PDTA123ETVL Nexperia USA Inc. PDTA123ET/SOT23/TO-236AB

Дискретные полупроводниковые приборы     
Номер производителя:
PDTA123ETVL
Производитель:
Описание:
PDTA123ET/SOT23/TO-236AB
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Current - Collector (Ic) (Max) :
Current - Collector Cutoff (Max) :
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
Frequency - Transition :
Mounting Type :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Power - Max :
Resistor - Base (R1) :
Resistor - Emitter Base (R2) :
Series :
Supplier Device Package :
Transistor Type :
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
в наличии
59,893
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

PDTA123ETVL Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить PDTA123ETVL более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc PDTA123ETVL. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на PDTA123ETVL. Нажмите, чтобы получить предложение
 

PDTA123ETVL Особенности

PDTA123ETVL is produced by Nexperia USA Inc., belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые.
  

PDTA123ETVL Подробная информация о продукции

:
PDTA123ETVL — это Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые, буферные усилители, разработанные и произведенные Nexperia USA Inc..
PDTA123ETVL производства Nexperia USA Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
PDTA123ETVL компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных PDTA123ETVL (PDF), цена PDTA123ETVL, Распиновка PDTA123ETVL, руководство PDTA123ETVL и решение на замену PDTA123ETVL.
  

PDTA123ETVL FAQ

:
1. What is the maximum collector current (IC) of the PDTA123ETVL transistor?
The maximum collector current (IC) of the PDTA123ETVL transistor is 100mA.

2. What is the maximum power dissipation (Ptot) of the PDTA123ETVL transistor?
The maximum power dissipation (Ptot) of the PDTA123ETVL transistor is 200mW.

3. What is the DC current gain (hFE) of the PDTA123ETVL transistor?
The DC current gain (hFE) of the PDTA123ETVL transistor is typically 100 to 400.

4. What is the maximum collector-emitter voltage (VCEO) of the PDTA123ETVL transistor?
The maximum collector-emitter voltage (VCEO) of the PDTA123ETVL transistor is 50V.

5. What is the maximum emitter-base voltage (VEBO) of the PDTA123ETVL transistor?
The maximum emitter-base voltage (VEBO) of the PDTA123ETVL transistor is 5V.

6. What is the thermal resistance junction to ambient (RthJA) of the PDTA123ETVL transistor?
The thermal resistance junction to ambient (RthJA) of the PDTA123ETVL transistor is 625°C/W.

7. What is the storage temperature range for the PDTA123ETVL transistor?
The storage temperature range for the PDTA123ETVL transistor is -65°C to +150°C.

8. What is the operating temperature range for the PDTA123ETVL transistor?
The operating temperature range for the PDTA123ETVL transistor is -55°C to +150°C.

9. What is the package type of the PDTA123ETVL transistor?
The package type of the PDTA123ETVL transistor is SOT-416.

10. Is the PDTA123ETVL transistor RoHS compliant?
Yes, the PDTA123ETVL transistor is RoHS compliant.
  

PDTA123ETVL Связанные ключевые слова

:

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us:chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "PDTA" series products