MT29F256G08EFEBBWP:B Micron Technology Inc. IC FLASH 256GBIT 48TSOP
Интегральные схемы (ИС)
Номер производителя:
MT29F256G08EFEBBWP:B
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
IC FLASH 256GBIT 48TSOP
Состояние RoHs:

Таблицы данных:
Access Time :
Clock Frequency :
Memory Format :
Memory Interface :
Memory Size :
Memory Type :
Mounting Type :
Operating Temperature :
Package / Case :
Packaging :
Part Status :
Series :
Supplier Device Package :
Technology :
Voltage - Supply :
Write Cycle Time - Word, Page :
в наличии
26,228
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
MT29F256G08EFEBBWP:B Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить MT29F256G08EFEBBWP:B более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc MT29F256G08EFEBBWP:B. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на MT29F256G08EFEBBWP:B. Нажмите, чтобы получить предложение
MT29F256G08EFEBBWP:B Особенности
MT29F256G08EFEBBWP:B is produced by Micron Technology Inc., belongs to объем памяти.
MT29F256G08EFEBBWP:B Подробная информация о продукции
:
MT29F256G08EFEBBWP:B — это объем памяти, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Micron Technology Inc..
MT29F256G08EFEBBWP:B производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F256G08EFEBBWP:B компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F256G08EFEBBWP:B (PDF), цена MT29F256G08EFEBBWP:B, Распиновка MT29F256G08EFEBBWP:B, руководство MT29F256G08EFEBBWP:B и решение на замену MT29F256G08EFEBBWP:B.
MT29F256G08EFEBBWP:B производства Micron Technology Inc. можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
MT29F256G08EFEBBWP:B компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных MT29F256G08EFEBBWP:B (PDF), цена MT29F256G08EFEBBWP:B, Распиновка MT29F256G08EFEBBWP:B, руководство MT29F256G08EFEBBWP:B и решение на замену MT29F256G08EFEBBWP:B.
MT29F256G08EFEBBWP:B FAQ
:
1. What is the maximum operating temperature for MT29F256G08EFEBBWP:B?
The maximum operating temperature for MT29F256G08EFEBBWP:B is 85°C.
2. What is the typical power consumption of MT29F256G08EFEBBWP:B during read operations?
During read operations, MT29F256G08EFEBBWP:B typically consumes 200mA of power.
3. Can MT29F256G08EFEBBWP:B withstand electrostatic discharge (ESD)?
Yes, MT29F256G08EFEBBWP:B can withstand electrostatic discharge (ESD) up to 2000V.
4. What is the data retention period for MT29F256G08EFEBBWP:B?
MT29F256G08EFEBBWP:B has a data retention period of 10 years.
5. Does MT29F256G08EFEBBWP:B support hardware data protection features?
Yes, MT29F256G08EFEBBWP:B supports hardware data protection features such as block lock and OTP (One-Time Programmable) area.
6. What are the recommended voltage levels for interfacing with MT29F256G08EFEBBWP:B?
The recommended voltage levels for interfacing with MT29F256G08EFEBBWP:B are 1.8V and 3.3V.
7. Is MT29F256G08EFEBBWP:B compatible with standard NAND flash interfaces?
Yes, MT29F256G08EFEBBWP:B is compatible with standard NAND flash interfaces such as ONFI (Open NAND Flash Interface).
8. What is the typical erase time for MT29F256G08EFEBBWP:B?
The typical erase time for MT29F256G08EFEBBWP:B is 2ms.
9. Can MT29F256G08EFEBBWP:B operate in industrial temperature range?
Yes, MT29F256G08EFEBBWP:B can operate in the industrial temperature range of -40°C to 85°C.
10. Does MT29F256G08EFEBBWP:B support bad block management?
Yes, MT29F256G08EFEBBWP:B supports built-in bad block management for efficient memory utilization.
The maximum operating temperature for MT29F256G08EFEBBWP:B is 85°C.
2. What is the typical power consumption of MT29F256G08EFEBBWP:B during read operations?
During read operations, MT29F256G08EFEBBWP:B typically consumes 200mA of power.
3. Can MT29F256G08EFEBBWP:B withstand electrostatic discharge (ESD)?
Yes, MT29F256G08EFEBBWP:B can withstand electrostatic discharge (ESD) up to 2000V.
4. What is the data retention period for MT29F256G08EFEBBWP:B?
MT29F256G08EFEBBWP:B has a data retention period of 10 years.
5. Does MT29F256G08EFEBBWP:B support hardware data protection features?
Yes, MT29F256G08EFEBBWP:B supports hardware data protection features such as block lock and OTP (One-Time Programmable) area.
6. What are the recommended voltage levels for interfacing with MT29F256G08EFEBBWP:B?
The recommended voltage levels for interfacing with MT29F256G08EFEBBWP:B are 1.8V and 3.3V.
7. Is MT29F256G08EFEBBWP:B compatible with standard NAND flash interfaces?
Yes, MT29F256G08EFEBBWP:B is compatible with standard NAND flash interfaces such as ONFI (Open NAND Flash Interface).
8. What is the typical erase time for MT29F256G08EFEBBWP:B?
The typical erase time for MT29F256G08EFEBBWP:B is 2ms.
9. Can MT29F256G08EFEBBWP:B operate in industrial temperature range?
Yes, MT29F256G08EFEBBWP:B can operate in the industrial temperature range of -40°C to 85°C.
10. Does MT29F256G08EFEBBWP:B support bad block management?
Yes, MT29F256G08EFEBBWP:B supports built-in bad block management for efficient memory utilization.
MT29F256G08EFEBBWP:B Связанные ключевые слова
:
MT29F256G08EFEBBWP:B Цена
MT29F256G08EFEBBWP:B Картина
MT29F256G08EFEBBWP:B Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"MT29"
series
products