PDTD123EK,115 NXP USA Inc. TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
Дискретные полупроводниковые приборы
Номер производителя:
PDTD123EK,115
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
PDTD123EK,115 Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
Current - Collector Cutoff (Max) :
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
Frequency - Transition :
Mounting Type :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Power - Max :
Resistor - Base (R1) :
Resistor - Emitter Base (R2) :
Series :
Supplier Device Package :
Transistor Type :
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
в наличии
13,906
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
PDTD123EK,115 Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить PDTD123EK,115 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc PDTD123EK,115. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на PDTD123EK,115. Нажмите, чтобы получить предложение
PDTD123EK,115 Особенности
PDTD123EK,115 is produced by NXP USA Inc., belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые.
PDTD123EK,115 Подробная информация о продукции
:
PDTD123EK,115 — это Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые, буферные усилители, разработанные и
произведенные
NXP USA Inc..
PDTD123EK,115 производства NXP USA Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
PDTD123EK,115 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных PDTD123EK,115 (PDF), цена PDTD123EK,115, Распиновка PDTD123EK,115, руководство PDTD123EK,115 и решение на замену PDTD123EK,115.
PDTD123EK,115 производства NXP USA Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
PDTD123EK,115 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных PDTD123EK,115 (PDF), цена PDTD123EK,115, Распиновка PDTD123EK,115, руководство PDTD123EK,115 и решение на замену PDTD123EK,115.
PDTD123EK,115 FAQ
:
1. Q: What are the key features of the PDTD123EK,115 semiconductor?
A: The PDTD123EK,115 semiconductor features high power dissipation, low collector-emitter saturation voltage, and a compact surface-mounted package.
2. Q: What is the maximum collector current for the PDTD123EK,115 semiconductor?
A: The maximum collector current for the PDTD123EK,115 semiconductor is 100 mA.
3. Q: Can the PDTD123EK,115 semiconductor operate at high temperatures?
A: Yes, the PDTD123EK,115 semiconductor is designed to operate at high temperatures up to 150°C.
4. Q: What is the typical gain bandwidth product of the PDTD123EK,115 semiconductor?
A: The typical gain bandwidth product of the PDTD123EK,115 semiconductor is 250 MHz.
5. Q: Does the PDTD123EK,115 semiconductor require external biasing?
A: No, the PDTD123EK,115 semiconductor does not require external biasing due to its built-in biasing circuitry.
6. Q: Is the PDTD123EK,115 semiconductor suitable for RF applications?
A: Yes, the PDTD123EK,115 semiconductor is suitable for RF applications due to its high frequency performance.
7. Q: What is the recommended operating voltage for the PDTD123EK,115 semiconductor?
A: The recommended operating voltage for the PDTD123EK,115 semiconductor is 12 V.
8. Q: Can the PDTD123EK,115 semiconductor be used in switching applications?
A: Yes, the PDTD123EK,115 semiconductor can be used in switching applications due to its fast switching speed.
9. Q: What is the storage temperature range for the PDTD123EK,115 semiconductor?
A: The storage temperature range for the PDTD123EK,115 semiconductor is -55°C to 150°C.
10. Q: Are there any special handling precautions for the PDTD123EK,115 semiconductor?
A: Special handling precautions include avoiding static discharge and following proper ESD protection measures during handling and assembly processes.
A: The PDTD123EK,115 semiconductor features high power dissipation, low collector-emitter saturation voltage, and a compact surface-mounted package.
2. Q: What is the maximum collector current for the PDTD123EK,115 semiconductor?
A: The maximum collector current for the PDTD123EK,115 semiconductor is 100 mA.
3. Q: Can the PDTD123EK,115 semiconductor operate at high temperatures?
A: Yes, the PDTD123EK,115 semiconductor is designed to operate at high temperatures up to 150°C.
4. Q: What is the typical gain bandwidth product of the PDTD123EK,115 semiconductor?
A: The typical gain bandwidth product of the PDTD123EK,115 semiconductor is 250 MHz.
5. Q: Does the PDTD123EK,115 semiconductor require external biasing?
A: No, the PDTD123EK,115 semiconductor does not require external biasing due to its built-in biasing circuitry.
6. Q: Is the PDTD123EK,115 semiconductor suitable for RF applications?
A: Yes, the PDTD123EK,115 semiconductor is suitable for RF applications due to its high frequency performance.
7. Q: What is the recommended operating voltage for the PDTD123EK,115 semiconductor?
A: The recommended operating voltage for the PDTD123EK,115 semiconductor is 12 V.
8. Q: Can the PDTD123EK,115 semiconductor be used in switching applications?
A: Yes, the PDTD123EK,115 semiconductor can be used in switching applications due to its fast switching speed.
9. Q: What is the storage temperature range for the PDTD123EK,115 semiconductor?
A: The storage temperature range for the PDTD123EK,115 semiconductor is -55°C to 150°C.
10. Q: Are there any special handling precautions for the PDTD123EK,115 semiconductor?
A: Special handling precautions include avoiding static discharge and following proper ESD protection measures during handling and assembly processes.
PDTD123EK,115 Связанные ключевые слова
:
PDTD123EK,115 Цена
PDTD123EK,115 Картина
PDTD123EK,115 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"PDTD"
series
products
