+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. TC58NVG1S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 2GBIT 25NS 63FBGA
TC58NVG1S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 2GBIT 25NS 63FBGA
TC58NVG1S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 2GBIT 25NS 63FBGA

TC58NVG1S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 2GBIT 25NS 63FBGA

Интегральные схемы (ИС)     
Номер производителя:
TC58NVG1S3HBAI4
Производитель:
Toshiba Memory America, Inc.
Категория продукции:
объем памяти
Описание:
IC EEPROM 2GBIT 25NS 63FBGA
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
TC58NVG1S3HBAI4 Таблицы данных(PDF)
Access Time :
Clock Frequency :
Memory Format :
Memory Interface :
Memory Size :
Memory Type :
Mounting Type :
Operating Temperature :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Series :
Supplier Device Package :
Technology :
Voltage - Supply :
Write Cycle Time - Word, Page :
в наличии
19,787
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

TC58NVG1S3HBAI4 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить TC58NVG1S3HBAI4 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc TC58NVG1S3HBAI4. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на TC58NVG1S3HBAI4. Нажмите, чтобы получить предложение
 

TC58NVG1S3HBAI4 Особенности

TC58NVG1S3HBAI4 is produced by Toshiba Memory America, Inc., belongs to объем памяти.
  

TC58NVG1S3HBAI4 Подробная информация о продукции

:
TC58NVG1S3HBAI4 — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и произведенные Toshiba Memory America, Inc..
TC58NVG1S3HBAI4 производства Toshiba Memory America, Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
TC58NVG1S3HBAI4 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных TC58NVG1S3HBAI4 (PDF), цена TC58NVG1S3HBAI4, Распиновка TC58NVG1S3HBAI4, руководство TC58NVG1S3HBAI4 и решение на замену TC58NVG1S3HBAI4.
  

TC58NVG1S3HBAI4 FAQ

:
1. What is the maximum operating frequency of the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory?
The maximum operating frequency of the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory is 83MHz.

2. What is the typical power consumption of the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory during read operations is 25mA.

3. Can the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory operate at industrial temperature ranges?
Yes, the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory is designed to operate at industrial temperature ranges from -40°C to 85°C.

4. What is the maximum data transfer rate supported by the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory?
The TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory supports a maximum data transfer rate of 166 megabytes per second (MB/s).

5. Does the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory supports hardware data protection features such as block locking and OTP (One-Time Programmable) area.

6. What is the typical program/erase cycle endurance of the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory?
The typical program/erase cycle endurance of the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory is 3,000 cycles.

7. Is the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory compatible with standard NAND flash interfaces?
Yes, the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory is compatible with standard NAND flash interfaces such as ONFI (Open NAND Flash Interface) 3.0.

8. What is the voltage supply range for the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory?
The voltage supply range for the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory is 2.7V to 3.6V.

9. Does the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory support advanced error correction capabilities?
Yes, the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory supports advanced error correction capabilities such as BCH (Bose-Chaudhuri-Hocquenghem) algorithm.

10. What is the typical data retention period of the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory?
The typical data retention period of the TC58NVG1S3HBAI4 NAND flash memory is 10 years.
  

TC58NVG1S3HBAI4 Связанные ключевые слова

:
TC58NVG1S3HBAI4 Цена
TC58NVG1S3HBAI4 Техническая спецификация
TC58NVG1S3HBAI4 Картина
TC58NVG1S3HBAI4 PDF
TC58NVG1S3HBAI4 Технические характеристики
TC58NVG1S3HBAI4 Напряжение на выводе
TC58NVG1S3HBAI4 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "TC58" series products