IRLI2910PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP

Дискретные полупроводниковые приборы TO-220-3 Full Pack

Номер производителя:

IRLI2910PBF

Производитель:

Infineon Technologies

Категория продукции:

Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

Описание:

MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP

Состояние RoHs:

Без свинца / в соответствии с RoHS

Таблицы данных:

IRLI2910PBF Таблицы данных(PDF)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :

31A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss) :

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :

4V, 10V

FET Feature :

FET Type :

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

140nC @ 5V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :

3700pF @ 25V

Mounting Type :

Through Hole

Operating Temperature :

-55°C ~ 175°C (TJ)

Package / Case :

TO-220-3 Full Pack

Packaging :

Tube

Part Status :

Active

Power Dissipation (Max) :

63W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

26 mOhm @ 16A, 10V

Series :

HEXFET®

Supplier Device Package :

TO-220AB Full-Pak

Technology :

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max) :

±16V

Vgs(th) (Max) @ Id :

2V @ 250µA

в наличии

59,691

Unit Price:

Свяжитесь с нами Предложение

IRLI2910PBF Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IRLI2910PBF более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc IRLI2910PBF. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на IRLI2910PBF. Нажмите, чтобы получить предложение

IRLI2910PBF Особенности

IRLI2910PBF is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, and its best working temperature is -55°C ~ 175°C (TJ), the size is TO-220-3 Full Pack, and Tube is its most common packaging method, which belongs to the HEXFET® series, using TO-220AB Full-Pak.

IRLI2910PBF Подробная информация о продукции

IRLI2910PBF — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
IRLI2910PBF производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRLI2910PBF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRLI2910PBF (PDF), цена IRLI2910PBF, Распиновка IRLI2910PBF, руководство IRLI2910PBF и решение на замену IRLI2910PBF.

IRLI2910PBF FAQ

1. What is the maximum drain-source voltage (Vds) for the IRLI2910PBF MOSFET?
The maximum drain-source voltage (Vds) for the IRLI2910PBF MOSFET is 100 volts.

2. What is the continuous drain current (Id) rating of the IRLI2910PBF MOSFET?
The continuous drain current (Id) rating of the IRLI2910PBF MOSFET is 42 amperes.

3. What is the on-state resistance (Rds(on)) of the IRLI2910PBF MOSFET at a specified gate-source voltage and drain current?
The on-state resistance (Rds(on)) of the IRLI2910PBF MOSFET is typically 23 milliohms at a gate-source voltage of 10 volts and a drain current of 20 amperes.

4. Can the IRLI2910PBF MOSFET be used in automotive applications?
Yes, the IRLI2910PBF MOSFET is suitable for use in automotive applications.

5. What is the operating temperature range of the IRLI2910PBF MOSFET?
The operating temperature range of the IRLI2910PBF MOSFET is -55°C to 175°C.

6. Does the IRLI2910PBF MOSFET have built-in ESD protection?
Yes, the IRLI2910PBF MOSFET features built-in ESD protection.

7. What is the gate-source voltage (Vgs) required to fully enhance the IRLI2910PBF MOSFET?
The gate-source voltage (Vgs) required to fully enhance the IRLI2910PBF MOSFET is typically 10 volts.

8. Is the IRLI2910PBF MOSFET RoHS compliant?
Yes, the IRLI2910PBF MOSFET is RoHS compliant.

9. What is the typical input capacitance (Ciss) of the IRLI2910PBF MOSFET?
The typical input capacitance (Ciss) of the IRLI2910PBF MOSFET is 3100 picofarads.

10. Can the IRLI2910PBF MOSFET be used in high-frequency switching applications?
Yes, the IRLI2910PBF MOSFET is suitable for use in high-frequency switching applications.

IRLI2910PBF Связанные ключевые слова

IRLI2910PBF Цена

IRLI2910PBF Техническая спецификация

IRLI2910PBF Картина

IRLI2910PBF PDF

IRLI2910PBF Технические характеристики

IRLI2910PBF Напряжение на выводе

IRLI2910PBF Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com
Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

Contains "IRLI" series products

IRLI2203N

MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP
IRLI2203N

MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP
IRLI2203NPBF

MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP
IRLI2203NPBF

MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP
IRLI2203NPBF

MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP
IRLI2505

MOSFET N-CH 55V 58A TO220FP
IRLI2505

MOSFET N-CH 55V 58A TO220FP
IRLI2505

MOSFET N-CH 55V 58A TO220FP
IRLI2910

MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP
IRLI2910

MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP