipation of the SIC788ACD-T1-GE3 is 150W.
10. Does this MOSFET require a heat sink for certain operating conditions?
Yes, a heat sink may be required for the SIC788ACD-T1-GE3 under high-power or high-temperature operating conditions.
The maximum drain-source voltage rating for the SIC788ACD-T1-GE3 is 1200V.
2. What is the continuous drain current rating for this MOSFET?
The continuous drain current rating for the SIC788ACD-T1-GE3 is 30A.
3. Can you provide the typical on-resistance of the SIC788ACD-T1-GE3 at a specific temperature and voltage?
At 25°C and a gate-source voltage of 15V, the typical on-resistance of the SIC788ACD-T1-GE3 is 80mΩ.
4. What is the maximum junction temperature for this device?
The maximum junction temperature for the SIC788ACD-T1-GE3 is 175°C.
5. Does the SIC788ACD-T1-GE3 have built-in ESD protection?
Yes, the SIC788ACD-T1-GE3 features built-in ESD protection.
6. What is the gate threshold voltage of this MOSFET?
The gate threshold voltage of the SIC788ACD-T1-GE3 typically ranges from 2V to 4V.
7. Can you provide information about the input capacitance of the SIC788ACD-T1-GE3?
The input capacitance of the SIC788ACD-T1-GE3 is typically 3200pF.
8. Is the SIC788ACD-T1-GE3 suitable for high-frequency switching applications?
Yes, the SIC788ACD-T1-GE3 is suitable for high-frequency switching applications.
9. What is the total power dissipation of this device?
The total power dissipation of the SIC788ACD-T1-GE3 is 150W.
10. Does this MOSFET require a heat sink for certain operating conditions?
Yes, a heat sink may be required for the SIC788ACD-T1-GE3 under high-power or high-temperature operating conditions.
SIC788ACD-T1-GE3 Связанные ключевые слова
:
SIC788ACD-T1-GE3 Цена
SIC788ACD-T1-GE3 Картина
SIC788ACD-T1-GE3 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"SIC7"
series
products