PSMN4R3-80ES,127 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Дискретные полупроводниковые приборы
Номер производителя:
PSMN4R3-80ES,127
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Состояние RoHs:

Таблицы данных:
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
Drain to Source Voltage (Vdss) :
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
FET Feature :
FET Type :
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
Mounting Type :
Operating Temperature :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Power Dissipation (Max) :
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
Series :
Supplier Device Package :
Technology :
Vgs (Max) :
Vgs(th) (Max) @ Id :
в наличии
34,549
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
PSMN4R3-80ES,127 Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить PSMN4R3-80ES,127 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc PSMN4R3-80ES,127. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на PSMN4R3-80ES,127. Нажмите, чтобы получить предложение
PSMN4R3-80ES,127 Особенности
PSMN4R3-80ES,127 is produced by Nexperia USA Inc., belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные.
PSMN4R3-80ES,127 Подробная информация о продукции
:
PSMN4R3-80ES,127 — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Nexperia USA Inc..
PSMN4R3-80ES,127 производства Nexperia USA Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
PSMN4R3-80ES,127 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных PSMN4R3-80ES,127 (PDF), цена PSMN4R3-80ES,127, Распиновка PSMN4R3-80ES,127, руководство PSMN4R3-80ES,127 и решение на замену PSMN4R3-80ES,127.
PSMN4R3-80ES,127 производства Nexperia USA Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
PSMN4R3-80ES,127 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных PSMN4R3-80ES,127 (PDF), цена PSMN4R3-80ES,127, Распиновка PSMN4R3-80ES,127, руководство PSMN4R3-80ES,127 и решение на замену PSMN4R3-80ES,127.
PSMN4R3-80ES,127 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage of the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET?
The maximum drain-source voltage of the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET is 80V.
2. What is the continuous drain current of the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET?
The continuous drain current of the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET is 75A.
3. Can the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET be used for high-frequency applications?
Yes, the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET can be used for high-frequency applications due to its low input and output capacitance.
4. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) of the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET is typically 4.3mΩ.
5. Is the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET suitable for automotive applications?
Yes, the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET is suitable for automotive applications as it meets the necessary industry standards.
6. What is the operating temperature range of the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET?
The operating temperature range of the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET is -55°C to 175°C.
7. Does the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET have built-in ESD protection?
Yes, the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET has built-in ESD protection, making it robust against electrostatic discharge.
8. What package type is the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET available in?
The PSMN4R3-80ES,127 MOSFET is available in a TO-220AB package.
9. Can the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET be used in parallel to increase current handling capability?
Yes, the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET can be used in parallel to increase current handling capability in high-power applications.
10. What are the key advantages of using the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET in power electronics designs?
The key advantages of using the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET include low RDS(on), high current handling capability, and suitability for various applications including automotive and industrial.
The maximum drain-source voltage of the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET is 80V.
2. What is the continuous drain current of the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET?
The continuous drain current of the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET is 75A.
3. Can the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET be used for high-frequency applications?
Yes, the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET can be used for high-frequency applications due to its low input and output capacitance.
4. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) of the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET is typically 4.3mΩ.
5. Is the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET suitable for automotive applications?
Yes, the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET is suitable for automotive applications as it meets the necessary industry standards.
6. What is the operating temperature range of the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET?
The operating temperature range of the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET is -55°C to 175°C.
7. Does the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET have built-in ESD protection?
Yes, the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET has built-in ESD protection, making it robust against electrostatic discharge.
8. What package type is the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET available in?
The PSMN4R3-80ES,127 MOSFET is available in a TO-220AB package.
9. Can the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET be used in parallel to increase current handling capability?
Yes, the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET can be used in parallel to increase current handling capability in high-power applications.
10. What are the key advantages of using the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET in power electronics designs?
The key advantages of using the PSMN4R3-80ES,127 MOSFET include low RDS(on), high current handling capability, and suitability for various applications including automotive and industrial.
PSMN4R3-80ES,127 Связанные ключевые слова
:
PSMN4R3-80ES,127 Цена
PSMN4R3-80ES,127 Картина
PSMN4R3-80ES,127 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"PSMN"
series
products