MT29F3T08EUHBBM4-3R:B Micron Technology Inc. TLC 3T 384GX8 LBGA 8DP
Интегральные схемы (ИС)
Номер производителя:
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
TLC 3T 384GX8 LBGA 8DP
Состояние RoHs:
Таблицы данных:
Access Time :
Clock Frequency :
Memory Format :
Memory Interface :
Memory Size :
Memory Type :
Mounting Type :
Operating Temperature :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Series :
Supplier Device Package :
Technology :
Voltage - Supply :
Write Cycle Time - Word, Page :
в наличии
14,153
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT29F3T08EUHBBM4-3R:B более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc MT29F3T08EUHBBM4-3R:B. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на MT29F3T08EUHBBM4-3R:B. Нажмите, чтобы получить предложение
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B Особенности
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти.
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B Подробная информация о продукции
:
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Micron Technology Inc..
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F3T08EUHBBM4-3R:B (PDF), цена MT29F3T08EUHBBM4-3R:B, Распиновка MT29F3T08EUHBBM4-3R:B, руководство MT29F3T08EUHBBM4-3R:B и решение на замену MT29F3T08EUHBBM4-3R:B.
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F3T08EUHBBM4-3R:B (PDF), цена MT29F3T08EUHBBM4-3R:B, Распиновка MT29F3T08EUHBBM4-3R:B, руководство MT29F3T08EUHBBM4-3R:B и решение на замену MT29F3T08EUHBBM4-3R:B.
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory?
The maximum operating temperature for the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory is 85°C.
2. What is the typical power consumption of the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory during read operations is 50mA.
3. Can the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory be operated at voltages lower than 3.3V?
No, the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory should not be operated at voltages lower than 3.3V.
4. What is the maximum clock frequency supported by the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory?
The maximum clock frequency supported by the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory is 50MHz.
5. Does the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory supports hardware data protection features.
6. What are the available package options for the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory?
The MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory is available in a 48-ball BGA package.
7. Is the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory compatible with industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory is compatible with industrial temperature ranges.
8. What is the maximum program/erase cycle endurance of the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory?
The MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory has a maximum program/erase cycle endurance of 3000 cycles.
9. Can the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory operate in both synchronous and asynchronous modes?
Yes, the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory can operate in both synchronous and asynchronous modes.
10. What is the typical data retention period of the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory?
The typical data retention period of the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory is 10 years.
The maximum operating temperature for the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory is 85°C.
2. What is the typical power consumption of the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory during read operations?
The typical power consumption of the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory during read operations is 50mA.
3. Can the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory be operated at voltages lower than 3.3V?
No, the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory should not be operated at voltages lower than 3.3V.
4. What is the maximum clock frequency supported by the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory?
The maximum clock frequency supported by the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory is 50MHz.
5. Does the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory support hardware data protection features?
Yes, the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory supports hardware data protection features.
6. What are the available package options for the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory?
The MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory is available in a 48-ball BGA package.
7. Is the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory compatible with industrial temperature ranges?
Yes, the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory is compatible with industrial temperature ranges.
8. What is the maximum program/erase cycle endurance of the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory?
The MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory has a maximum program/erase cycle endurance of 3000 cycles.
9. Can the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory operate in both synchronous and asynchronous modes?
Yes, the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory can operate in both synchronous and asynchronous modes.
10. What is the typical data retention period of the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory?
The typical data retention period of the MT29F3T08EUHBBM4-3R:B NAND flash memory is 10 years.
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B Связанные ключевые слова
:
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B Цена
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B Картина
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"MT29"
series
products