SMBTA06UPNE6327HTSA1 Infineon Technologies TRANS NPN/PNP 80V 0.5A SC-74
Дискретные полупроводниковые приборы SC-74, SOT-457
Номер производителя:
SMBTA06UPNE6327HTSA1
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
TRANS NPN/PNP 80V 0.5A SC-74
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
SMBTA06UPNE6327HTSA1 Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
500mA
Current - Collector Cutoff (Max) :
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition :
100MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
150°C (TJ)
Package / Case :
SC-74, SOT-457
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Last Time Buy
Power - Max :
330mW
Series :
-
Supplier Device Package :
PG-SC74-6
Transistor Type :
NPN, PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
80V
в наличии
49,139
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
SMBTA06UPNE6327HTSA1 Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить SMBTA06UPNE6327HTSA1 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc SMBTA06UPNE6327HTSA1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на SMBTA06UPNE6327HTSA1. Нажмите, чтобы получить предложение
SMBTA06UPNE6327HTSA1 Особенности
SMBTA06UPNE6327HTSA1 is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, and its best working temperature is 150°C (TJ), the size is SC-74, SOT-457, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using PG-SC74-6.
SMBTA06UPNE6327HTSA1 Подробная информация о продукции
:
SMBTA06UPNE6327HTSA1 — это Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Infineon Technologies.
SMBTA06UPNE6327HTSA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
SMBTA06UPNE6327HTSA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных SMBTA06UPNE6327HTSA1 (PDF), цена SMBTA06UPNE6327HTSA1, Распиновка SMBTA06UPNE6327HTSA1, руководство SMBTA06UPNE6327HTSA1 и решение на замену SMBTA06UPNE6327HTSA1.
SMBTA06UPNE6327HTSA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
SMBTA06UPNE6327HTSA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных SMBTA06UPNE6327HTSA1 (PDF), цена SMBTA06UPNE6327HTSA1, Распиновка SMBTA06UPNE6327HTSA1, руководство SMBTA06UPNE6327HTSA1 и решение на замену SMBTA06UPNE6327HTSA1.
SMBTA06UPNE6327HTSA1 FAQ
:
1. What is the maximum collector current (IC) for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor?
The maximum collector current (IC) for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor is 0.5A.
2. What is the maximum power dissipation (PD) for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor?
The maximum power dissipation (PD) for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor is 625mW.
3. What is the maximum collector-emitter voltage (VCEO) for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor?
The maximum collector-emitter voltage (VCEO) for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor is 80V.
4. What is the hFE (DC current gain) range for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor?
The hFE (DC current gain) range for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor is 120-400.
5. What is the storage temperature range for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor?
The storage temperature range for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor is -55°C to +150°C.
6. What is the thermal resistance junction to ambient (RthJA) for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor?
The thermal resistance junction to ambient (RthJA) for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor is 357°C/W.
7. What is the package type for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor?
The package type for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor is SOT-23.
8. What is the maximum junction temperature (Tj) for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor?
The maximum junction temperature (Tj) for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor is 150°C.
9. What is the base-emitter voltage (VBE) for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor?
The base-emitter voltage (VBE) for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor is 5V.
10. What is the transition frequency (fT) for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor?
The transition frequency (fT) for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor is 100MHz.
The maximum collector current (IC) for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor is 0.5A.
2. What is the maximum power dissipation (PD) for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor?
The maximum power dissipation (PD) for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor is 625mW.
3. What is the maximum collector-emitter voltage (VCEO) for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor?
The maximum collector-emitter voltage (VCEO) for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor is 80V.
4. What is the hFE (DC current gain) range for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor?
The hFE (DC current gain) range for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor is 120-400.
5. What is the storage temperature range for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor?
The storage temperature range for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor is -55°C to +150°C.
6. What is the thermal resistance junction to ambient (RthJA) for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor?
The thermal resistance junction to ambient (RthJA) for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor is 357°C/W.
7. What is the package type for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor?
The package type for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor is SOT-23.
8. What is the maximum junction temperature (Tj) for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor?
The maximum junction temperature (Tj) for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor is 150°C.
9. What is the base-emitter voltage (VBE) for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor?
The base-emitter voltage (VBE) for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor is 5V.
10. What is the transition frequency (fT) for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor?
The transition frequency (fT) for the SMBTA06UPNE6327HTSA1 transistor is 100MHz.
SMBTA06UPNE6327HTSA1 Связанные ключевые слова
:
SMBTA06UPNE6327HTSA1 Цена
SMBTA06UPNE6327HTSA1 Картина
SMBTA06UPNE6327HTSA1 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"SMBT"
series
products
