+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Диоды - выпрямители - массивы
  5. GP1003HC0G Taiwan Semiconductor Corporation DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB
GP1003HC0G Taiwan Semiconductor Corporation DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB
GP1003HC0G Taiwan Semiconductor Corporation DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB

GP1003HC0G Taiwan Semiconductor Corporation DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB

Дискретные полупроводниковые приборы     TO-220-3
Номер производителя:
GP1003HC0G
Производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Категория продукции:
Диоды - выпрямители - массивы
Описание:
DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
GP1003HC0G Таблицы данных(PDF)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) :
10A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
5µA @ 200V
Diode Configuration :
1 Pair Common Cathode
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature - Junction :
-55°C ~ 150°C
Package / Case :
TO-220-3
Packaging :
Tube
Part Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Series :
Automotive, AEC-Q101
Speed :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package :
TO-220AB
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
200V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 5A
в наличии
52,901
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

GP1003HC0G Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить GP1003HC0G более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc GP1003HC0G. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на GP1003HC0G. Нажмите, чтобы получить предложение
 

GP1003HC0G Особенности

GP1003HC0G is produced by Taiwan Semiconductor Corporation, belongs to Диоды - выпрямители - массивы, the size is TO-220-3, and Tube is its most common packaging method, which belongs to the Automotive, AEC-Q101 series, and has the speed of Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), using TO-220AB.
  

GP1003HC0G Подробная информация о продукции

:
GP1003HC0G — это Диоды - выпрямители - массивы, буферные усилители, разработанные и произведенные Taiwan Semiconductor Corporation.
GP1003HC0G производства Taiwan Semiconductor Corporation можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
GP1003HC0G компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных GP1003HC0G (PDF), цена GP1003HC0G, Распиновка GP1003HC0G, руководство GP1003HC0G и решение на замену GP1003HC0G.
  

GP1003HC0G FAQ

:
1. What is the maximum operating temperature for the GP1003HC0G semiconductor?
The maximum operating temperature for the GP1003HC0G semiconductor is 150°C.

2. What is the typical forward voltage drop for the GP1003HC0G diode?
The typical forward voltage drop for the GP1003HC0G diode is 0.7V.

3. What is the recommended storage temperature range for the GP1003HC0G semiconductor?
The recommended storage temperature range for the GP1003HC0G semiconductor is -55°C to 150°C.

4. What is the maximum reverse voltage rating for the GP1003HC0G diode?
The maximum reverse voltage rating for the GP1003HC0G diode is 50V.

5. What is the typical capacitance for the GP1003HC0G MOSFET?
The typical capacitance for the GP1003HC0G MOSFET is 100pF.

6. What is the maximum drain current for the GP1003HC0G transistor?
The maximum drain current for the GP1003HC0G transistor is 5A.

7. What is the typical on-resistance for the GP1003HC0G power transistor?
The typical on-resistance for the GP1003HC0G power transistor is 0.05 ohms.

8. What is the recommended soldering temperature profile for the GP1003HC0G package?
The recommended soldering temperature profile for the GP1003HC0G package is 260°C for 10 seconds.

9. What is the maximum junction temperature for the GP1003HC0G semiconductor?
The maximum junction temperature for the GP1003HC0G semiconductor is 175°C.

10. What is the typical gate threshold voltage for the GP1003HC0G MOSFET?
The typical gate threshold voltage for the GP1003HC0G MOSFET is 2.5V.
  

GP1003HC0G Связанные ключевые слова

:
GP1003HC0G Цена
GP1003HC0G Техническая спецификация
GP1003HC0G Картина
GP1003HC0G PDF
GP1003HC0G Технические характеристики
GP1003HC0G Напряжение на выводе
GP1003HC0G Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "GP10" series products