MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B Micron Technology Inc. TLC 768G 96GX8 VBGA DDP
Интегральные схемы (ИС)
Номер производителя:
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
TLC 768G 96GX8 VBGA DDP
Состояние RoHs:
Таблицы данных:
Access Time :
Clock Frequency :
Memory Format :
Memory Interface :
Memory Size :
Memory Type :
Mounting Type :
Operating Temperature :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Series :
Supplier Device Package :
Technology :
Voltage - Supply :
Write Cycle Time - Word, Page :
в наличии
39,137
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B. Нажмите, чтобы получить предложение
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B Особенности
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти.
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B Подробная информация о продукции
:
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Micron Technology Inc..
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B (PDF), цена MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B, Распиновка MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B, руководство MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B и решение на замену MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B.
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B (PDF), цена MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B, Распиновка MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B, руководство MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B и решение на замену MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B.
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B FAQ
:
1. What is the maximum capacity of the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory?
The MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory has a maximum capacity of 768 gigabits.
2. What interface does the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory use for data transfer?
The MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory uses a standard ONFI 4.0 synchronous interface for data transfer.
3. What is the operating voltage range of the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory?
The operating voltage range of the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory is 2.7V to 3.6V.
4. Can the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory withstand industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory is designed to operate reliably within industrial temperature ranges.
5. What are the typical read and program latencies of the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory?
The typical read latency of the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory is 25 microseconds, while the typical program latency is 2000 microseconds.
6. Does the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory support hardware-based data protection features?
Yes, the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory supports hardware-based ECC (Error Correction Code) and other data protection features.
7. What is the maximum clock frequency supported by the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory?
The MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory supports a maximum clock frequency of 200MHz.
8. Can the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory is qualified for automotive applications and meets AEC-Q100 requirements.
9. What is the typical power consumption of the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory during operation?
The typical power consumption of the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory during operation is 60mA (maximum).
10. Does the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory support advanced wear-leveling algorithms?
Yes, the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory supports advanced wear-leveling algorithms to ensure uniform usage of memory cells.
The MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory has a maximum capacity of 768 gigabits.
2. What interface does the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory use for data transfer?
The MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory uses a standard ONFI 4.0 synchronous interface for data transfer.
3. What is the operating voltage range of the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory?
The operating voltage range of the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory is 2.7V to 3.6V.
4. Can the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory withstand industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory is designed to operate reliably within industrial temperature ranges.
5. What are the typical read and program latencies of the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory?
The typical read latency of the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory is 25 microseconds, while the typical program latency is 2000 microseconds.
6. Does the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory support hardware-based data protection features?
Yes, the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory supports hardware-based ECC (Error Correction Code) and other data protection features.
7. What is the maximum clock frequency supported by the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory?
The MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory supports a maximum clock frequency of 200MHz.
8. Can the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory be used in automotive applications?
Yes, the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory is qualified for automotive applications and meets AEC-Q100 requirements.
9. What is the typical power consumption of the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory during operation?
The typical power consumption of the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory during operation is 60mA (maximum).
10. Does the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory support advanced wear-leveling algorithms?
Yes, the MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B NAND flash memory supports advanced wear-leveling algorithms to ensure uniform usage of memory cells.
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B Связанные ключевые слова
:
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B Цена
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B Картина
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"MT29"
series
products