SMBT3906SE6327HTSA1 Infineon Technologies TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363
Дискретные полупроводниковые приборы 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Номер производителя:
SMBT3906SE6327HTSA1
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
SMBT3906SE6327HTSA1 Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
200mA
Current - Collector Cutoff (Max) :
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition :
250MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
150°C (TJ)
Package / Case :
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Obsolete
Power - Max :
330mW
Series :
-
Supplier Device Package :
PG-SOT363-6
Transistor Type :
2 PNP (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
40V
в наличии
41,407
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
SMBT3906SE6327HTSA1 Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить SMBT3906SE6327HTSA1 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc SMBT3906SE6327HTSA1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на SMBT3906SE6327HTSA1. Нажмите, чтобы получить предложение
SMBT3906SE6327HTSA1 Особенности
SMBT3906SE6327HTSA1 is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, and its best working temperature is 150°C (TJ), the size is 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using PG-SOT363-6.
SMBT3906SE6327HTSA1 Подробная информация о продукции
:
SMBT3906SE6327HTSA1 — это Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Infineon Technologies.
SMBT3906SE6327HTSA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
SMBT3906SE6327HTSA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных SMBT3906SE6327HTSA1 (PDF), цена SMBT3906SE6327HTSA1, Распиновка SMBT3906SE6327HTSA1, руководство SMBT3906SE6327HTSA1 и решение на замену SMBT3906SE6327HTSA1.
SMBT3906SE6327HTSA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
SMBT3906SE6327HTSA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных SMBT3906SE6327HTSA1 (PDF), цена SMBT3906SE6327HTSA1, Распиновка SMBT3906SE6327HTSA1, руководство SMBT3906SE6327HTSA1 и решение на замену SMBT3906SE6327HTSA1.
SMBT3906SE6327HTSA1 FAQ
:
1. What is the maximum collector current (Ic) rating for the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor?
The maximum collector current (Ic) rating for the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor is 200 mA.
2. What is the typical collector-emitter saturation voltage (Vce(sat)) for the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor at a collector current of 10 mA?
The typical collector-emitter saturation voltage (Vce(sat)) for the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor at a collector current of 10 mA is 0.25 V.
3. What is the power dissipation (Ptot) of the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor?
The power dissipation (Ptot) of the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor is 300 mW.
4. What is the maximum base-emitter voltage (Vbe) for the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor?
The maximum base-emitter voltage (Vbe) for the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor is 5 V.
5. What is the transition frequency (ft) of the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor?
The transition frequency (ft) of the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor is 250 MHz.
6. What is the maximum operating temperature (Tj) for the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor?
The maximum operating temperature (Tj) for the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor is 150°C.
7. What is the hfe (DC current gain) of the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor at a collector current of 100 mA?
The hfe (DC current gain) of the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor at a collector current of 100 mA is typically 250.
8. What is the storage temperature range for the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor?
The storage temperature range for the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor is -65°C to 150°C.
9. What is the thermal resistance junction to ambient (RthJA) for the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor in a SOT23 package?
The thermal resistance junction to ambient (RthJA) for the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor in a SOT23 package is 625°C/W.
10. What is the packaging type for the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor?
The packaging type for the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor is SOT23.
The maximum collector current (Ic) rating for the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor is 200 mA.
2. What is the typical collector-emitter saturation voltage (Vce(sat)) for the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor at a collector current of 10 mA?
The typical collector-emitter saturation voltage (Vce(sat)) for the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor at a collector current of 10 mA is 0.25 V.
3. What is the power dissipation (Ptot) of the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor?
The power dissipation (Ptot) of the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor is 300 mW.
4. What is the maximum base-emitter voltage (Vbe) for the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor?
The maximum base-emitter voltage (Vbe) for the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor is 5 V.
5. What is the transition frequency (ft) of the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor?
The transition frequency (ft) of the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor is 250 MHz.
6. What is the maximum operating temperature (Tj) for the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor?
The maximum operating temperature (Tj) for the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor is 150°C.
7. What is the hfe (DC current gain) of the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor at a collector current of 100 mA?
The hfe (DC current gain) of the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor at a collector current of 100 mA is typically 250.
8. What is the storage temperature range for the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor?
The storage temperature range for the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor is -65°C to 150°C.
9. What is the thermal resistance junction to ambient (RthJA) for the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor in a SOT23 package?
The thermal resistance junction to ambient (RthJA) for the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor in a SOT23 package is 625°C/W.
10. What is the packaging type for the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor?
The packaging type for the SMBT3906SE6327HTSA1 transistor is SOT23.
SMBT3906SE6327HTSA1 Связанные ключевые слова
:
SMBT3906SE6327HTSA1 Цена
SMBT3906SE6327HTSA1 Картина
SMBT3906SE6327HTSA1 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"SMBT"
series
products
