PDTD113ES,126 NXP USA Inc. TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Дискретные полупроводниковые приборы
Номер производителя:
PDTD113ES,126
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
PDTD113ES,126 Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
Current - Collector Cutoff (Max) :
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
Frequency - Transition :
Mounting Type :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Power - Max :
Resistor - Base (R1) :
Resistor - Emitter Base (R2) :
Series :
Supplier Device Package :
Transistor Type :
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
в наличии
60,018
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
PDTD113ES,126 Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить PDTD113ES,126 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc PDTD113ES,126. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на PDTD113ES,126. Нажмите, чтобы получить предложение
PDTD113ES,126 Особенности
PDTD113ES,126 is produced by NXP USA Inc., belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые.
PDTD113ES,126 Подробная информация о продукции
:
PDTD113ES,126 — это Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые, буферные усилители, разработанные и
произведенные
NXP USA Inc..
PDTD113ES,126 производства NXP USA Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
PDTD113ES,126 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных PDTD113ES,126 (PDF), цена PDTD113ES,126, Распиновка PDTD113ES,126, руководство PDTD113ES,126 и решение на замену PDTD113ES,126.
PDTD113ES,126 производства NXP USA Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
PDTD113ES,126 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных PDTD113ES,126 (PDF), цена PDTD113ES,126, Распиновка PDTD113ES,126, руководство PDTD113ES,126 и решение на замену PDTD113ES,126.
PDTD113ES,126 FAQ
:
1. What are the key features of the PDTD113ES,126 semiconductor?
The PDTD113ES,126 semiconductor is a high-speed switching diode with low capacitance and low reverse recovery time. It is designed for use in high-frequency applications such as RF and microwave circuits.
2. What is the maximum forward current rating for the PDTD113ES,126?
The maximum forward current rating for the PDTD113ES,126 is 100mA.
3. What is the typical reverse recovery time for the PDTD113ES,126?
The typical reverse recovery time for the PDTD113ES,126 is 4ns.
4. Can the PDTD113ES,126 be used in high-temperature environments?
Yes, the PDTD113ES,126 is designed to operate in high-temperature environments, with a maximum operating temperature of 150°C.
5. What is the typical junction capacitance for the PDTD113ES,126 at a specified voltage?
The typical junction capacitance for the PDTD113ES,126 is 0.6pF at a reverse voltage of 3V.
6. Is the PDTD113ES,126 suitable for use in rectifier applications?
No, the PDTD113ES,126 is not recommended for use in rectifier applications due to its high-speed switching characteristics.
7. What is the package type for the PDTD113ES,126 semiconductor?
The PDTD113ES,126 is available in a SOT-523 surface-mount package.
8. Can the PDTD113ES,126 be used in low-noise amplifier circuits?
Yes, the PDTD113ES,126 can be used in low-noise amplifier circuits due to its low capacitance and fast switching characteristics.
9. What is the maximum reverse voltage rating for the PDTD113ES,126?
The maximum reverse voltage rating for the PDTD113ES,126 is 20V.
10. Does the PDTD113ES,126 have any special handling or storage requirements?
The PDTD113ES,126 should be stored in a moisture-free environment and handled with appropriate ESD precautions to prevent damage during assembly and installation processes.
The PDTD113ES,126 semiconductor is a high-speed switching diode with low capacitance and low reverse recovery time. It is designed for use in high-frequency applications such as RF and microwave circuits.
2. What is the maximum forward current rating for the PDTD113ES,126?
The maximum forward current rating for the PDTD113ES,126 is 100mA.
3. What is the typical reverse recovery time for the PDTD113ES,126?
The typical reverse recovery time for the PDTD113ES,126 is 4ns.
4. Can the PDTD113ES,126 be used in high-temperature environments?
Yes, the PDTD113ES,126 is designed to operate in high-temperature environments, with a maximum operating temperature of 150°C.
5. What is the typical junction capacitance for the PDTD113ES,126 at a specified voltage?
The typical junction capacitance for the PDTD113ES,126 is 0.6pF at a reverse voltage of 3V.
6. Is the PDTD113ES,126 suitable for use in rectifier applications?
No, the PDTD113ES,126 is not recommended for use in rectifier applications due to its high-speed switching characteristics.
7. What is the package type for the PDTD113ES,126 semiconductor?
The PDTD113ES,126 is available in a SOT-523 surface-mount package.
8. Can the PDTD113ES,126 be used in low-noise amplifier circuits?
Yes, the PDTD113ES,126 can be used in low-noise amplifier circuits due to its low capacitance and fast switching characteristics.
9. What is the maximum reverse voltage rating for the PDTD113ES,126?
The maximum reverse voltage rating for the PDTD113ES,126 is 20V.
10. Does the PDTD113ES,126 have any special handling or storage requirements?
The PDTD113ES,126 should be stored in a moisture-free environment and handled with appropriate ESD precautions to prevent damage during assembly and installation processes.
PDTD113ES,126 Связанные ключевые слова
:
PDTD113ES,126 Цена
PDTD113ES,126 Картина
PDTD113ES,126 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"PDTD"
series
products
