PBSS5130QAZ Nexperia USA Inc. TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3
Дискретные полупроводниковые приборы
Номер производителя:
PBSS5130QAZ
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
PBSS5130QAZ Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
Current - Collector Cutoff (Max) :
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
Frequency - Transition :
Mounting Type :
Operating Temperature :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Power - Max :
Series :
Supplier Device Package :
Transistor Type :
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
в наличии
28,303
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
PBSS5130QAZ Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить PBSS5130QAZ более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc PBSS5130QAZ. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на PBSS5130QAZ. Нажмите, чтобы получить предложение
PBSS5130QAZ Особенности
PBSS5130QAZ is produced by Nexperia USA Inc., belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные.
PBSS5130QAZ Подробная информация о продукции
:
PBSS5130QAZ — это Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Nexperia USA Inc..
PBSS5130QAZ производства Nexperia USA Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
PBSS5130QAZ компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных PBSS5130QAZ (PDF), цена PBSS5130QAZ, Распиновка PBSS5130QAZ, руководство PBSS5130QAZ и решение на замену PBSS5130QAZ.
PBSS5130QAZ производства Nexperia USA Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
PBSS5130QAZ компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных PBSS5130QAZ (PDF), цена PBSS5130QAZ, Распиновка PBSS5130QAZ, руководство PBSS5130QAZ и решение на замену PBSS5130QAZ.
PBSS5130QAZ FAQ
:
1. What is the maximum continuous collector current (Ic) of PBSS5130QAZ?
The maximum continuous collector current (Ic) of PBSS5130QAZ is 3A.
2. What is the maximum collector-emitter voltage (Vce) of PBSS5130QAZ?
The maximum collector-emitter voltage (Vce) of PBSS5130QAZ is 30V.
3. What is the typical base-emitter saturation voltage (Vbe) of PBSS5130QAZ at a collector current of 1A?
The typical base-emitter saturation voltage (Vbe) of PBSS5130QAZ at a collector current of 1A is 0.85V.
4. What is the maximum power dissipation (Ptot) of PBSS5130QAZ?
The maximum power dissipation (Ptot) of PBSS5130QAZ is 2.5W.
5. What is the thermal resistance junction to ambient (RthJA) of PBSS5130QAZ?
The thermal resistance junction to ambient (RthJA) of PBSS5130QAZ is 125°C/W.
6. What is the storage temperature range for PBSS5130QAZ?
The storage temperature range for PBSS5130QAZ is -65°C to +150°C.
7. What is the recommended soldering temperature and duration for PBSS5130QAZ?
The recommended soldering temperature for PBSS5130QAZ is 260°C, and the duration should not exceed 10 seconds.
8. What is the maximum junction temperature (Tj) of PBSS5130QAZ?
The maximum junction temperature (Tj) of PBSS5130QAZ is 150°C.
9. What is the typical DC current gain (hFE) of PBSS5130QAZ at a collector current of 1A?
The typical DC current gain (hFE) of PBSS5130QAZ at a collector current of 1A is 100.
10. What is the package type of PBSS5130QAZ?
PBSS5130QAZ is available in a SOT89 package.
The maximum continuous collector current (Ic) of PBSS5130QAZ is 3A.
2. What is the maximum collector-emitter voltage (Vce) of PBSS5130QAZ?
The maximum collector-emitter voltage (Vce) of PBSS5130QAZ is 30V.
3. What is the typical base-emitter saturation voltage (Vbe) of PBSS5130QAZ at a collector current of 1A?
The typical base-emitter saturation voltage (Vbe) of PBSS5130QAZ at a collector current of 1A is 0.85V.
4. What is the maximum power dissipation (Ptot) of PBSS5130QAZ?
The maximum power dissipation (Ptot) of PBSS5130QAZ is 2.5W.
5. What is the thermal resistance junction to ambient (RthJA) of PBSS5130QAZ?
The thermal resistance junction to ambient (RthJA) of PBSS5130QAZ is 125°C/W.
6. What is the storage temperature range for PBSS5130QAZ?
The storage temperature range for PBSS5130QAZ is -65°C to +150°C.
7. What is the recommended soldering temperature and duration for PBSS5130QAZ?
The recommended soldering temperature for PBSS5130QAZ is 260°C, and the duration should not exceed 10 seconds.
8. What is the maximum junction temperature (Tj) of PBSS5130QAZ?
The maximum junction temperature (Tj) of PBSS5130QAZ is 150°C.
9. What is the typical DC current gain (hFE) of PBSS5130QAZ at a collector current of 1A?
The typical DC current gain (hFE) of PBSS5130QAZ at a collector current of 1A is 100.
10. What is the package type of PBSS5130QAZ?
PBSS5130QAZ is available in a SOT89 package.
PBSS5130QAZ Связанные ключевые слова
:
PBSS5130QAZ Цена
PBSS5130QAZ Картина
PBSS5130QAZ Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"PBSS"
series
products
