WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
  5. PDTA123EE,115 NXP USA Inc. TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
PDTA123EE,115 NXP USA Inc. TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
PDTA123EE,115 NXP USA Inc. TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

PDTA123EE,115 NXP USA Inc. TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

Дискретные полупроводниковые приборы     
Номер производителя:
PDTA123EE,115
Производитель:
NXP USA Inc.
Категория продукции:
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
PDTA123EE,115 Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
Current - Collector Cutoff (Max) :
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
Frequency - Transition :
Mounting Type :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Power - Max :
Resistor - Base (R1) :
Resistor - Emitter Base (R2) :
Series :
Supplier Device Package :
Transistor Type :
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
в наличии
39,562
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

PDTA123EE,115 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить PDTA123EE,115 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc PDTA123EE,115. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на PDTA123EE,115. Нажмите, чтобы получить предложение
 

PDTA123EE,115 Особенности

PDTA123EE,115 is produced by NXP USA Inc., belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые.
  

PDTA123EE,115 Подробная информация о продукции

:
PDTA123EE,115 — это Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые, буферные усилители, разработанные и произведенные NXP USA Inc..
PDTA123EE,115 производства NXP USA Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
PDTA123EE,115 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных PDTA123EE,115 (PDF), цена PDTA123EE,115, Распиновка PDTA123EE,115, руководство PDTA123EE,115 и решение на замену PDTA123EE,115.
  

PDTA123EE,115 FAQ

:
1. What is the maximum collector current of PDTA123EE,115?
The maximum collector current of PDTA123EE,115 is 100mA.

2. What is the maximum power dissipation of PDTA123EE,115?
The maximum power dissipation of PDTA123EE,115 is 250mW.

3. What is the maximum collector-emitter voltage of PDTA123EE,115?
The maximum collector-emitter voltage of PDTA123EE,115 is 50V.

4. What is the hFE (DC current gain) range of PDTA123EE,115?
The hFE (DC current gain) range of PDTA123EE,115 is 120-400.

5. What is the package type of PDTA123EE,115?
PDTA123EE,115 comes in a SOT416 (SC-75) package.

6. What is the operating temperature range of PDTA123EE,115?
The operating temperature range of PDTA123EE,115 is -55°C to +150°C.

7. What is the storage temperature range of PDTA123EE,115?
The storage temperature range of PDTA123EE,115 is -65°C to +150°C.

8. What is the typical base-emitter saturation voltage of PDTA123EE,115 at 10mA?
The typical base-emitter saturation voltage of PDTA123EE,115 at 10mA is 0.9V.

9. What is the typical base-emitter on voltage of PDTA123EE,115 at 10µA?
The typical base-emitter on voltage of PDTA123EE,115 at 10µA is 0.65V.

10. What is the typical transition frequency of PDTA123EE,115?
The typical transition frequency of PDTA123EE,115 is 250MHz.
  

PDTA123EE,115 Связанные ключевые слова

:
PDTA123EE,115 Цена
PDTA123EE,115 Техническая спецификация
PDTA123EE,115 Картина
PDTA123EE,115 PDF
PDTA123EE,115 Технические характеристики
PDTA123EE,115 Напряжение на выводе
PDTA123EE,115 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "PDTA" series products