PDTA115TS,126 NXP USA Inc. TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
Дискретные полупроводниковые приборы
Номер производителя:
PDTA115TS,126
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
PDTA115TS,126 Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
Current - Collector Cutoff (Max) :
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
Frequency - Transition :
Mounting Type :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Power - Max :
Resistor - Base (R1) :
Resistor - Emitter Base (R2) :
Series :
Supplier Device Package :
Transistor Type :
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
в наличии
29,937
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
PDTA115TS,126 Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить PDTA115TS,126 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc PDTA115TS,126. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на PDTA115TS,126. Нажмите, чтобы получить предложение
PDTA115TS,126 Особенности
PDTA115TS,126 is produced by NXP USA Inc., belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые.
PDTA115TS,126 Подробная информация о продукции
:
PDTA115TS,126 — это Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые, буферные усилители, разработанные и
произведенные
NXP USA Inc..
PDTA115TS,126 производства NXP USA Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
PDTA115TS,126 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных PDTA115TS,126 (PDF), цена PDTA115TS,126, Распиновка PDTA115TS,126, руководство PDTA115TS,126 и решение на замену PDTA115TS,126.
PDTA115TS,126 производства NXP USA Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
PDTA115TS,126 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных PDTA115TS,126 (PDF), цена PDTA115TS,126, Распиновка PDTA115TS,126, руководство PDTA115TS,126 и решение на замену PDTA115TS,126.
PDTA115TS,126 FAQ
:
1. What is the maximum collector current (IC) rating for PDTA115TS,126?
The maximum collector current (IC) rating for PDTA115TS,126 is 100mA.
2. What is the maximum power dissipation (Ptot) for PDTA115TS,126?
The maximum power dissipation (Ptot) for PDTA115TS,126 is 250mW.
3. What is the voltage rating for the emitter-base breakdown voltage (VEBO) of PDTA115TS,126?
The emitter-base breakdown voltage (VEBO) of PDTA115TS,126 is 5V.
4. Can PDTA115TS,126 be used for switching applications?
Yes, PDTA115TS,126 can be used for switching applications due to its high current gain and low saturation voltage.
5. What is the typical DC current gain (hFE) for PDTA115TS,126?
The typical DC current gain (hFE) for PDTA115TS,126 is 100-400.
6. Is PDTA115TS,126 suitable for use in low noise amplifier circuits?
Yes, PDTA115TS,126 is suitable for use in low noise amplifier circuits due to its low noise characteristics.
7. What is the maximum junction temperature (Tj) for PDTA115TS,126?
The maximum junction temperature (Tj) for PDTA115TS,126 is 150°C.
8. Does PDTA115TS,126 require a heat sink for normal operation?
No, PDTA115TS,126 does not require a heat sink for normal operation under recommended operating conditions.
9. What is the storage temperature range for PDTA115TS,126?
The storage temperature range for PDTA115TS,126 is -55°C to 150°C.
10. Can PDTA115TS,126 be used in automotive applications?
Yes, PDTA115TS,126 can be used in automotive applications due to its high reliability and performance under harsh conditions.
The maximum collector current (IC) rating for PDTA115TS,126 is 100mA.
2. What is the maximum power dissipation (Ptot) for PDTA115TS,126?
The maximum power dissipation (Ptot) for PDTA115TS,126 is 250mW.
3. What is the voltage rating for the emitter-base breakdown voltage (VEBO) of PDTA115TS,126?
The emitter-base breakdown voltage (VEBO) of PDTA115TS,126 is 5V.
4. Can PDTA115TS,126 be used for switching applications?
Yes, PDTA115TS,126 can be used for switching applications due to its high current gain and low saturation voltage.
5. What is the typical DC current gain (hFE) for PDTA115TS,126?
The typical DC current gain (hFE) for PDTA115TS,126 is 100-400.
6. Is PDTA115TS,126 suitable for use in low noise amplifier circuits?
Yes, PDTA115TS,126 is suitable for use in low noise amplifier circuits due to its low noise characteristics.
7. What is the maximum junction temperature (Tj) for PDTA115TS,126?
The maximum junction temperature (Tj) for PDTA115TS,126 is 150°C.
8. Does PDTA115TS,126 require a heat sink for normal operation?
No, PDTA115TS,126 does not require a heat sink for normal operation under recommended operating conditions.
9. What is the storage temperature range for PDTA115TS,126?
The storage temperature range for PDTA115TS,126 is -55°C to 150°C.
10. Can PDTA115TS,126 be used in automotive applications?
Yes, PDTA115TS,126 can be used in automotive applications due to its high reliability and performance under harsh conditions.
PDTA115TS,126 Связанные ключевые слова
:
PDTA115TS,126 Цена
PDTA115TS,126 Картина
PDTA115TS,126 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"PDTA"
series
products
