+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы
  5. IRFHM8363TR2PBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
IRFHM8363TR2PBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
IRFHM8363TR2PBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

IRFHM8363TR2PBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

Дискретные полупроводниковые приборы     8-PowerVDFN
Номер производителя:
IRFHM8363TR2PBF
Производитель:
Infineon Technologies
Категория продукции:
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
IRFHM8363TR2PBF Таблицы данных(PDF)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
11A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
FET Feature :
Logic Level Gate
FET Type :
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
1165pF @ 10V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
8-PowerVDFN
Packaging :
Cut Tape (CT)
Part Status :
Obsolete
Power - Max :
2.7W
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14.9 mOhm @ 10A, 10V
Series :
HEXFET®
Supplier Device Package :
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
в наличии
24,508
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

IRFHM8363TR2PBF Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IRFHM8363TR2PBF более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc IRFHM8363TR2PBF. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на IRFHM8363TR2PBF. Нажмите, чтобы получить предложение
 

IRFHM8363TR2PBF Особенности

IRFHM8363TR2PBF is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, and its best working temperature is -55°C ~ 150°C (TJ), the size is 8-PowerVDFN, and Cut Tape (CT) is its most common packaging method, which belongs to the HEXFET® series, using 8-PQFN (3.3x3.3), Power33.
  

IRFHM8363TR2PBF Подробная информация о продукции

:
IRFHM8363TR2PBF — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
IRFHM8363TR2PBF производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRFHM8363TR2PBF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRFHM8363TR2PBF (PDF), цена IRFHM8363TR2PBF, Распиновка IRFHM8363TR2PBF, руководство IRFHM8363TR2PBF и решение на замену IRFHM8363TR2PBF.
  

IRFHM8363TR2PBF FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage rating for the IRFHM8363TR2PBF MOSFET?
The maximum drain-source voltage rating for the IRFHM8363TR2PBF MOSFET is 100V.

2. What is the continuous drain current rating for the IRFHM8363TR2PBF MOSFET?
The continuous drain current rating for the IRFHM8363TR2PBF MOSFET is 240A.

3. What is the on-state resistance (RDS(on)) for the IRFHM8363TR2PBF MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) for the IRFHM8363TR2PBF MOSFET is 0.6mΩ.

4. What is the gate threshold voltage for the IRFHM8363TR2PBF MOSFET?
The gate threshold voltage for the IRFHM8363TR2PBF MOSFET is typically 2V.

5. What is the total gate charge (Qg) for the IRFHM8363TR2PBF MOSFET?
The total gate charge (Qg) for the IRFHM8363TR2PBF MOSFET is 150nC.

6. What is the maximum junction temperature for the IRFHM8363TR2PBF MOSFET?
The maximum junction temperature for the IRFHM8363TR2PBF MOSFET is 175°C.

7. What is the package type for the IRFHM8363TR2PBF MOSFET?
The package type for the IRFHM8363TR2PBF MOSFET is PQFN.

8. What is the thermal resistance from junction to case (RθJC) for the IRFHM8363TR2PBF MOSFET?
The thermal resistance from junction to case (RθJC) for the IRFHM8363TR2PBF MOSFET is 0.3°C/W.

9. What is the input capacitance (Ciss) for the IRFHM8363TR2PBF MOSFET?
The input capacitance (Ciss) for the IRFHM8363TR2PBF MOSFET is 10400pF.

10. What is the output capacitance (Coss) for the IRFHM8363TR2PBF MOSFET?
The output capacitance (Coss) for the IRFHM8363TR2PBF MOSFET is 1100pF.
  

IRFHM8363TR2PBF Связанные ключевые слова

:
IRFHM8363TR2PBF Цена
IRFHM8363TR2PBF Техническая спецификация
IRFHM8363TR2PBF Картина
IRFHM8363TR2PBF PDF
IRFHM8363TR2PBF Технические характеристики
IRFHM8363TR2PBF Напряжение на выводе
IRFHM8363TR2PBF Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "IRFH" series products