JAN1N5290-1 Microsemi Corporation DIODE CURRENT REG 100V
Интегральные схемы (ИС)
Номер производителя:
JAN1N5290-1
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
DIODE CURRENT REG 100V
Состояние RoHs:
Таблицы данных:
JAN1N5290-1 Таблицы данных(PDF)
Accuracy :
Current - Output :
Function :
Mounting Type :
Operating Temperature :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Sensing Method :
Series :
Supplier Device Package :
Voltage - Input :
в наличии
42,280
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
JAN1N5290-1 Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить JAN1N5290-1 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc JAN1N5290-1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на JAN1N5290-1. Нажмите, чтобы получить предложение
JAN1N5290-1 Особенности
JAN1N5290-1 is produced by Microsemi Corporation, belongs to PMIC - Текущее регулирование / управление.
JAN1N5290-1 Подробная информация о продукции
:
JAN1N5290-1 — это PMIC - Текущее регулирование / управление, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Microsemi Corporation.
JAN1N5290-1 производства Microsemi Corporation можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
JAN1N5290-1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных JAN1N5290-1 (PDF), цена JAN1N5290-1, Распиновка JAN1N5290-1, руководство JAN1N5290-1 и решение на замену JAN1N5290-1.
JAN1N5290-1 производства Microsemi Corporation можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
JAN1N5290-1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных JAN1N5290-1 (PDF), цена JAN1N5290-1, Распиновка JAN1N5290-1, руководство JAN1N5290-1 и решение на замену JAN1N5290-1.
JAN1N5290-1 FAQ
:
1. What is the maximum repetitive reverse voltage (VRRM) of the JAN1N5290-1 semiconductor?
The maximum repetitive reverse voltage (VRRM) of the JAN1N5290-1 semiconductor is 200 volts.
2. What is the average forward current (IF(AV)) rating for the JAN1N5290-1 semiconductor?
The average forward current (IF(AV)) rating for the JAN1N5290-1 semiconductor is 3 amperes.
3. What is the peak forward surge current (IFSM) specification for the JAN1N5290-1 semiconductor?
The peak forward surge current (IFSM) specification for the JAN1N5290-1 semiconductor is 50 amperes.
4. Can the JAN1N5290-1 semiconductor handle high temperature environments?
Yes, the JAN1N5290-1 semiconductor is designed to operate effectively in high temperature environments.
5. What is the typical junction capacitance (CJ) of the JAN1N5290-1 semiconductor?
The typical junction capacitance (CJ) of the JAN1N5290-1 semiconductor is 15 picofarads.
6. Is the JAN1N5290-1 semiconductor suitable for fast switching applications?
Yes, the JAN1N5290-1 semiconductor is suitable for fast switching applications due to its low reverse recovery time.
7. What is the maximum forward voltage drop (VF) of the JAN1N5290-1 semiconductor at a specified current?
The maximum forward voltage drop (VF) of the JAN1N5290-1 semiconductor at 3 amperes is 1.1 volts.
8. Does the JAN1N5290-1 semiconductor have a high surge capability?
Yes, the JAN1N5290-1 semiconductor has a high surge capability, making it suitable for demanding applications.
9. What is the storage temperature range for the JAN1N5290-1 semiconductor?
The storage temperature range for the JAN1N5290-1 semiconductor is -65°C to +175°C.
10. Is the JAN1N5290-1 semiconductor RoHS compliant?
Yes, the JAN1N5290-1 semiconductor is RoHS compliant, meeting environmental standards for hazardous substances.
The maximum repetitive reverse voltage (VRRM) of the JAN1N5290-1 semiconductor is 200 volts.
2. What is the average forward current (IF(AV)) rating for the JAN1N5290-1 semiconductor?
The average forward current (IF(AV)) rating for the JAN1N5290-1 semiconductor is 3 amperes.
3. What is the peak forward surge current (IFSM) specification for the JAN1N5290-1 semiconductor?
The peak forward surge current (IFSM) specification for the JAN1N5290-1 semiconductor is 50 amperes.
4. Can the JAN1N5290-1 semiconductor handle high temperature environments?
Yes, the JAN1N5290-1 semiconductor is designed to operate effectively in high temperature environments.
5. What is the typical junction capacitance (CJ) of the JAN1N5290-1 semiconductor?
The typical junction capacitance (CJ) of the JAN1N5290-1 semiconductor is 15 picofarads.
6. Is the JAN1N5290-1 semiconductor suitable for fast switching applications?
Yes, the JAN1N5290-1 semiconductor is suitable for fast switching applications due to its low reverse recovery time.
7. What is the maximum forward voltage drop (VF) of the JAN1N5290-1 semiconductor at a specified current?
The maximum forward voltage drop (VF) of the JAN1N5290-1 semiconductor at 3 amperes is 1.1 volts.
8. Does the JAN1N5290-1 semiconductor have a high surge capability?
Yes, the JAN1N5290-1 semiconductor has a high surge capability, making it suitable for demanding applications.
9. What is the storage temperature range for the JAN1N5290-1 semiconductor?
The storage temperature range for the JAN1N5290-1 semiconductor is -65°C to +175°C.
10. Is the JAN1N5290-1 semiconductor RoHS compliant?
Yes, the JAN1N5290-1 semiconductor is RoHS compliant, meeting environmental standards for hazardous substances.
JAN1N5290-1 Связанные ключевые слова
:
JAN1N5290-1 Цена
JAN1N5290-1 Картина
JAN1N5290-1 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"JAN1"
series
products