+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы
  5. IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN

IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN

Дискретные полупроводниковые приборы     6-VDFN Exposed Pad
Номер производителя:
IRLHS6376TRPBF
Производитель:
Infineon Technologies
Категория продукции:
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
IRLHS6376TRPBF Таблицы данных(PDF)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
3.6A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
FET Feature :
Logic Level Gate
FET Type :
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
2.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
270pF @ 25V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
6-VDFN Exposed Pad
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Power - Max :
1.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
63 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Series :
HEXFET®
Supplier Device Package :
6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id :
1.1V @ 10µA
в наличии
19,174
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

IRLHS6376TRPBF Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IRLHS6376TRPBF более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc IRLHS6376TRPBF. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на IRLHS6376TRPBF. Нажмите, чтобы получить предложение
 

IRLHS6376TRPBF Особенности

IRLHS6376TRPBF is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, and its best working temperature is -55°C ~ 150°C (TJ), the size is 6-VDFN Exposed Pad, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the HEXFET® series, using 6-PQFN (2x2).
  

IRLHS6376TRPBF Подробная информация о продукции

:
IRLHS6376TRPBF — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
IRLHS6376TRPBF производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRLHS6376TRPBF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRLHS6376TRPBF (PDF), цена IRLHS6376TRPBF, Распиновка IRLHS6376TRPBF, руководство IRLHS6376TRPBF и решение на замену IRLHS6376TRPBF.
  

IRLHS6376TRPBF FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage of the IRLHS6376TRPBF MOSFET?
The maximum drain-source voltage of the IRLHS6376TRPBF MOSFET is 30 volts.

2. What is the continuous drain current rating of the IRLHS6376TRPBF MOSFET?
The continuous drain current rating of the IRLHS6376TRPBF MOSFET is 160 amperes.

3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the IRLHS6376TRPBF MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) of the IRLHS6376TRPBF MOSFET is 0.0018 ohms.

4. What is the gate threshold voltage of the IRLHS6376TRPBF MOSFET?
The gate threshold voltage of the IRLHS6376TRPBF MOSFET is 1.5 volts.

5. What is the total power dissipation of the IRLHS6376TRPBF MOSFET?
The total power dissipation of the IRLHS6376TRPBF MOSFET is 375 watts.

6. What is the operating temperature range of the IRLHS6376TRPBF MOSFET?
The operating temperature range of the IRLHS6376TRPBF MOSFET is -55°C to 175°C.

7. What is the input capacitance of the IRLHS6376TRPBF MOSFET?
The input capacitance of the IRLHS6376TRPBF MOSFET is 6800 picofarads.

8. What is the output capacitance of the IRLHS6376TRPBF MOSFET?
The output capacitance of the IRLHS6376TRPBF MOSFET is 320 picofarads.

9. What is the reverse transfer capacitance of the IRLHS6376TRPBF MOSFET?
The reverse transfer capacitance of the IRLHS6376TRPBF MOSFET is 150 picofarads.

10. What is the typical turn-on delay time of the IRLHS6376TRPBF MOSFET?
The typical turn-on delay time of the IRLHS6376TRPBF MOSFET is 11 nanoseconds.
  

IRLHS6376TRPBF Связанные ключевые слова

:
IRLHS6376TRPBF Цена
IRLHS6376TRPBF Техническая спецификация
IRLHS6376TRPBF Картина
IRLHS6376TRPBF PDF
IRLHS6376TRPBF Технические характеристики
IRLHS6376TRPBF Напряжение на выводе
IRLHS6376TRPBF Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "IRLH" series products