+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  5. PD20010TR-E STMicroelectronics TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM
PD20010TR-E STMicroelectronics TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM
PD20010TR-E STMicroelectronics TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM

PD20010TR-E STMicroelectronics TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM

Дискретные полупроводниковые приборы     PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Номер производителя:
PD20010TR-E
Производитель:
STMicroelectronics
Категория продукции:
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Описание:
TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
PD20010TR-E Таблицы данных(PDF)
Current - Test :
150mA
Current Rating :
5A
Frequency :
2GHz
Gain :
11dB
Noise Figure :
-
Package / Case :
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Power - Output :
10W
Series :
-
Supplier Device Package :
PowerSO-10RF (Formed Lead)
Transistor Type :
LDMOS
Voltage - Rated :
40V
Voltage - Test :
13.6V
в наличии
17,054
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

PD20010TR-E Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить PD20010TR-E более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc PD20010TR-E. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на PD20010TR-E. Нажмите, чтобы получить предложение
 

PD20010TR-E Особенности

PD20010TR-E is produced by STMicroelectronics, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ, in addition , its frequency is 2GHz, the size is PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads), and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using PowerSO-10RF (Formed Lead).
  

PD20010TR-E Подробная информация о продукции

:
PD20010TR-E — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ, буферные усилители, разработанные и произведенные STMicroelectronics.
PD20010TR-E производства STMicroelectronics можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
PD20010TR-E компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных PD20010TR-E (PDF), цена PD20010TR-E, Распиновка PD20010TR-E, руководство PD20010TR-E и решение на замену PD20010TR-E.
  

PD20010TR-E FAQ

:
1. What is the maximum voltage rating for PD20010TR-E?
The maximum voltage rating for PD20010TR-E is 100V.

2. What is the continuous forward current rating for PD20010TR-E?
The continuous forward current rating for PD20010TR-E is 20A.

3. What is the typical forward voltage drop for PD20010TR-E at 10A?
The typical forward voltage drop for PD20010TR-E at 10A is 0.75V.

4. What is the maximum junction temperature for PD20010TR-E?
The maximum junction temperature for PD20010TR-E is 150°C.

5. What is the thermal resistance junction to case for PD20010TR-E?
The thermal resistance junction to case for PD20010TR-E is 1.5°C/W.

6. What is the reverse recovery time for PD20010TR-E?
The reverse recovery time for PD20010TR-E is 35ns.

7. What is the package type for PD20010TR-E?
PD20010TR-E comes in a TO-220AB package.

8. What is the storage temperature range for PD20010TR-E?
The storage temperature range for PD20010TR-E is -55°C to 175°C.

9. What is the recommended mounting torque for PD20010TR-E?
The recommended mounting torque for PD20010TR-E is 0.5 Nm.

10. What is the maximum junction-to-case thermal resistance for PD20010TR-E?
The maximum junction-to-case thermal resistance for PD20010TR-E is 0.5°C/W.
  

PD20010TR-E Связанные ключевые слова

:
PD20010TR-E Цена
PD20010TR-E Техническая спецификация
PD20010TR-E Картина
PD20010TR-E PDF
PD20010TR-E Технические характеристики
PD20010TR-E Напряжение на выводе
PD20010TR-E Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "PD20" series products