+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: mlccchips@gmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
  5. SMBT3904UPNE6327HTSA1 Infineon Technologies TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC74-6
SMBT3904UPNE6327HTSA1 Infineon Technologies TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC74-6
SMBT3904UPNE6327HTSA1 Infineon Technologies TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC74-6

SMBT3904UPNE6327HTSA1 Infineon Technologies TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC74-6

Дискретные полупроводниковые приборы     SC-74, SOT-457
Номер производителя:
SMBT3904UPNE6327HTSA1
Производитель:
Infineon Technologies
Категория продукции:
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
Описание:
TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC74-6
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
SMBT3904UPNE6327HTSA1 Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
200mA
Current - Collector Cutoff (Max) :
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition :
250MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
150°C (TJ)
Package / Case :
SC-74, SOT-457
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Last Time Buy
Power - Max :
330mW
Series :
-
Supplier Device Package :
PG-SC74-6
Transistor Type :
NPN, PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
40V
в наличии
25,648
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

SMBT3904UPNE6327HTSA1 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить SMBT3904UPNE6327HTSA1 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc SMBT3904UPNE6327HTSA1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на SMBT3904UPNE6327HTSA1. Нажмите, чтобы получить предложение
 

SMBT3904UPNE6327HTSA1 Особенности

SMBT3904UPNE6327HTSA1 is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, and its best working temperature is 150°C (TJ), the size is SC-74, SOT-457, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using PG-SC74-6.
  

SMBT3904UPNE6327HTSA1 Подробная информация о продукции

:
SMBT3904UPNE6327HTSA1 — это Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
SMBT3904UPNE6327HTSA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
SMBT3904UPNE6327HTSA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных SMBT3904UPNE6327HTSA1 (PDF), цена SMBT3904UPNE6327HTSA1, Распиновка SMBT3904UPNE6327HTSA1, руководство SMBT3904UPNE6327HTSA1 и решение на замену SMBT3904UPNE6327HTSA1.
  

SMBT3904UPNE6327HTSA1 FAQ

:
1. What is the maximum collector current (Ic) rating for the SMBT3904UPNE6327HTSA1 transistor?
The maximum collector current (Ic) rating for the SMBT3904UPNE6327HTSA1 transistor is 200mA.

2. What is the typical collector-emitter voltage (Vce) for the SMBT3904UPNE6327HTSA1 transistor?
The typical collector-emitter voltage (Vce) for the SMBT3904UPNE6327HTSA1 transistor is 40V.

3. What is the power dissipation (Pd) of the SMBT3904UPNE6327HTSA1 transistor?
The power dissipation (Pd) of the SMBT3904UPNE6327HTSA1 transistor is 350mW.

4. Can the SMBT3904UPNE6327HTSA1 transistor be used for high-speed switching applications?
Yes, the SMBT3904UPNE6327HTSA1 transistor can be used for high-speed switching applications.

5. What is the maximum junction temperature (Tj) for the SMBT3904UPNE6327HTSA1 transistor?
The maximum junction temperature (Tj) for the SMBT3904UPNE6327HTSA1 transistor is 150°C.

6. Is the SMBT3904UPNE6327HTSA1 transistor RoHS compliant?
Yes, the SMBT3904UPNE6327HTSA1 transistor is RoHS compliant.

7. What is the hFE (DC current gain) range for the SMBT3904UPNE6327HTSA1 transistor?
The hFE (DC current gain) range for the SMBT3904UPNE6327HTSA1 transistor is 100-300.

8. Does the SMBT3904UPNE6327HTSA1 transistor have a low noise figure?
Yes, the SMBT3904UPNE6327HTSA1 transistor has a low noise figure.

9. What is the storage temperature range for the SMBT3904UPNE6327HTSA1 transistor?
The storage temperature range for the SMBT3904UPNE6327HTSA1 transistor is -55°C to 150°C.

10. Is the SMBT3904UPNE6327HTSA1 transistor suitable for general amplification purposes?
Yes, the SMBT3904UPNE6327HTSA1 transistor is suitable for general amplification purposes.
  

SMBT3904UPNE6327HTSA1 Связанные ключевые слова

:
SMBT3904UPNE6327HTSA1 Цена
SMBT3904UPNE6327HTSA1 Техническая спецификация
SMBT3904UPNE6327HTSA1 Картина
SMBT3904UPNE6327HTSA1 PDF
SMBT3904UPNE6327HTSA1 Технические характеристики
SMBT3904UPNE6327HTSA1 Напряжение на выводе
SMBT3904UPNE6327HTSA1 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：mlccchips@gmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "SMBT" series products