PDTA114EQAZ Nexperia USA Inc. TRANS PREBIAS PNP 3DFN
Дискретные полупроводниковые приборы
Номер производителя:
PDTA114EQAZ
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 3DFN
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
PDTA114EQAZ Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
Current - Collector Cutoff (Max) :
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
Frequency - Transition :
Mounting Type :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Power - Max :
Resistor - Base (R1) :
Resistor - Emitter Base (R2) :
Series :
Supplier Device Package :
Transistor Type :
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
в наличии
53,042
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
PDTA114EQAZ Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить PDTA114EQAZ более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc PDTA114EQAZ. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на PDTA114EQAZ. Нажмите, чтобы получить предложение
PDTA114EQAZ Особенности
PDTA114EQAZ is produced by Nexperia USA Inc., belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые.
PDTA114EQAZ Подробная информация о продукции
:
PDTA114EQAZ — это Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Nexperia USA Inc..
PDTA114EQAZ производства Nexperia USA Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
PDTA114EQAZ компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных PDTA114EQAZ (PDF), цена PDTA114EQAZ, Распиновка PDTA114EQAZ, руководство PDTA114EQAZ и решение на замену PDTA114EQAZ.
PDTA114EQAZ производства Nexperia USA Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
PDTA114EQAZ компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных PDTA114EQAZ (PDF), цена PDTA114EQAZ, Распиновка PDTA114EQAZ, руководство PDTA114EQAZ и решение на замену PDTA114EQAZ.
PDTA114EQAZ FAQ
:
1. What is the maximum collector current of the PDTA114EQAZ transistor?
The maximum collector current of the PDTA114EQAZ transistor is 100mA.
2. What is the maximum power dissipation of the PDTA114EQAZ transistor?
The maximum power dissipation of the PDTA114EQAZ transistor is 225mW.
3. What is the DC current gain (hFE) of the PDTA114EQAZ transistor?
The DC current gain (hFE) of the PDTA114EQAZ transistor is typically 100 to 400.
4. What is the maximum collector-emitter voltage of the PDTA114EQAZ transistor?
The maximum collector-emitter voltage of the PDTA114EQAZ transistor is 50V.
5. What is the package type of the PDTA114EQAZ transistor?
The package type of the PDTA114EQAZ transistor is SOT-353.
6. What is the storage temperature range for the PDTA114EQAZ transistor?
The storage temperature range for the PDTA114EQAZ transistor is -55°C to +150°C.
7. What is the operating temperature range for the PDTA114EQAZ transistor?
The operating temperature range for the PDTA114EQAZ transistor is -55°C to +150°C.
8. What is the thermal resistance junction to ambient for the PDTA114EQAZ transistor?
The thermal resistance junction to ambient for the PDTA114EQAZ transistor is 625°C/W.
9. What is the base-emitter voltage of the PDTA114EQAZ transistor?
The base-emitter voltage of the PDTA114EQAZ transistor is typically 5V.
10. What is the transition frequency of the PDTA114EQAZ transistor?
The transition frequency of the PDTA114EQAZ transistor is typically 250MHz.
The maximum collector current of the PDTA114EQAZ transistor is 100mA.
2. What is the maximum power dissipation of the PDTA114EQAZ transistor?
The maximum power dissipation of the PDTA114EQAZ transistor is 225mW.
3. What is the DC current gain (hFE) of the PDTA114EQAZ transistor?
The DC current gain (hFE) of the PDTA114EQAZ transistor is typically 100 to 400.
4. What is the maximum collector-emitter voltage of the PDTA114EQAZ transistor?
The maximum collector-emitter voltage of the PDTA114EQAZ transistor is 50V.
5. What is the package type of the PDTA114EQAZ transistor?
The package type of the PDTA114EQAZ transistor is SOT-353.
6. What is the storage temperature range for the PDTA114EQAZ transistor?
The storage temperature range for the PDTA114EQAZ transistor is -55°C to +150°C.
7. What is the operating temperature range for the PDTA114EQAZ transistor?
The operating temperature range for the PDTA114EQAZ transistor is -55°C to +150°C.
8. What is the thermal resistance junction to ambient for the PDTA114EQAZ transistor?
The thermal resistance junction to ambient for the PDTA114EQAZ transistor is 625°C/W.
9. What is the base-emitter voltage of the PDTA114EQAZ transistor?
The base-emitter voltage of the PDTA114EQAZ transistor is typically 5V.
10. What is the transition frequency of the PDTA114EQAZ transistor?
The transition frequency of the PDTA114EQAZ transistor is typically 250MHz.
PDTA114EQAZ Связанные ключевые слова
:
PDTA114EQAZ Цена
PDTA114EQAZ Картина
PDTA114EQAZ Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"PDTA"
series
products
