WhatApp：+8618002571668 +86 18002571668 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  5. PSMN1R7-30YL,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
PSMN1R7-30YL,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
PSMN1R7-30YL,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

PSMN1R7-30YL,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

Дискретные полупроводниковые приборы     
Номер производителя:
PSMN1R7-30YL,115
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Категория продукции:
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Описание:
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
PSMN1R7-30YL,115 Таблицы данных(PDF)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
Drain to Source Voltage (Vdss) :
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
FET Feature :
FET Type :
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
Mounting Type :
Operating Temperature :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Power Dissipation (Max) :
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
Series :
Supplier Device Package :
Technology :
Vgs (Max) :
Vgs(th) (Max) @ Id :
в наличии
13,328
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

PSMN1R7-30YL,115 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить PSMN1R7-30YL,115 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc PSMN1R7-30YL,115. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на PSMN1R7-30YL,115. Нажмите, чтобы получить предложение
 

PSMN1R7-30YL,115 Особенности

PSMN1R7-30YL,115 is produced by Nexperia USA Inc., belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные.
  

PSMN1R7-30YL,115 Подробная информация о продукции

:
PSMN1R7-30YL,115 — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, буферные усилители, разработанные и произведенные Nexperia USA Inc..
PSMN1R7-30YL,115 производства Nexperia USA Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
PSMN1R7-30YL,115 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных PSMN1R7-30YL,115 (PDF), цена PSMN1R7-30YL,115, Распиновка PSMN1R7-30YL,115, руководство PSMN1R7-30YL,115 и решение на замену PSMN1R7-30YL,115.
  

PSMN1R7-30YL,115 FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage (VDS) of the PSMN1R7-30YL,115 MOSFET?
The maximum drain-source voltage (VDS) of the PSMN1R7-30YL,115 MOSFET is 30 volts.

2. What is the continuous drain current (ID) rating of the PSMN1R7-30YL,115 MOSFET?
The continuous drain current (ID) rating of the PSMN1R7-30YL,115 MOSFET is 100 amperes.

3. Can you provide the on-state resistance (RDS(on)) specification for the PSMN1R7-30YL,115 MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) specification for the PSMN1R7-30YL,115 MOSFET is typically 1.7 milliohms.

4. What is the maximum junction temperature (Tj) for the PSMN1R7-30YL,115 MOSFET?
The maximum junction temperature (Tj) for the PSMN1R7-30YL,115 MOSFET is 175 degrees Celsius.

5. Does the PSMN1R7-30YL,115 MOSFET have a low input capacitance for high-speed switching applications?
Yes, the PSMN1R7-30YL,115 MOSFET is designed with low input capacitance for high-speed switching applications.

6. Can you explain the gate charge (Qg) specification for the PSMN1R7-30YL,115 MOSFET?
The gate charge (Qg) specification for the PSMN1R7-30YL,115 MOSFET is the total charge required to drive the gate from 0 volts to the specified gate voltage.

7. Is the PSMN1R7-30YL,115 MOSFET suitable for automotive applications?
Yes, the PSMN1R7-30YL,115 MOSFET is suitable for automotive applications and complies with relevant industry standards.

8. What is the package type of the PSMN1R7-30YL,115 MOSFET?
The PSMN1R7-30YL,115 MOSFET is available in a TO-220 package.

9. Can the PSMN1R7-30YL,115 MOSFET be used in power supply and motor control applications?
Yes, the PSMN1R7-30YL,115 MOSFET is well-suited for power supply and motor control applications due to its high current handling capability.

10. Are there any recommended thermal management guidelines for the PSMN1R7-30YL,115 MOSFET?
It is recommended to use proper heat sinking and thermal management techniques to ensure optimal performance and reliability of the PSMN1R7-30YL,115 MOSFET.
  

PSMN1R7-30YL,115 Связанные ключевые слова

:
PSMN1R7-30YL,115 Цена
PSMN1R7-30YL,115 Техническая спецификация
PSMN1R7-30YL,115 Картина
PSMN1R7-30YL,115 PDF
PSMN1R7-30YL,115 Технические характеристики
PSMN1R7-30YL,115 Напряжение на выводе
PSMN1R7-30YL,115 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "PSMN" series products