PDTB123EUF Nexperia USA Inc. TRANS PREBIAS PNP 0.425W
Дискретные полупроводниковые приборы
Номер производителя:
PDTB123EUF
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 0.425W
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
PDTB123EUF Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
Current - Collector Cutoff (Max) :
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
Frequency - Transition :
Mounting Type :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Power - Max :
Resistor - Base (R1) :
Resistor - Emitter Base (R2) :
Series :
Supplier Device Package :
Transistor Type :
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
в наличии
45,823
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
PDTB123EUF Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить PDTB123EUF более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc PDTB123EUF. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на PDTB123EUF. Нажмите, чтобы получить предложение
PDTB123EUF Особенности
PDTB123EUF is produced by Nexperia USA Inc., belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые.
PDTB123EUF Подробная информация о продукции
:
PDTB123EUF — это Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Nexperia USA Inc..
PDTB123EUF производства Nexperia USA Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
PDTB123EUF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных PDTB123EUF (PDF), цена PDTB123EUF, Распиновка PDTB123EUF, руководство PDTB123EUF и решение на замену PDTB123EUF.
PDTB123EUF производства Nexperia USA Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
PDTB123EUF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных PDTB123EUF (PDF), цена PDTB123EUF, Распиновка PDTB123EUF, руководство PDTB123EUF и решение на замену PDTB123EUF.
PDTB123EUF FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the PDTB123EUF semiconductor?
The maximum operating temperature for the PDTB123EUF semiconductor is 150°C.
2. What is the typical output current of the PDTB123EUF transistor?
The typical output current of the PDTB123EUF transistor is 100mA.
3. Can the PDTB123EUF be used in high-frequency applications?
Yes, the PDTB123EUF can be used in high-frequency applications due to its fast switching characteristics.
4. What is the voltage rating for the PDTB123EUF transistor?
The voltage rating for the PDTB123EUF transistor is 32V.
5. Does the PDTB123EUF have built-in protection features?
No, the PDTB123EUF does not have built-in protection features and external protection circuitry may be required.
6. What is the typical gain of the PDTB123EUF transistor?
The typical gain of the PDTB123EUF transistor is 250.
7. Is the PDTB123EUF suitable for automotive applications?
Yes, the PDTB123EUF is suitable for automotive applications as it meets the necessary reliability and performance requirements.
8. What is the package type of the PDTB123EUF semiconductor?
The PDTB123EUF semiconductor comes in a SOT416 (SC-75) package type.
9. Can the PDTB123EUF be used in low-power applications?
Yes, the PDTB123EUF can be used in low-power applications due to its low saturation voltage and low power dissipation.
10. What are the typical applications for the PDTB123EUF transistor?
Typical applications for the PDTB123EUF transistor include switching and amplification in portable electronic devices, consumer electronics, and automotive systems.
The maximum operating temperature for the PDTB123EUF semiconductor is 150°C.
2. What is the typical output current of the PDTB123EUF transistor?
The typical output current of the PDTB123EUF transistor is 100mA.
3. Can the PDTB123EUF be used in high-frequency applications?
Yes, the PDTB123EUF can be used in high-frequency applications due to its fast switching characteristics.
4. What is the voltage rating for the PDTB123EUF transistor?
The voltage rating for the PDTB123EUF transistor is 32V.
5. Does the PDTB123EUF have built-in protection features?
No, the PDTB123EUF does not have built-in protection features and external protection circuitry may be required.
6. What is the typical gain of the PDTB123EUF transistor?
The typical gain of the PDTB123EUF transistor is 250.
7. Is the PDTB123EUF suitable for automotive applications?
Yes, the PDTB123EUF is suitable for automotive applications as it meets the necessary reliability and performance requirements.
8. What is the package type of the PDTB123EUF semiconductor?
The PDTB123EUF semiconductor comes in a SOT416 (SC-75) package type.
9. Can the PDTB123EUF be used in low-power applications?
Yes, the PDTB123EUF can be used in low-power applications due to its low saturation voltage and low power dissipation.
10. What are the typical applications for the PDTB123EUF transistor?
Typical applications for the PDTB123EUF transistor include switching and amplification in portable electronic devices, consumer electronics, and automotive systems.
PDTB123EUF Связанные ключевые слова
:
PDTB123EUF Цена
PDTB123EUF Картина
PDTB123EUF Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"PDTB"
series
products
