PDTA114EEAF NXP USA Inc. TRANS PREBIAS PNP 150MW SC-75
Дискретные полупроводниковые приборы
Номер производителя:
PDTA114EEAF
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC-75
Состояние RoHs:

Таблицы данных:
Current - Collector (Ic) (Max) :
Current - Collector Cutoff (Max) :
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
Frequency - Transition :
Mounting Type :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Power - Max :
Resistor - Base (R1) :
Resistor - Emitter Base (R2) :
Series :
Supplier Device Package :
Transistor Type :
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
в наличии
34,945
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
PDTA114EEAF Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить PDTA114EEAF более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc PDTA114EEAF. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на PDTA114EEAF. Нажмите, чтобы получить предложение
PDTA114EEAF Особенности
PDTA114EEAF is produced by NXP USA Inc., belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые.
PDTA114EEAF Подробная информация о продукции
:
PDTA114EEAF — это Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые, буферные усилители, разработанные и
произведенные
NXP USA Inc..
PDTA114EEAF производства NXP USA Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
PDTA114EEAF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных PDTA114EEAF (PDF), цена PDTA114EEAF, Распиновка PDTA114EEAF, руководство PDTA114EEAF и решение на замену PDTA114EEAF.
PDTA114EEAF производства NXP USA Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
PDTA114EEAF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных PDTA114EEAF (PDF), цена PDTA114EEAF, Распиновка PDTA114EEAF, руководство PDTA114EEAF и решение на замену PDTA114EEAF.
PDTA114EEAF FAQ
:
1. What is the maximum collector current of PDTA114EEAF?
The maximum collector current of PDTA114EEAF is 100mA.
2. What is the maximum power dissipation of PDTA114EEAF?
The maximum power dissipation of PDTA114EEAF is 200mW.
3. What is the maximum voltage between base and emitter of PDTA114EEAF?
The maximum voltage between base and emitter of PDTA114EEAF is 50V.
4. What is the transition frequency of PDTA114EEAF?
The transition frequency of PDTA114EEAF is 250MHz.
5. What is the hFE (DC current gain) of PDTA114EEAF?
The hFE (DC current gain) of PDTA114EEAF is typically 100 to 400.
6. What is the package type of PDTA114EEAF?
PDTA114EEAF comes in a SOT416 (SC-75) package.
7. What is the operating temperature range of PDTA114EEAF?
The operating temperature range of PDTA114EEAF is -55°C to +150°C.
8. What is the storage temperature range of PDTA114EEAF?
The storage temperature range of PDTA114EEAF is -65°C to +150°C.
9. What is the thermal resistance junction to ambient of PDTA114EEAF?
The thermal resistance junction to ambient of PDTA114EEAF is 625°C/W.
10. What are the recommended soldering conditions for PDTA114EEAF?
The recommended soldering conditions for PDTA114EEAF include a soldering iron temperature of 260°C for 10 seconds.
The maximum collector current of PDTA114EEAF is 100mA.
2. What is the maximum power dissipation of PDTA114EEAF?
The maximum power dissipation of PDTA114EEAF is 200mW.
3. What is the maximum voltage between base and emitter of PDTA114EEAF?
The maximum voltage between base and emitter of PDTA114EEAF is 50V.
4. What is the transition frequency of PDTA114EEAF?
The transition frequency of PDTA114EEAF is 250MHz.
5. What is the hFE (DC current gain) of PDTA114EEAF?
The hFE (DC current gain) of PDTA114EEAF is typically 100 to 400.
6. What is the package type of PDTA114EEAF?
PDTA114EEAF comes in a SOT416 (SC-75) package.
7. What is the operating temperature range of PDTA114EEAF?
The operating temperature range of PDTA114EEAF is -55°C to +150°C.
8. What is the storage temperature range of PDTA114EEAF?
The storage temperature range of PDTA114EEAF is -65°C to +150°C.
9. What is the thermal resistance junction to ambient of PDTA114EEAF?
The thermal resistance junction to ambient of PDTA114EEAF is 625°C/W.
10. What are the recommended soldering conditions for PDTA114EEAF?
The recommended soldering conditions for PDTA114EEAF include a soldering iron temperature of 260°C for 10 seconds.
PDTA114EEAF Связанные ключевые слова
:
PDTA114EEAF Цена
PDTA114EEAF Картина
PDTA114EEAF Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"PDTA"
series
products