+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы
  5. IRF9956PBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
IRF9956PBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
IRF9956PBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC

IRF9956PBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC

Дискретные полупроводниковые приборы     8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Номер производителя:
IRF9956PBF
Производитель:
Infineon Technologies
Категория продукции:
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
IRF9956PBF Таблицы данных(PDF)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
3.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
FET Feature :
Logic Level Gate
FET Type :
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
190pF @ 15V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging :
Tube
Part Status :
Discontinued at Digi-Key
Power - Max :
2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 2.2A, 10V
Series :
HEXFET®
Supplier Device Package :
8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
в наличии
47,602
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

IRF9956PBF Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IRF9956PBF более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc IRF9956PBF. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на IRF9956PBF. Нажмите, чтобы получить предложение
 

IRF9956PBF Особенности

IRF9956PBF is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, and its best working temperature is -55°C ~ 150°C (TJ), the size is 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), and Tube is its most common packaging method, which belongs to the HEXFET® series, using 8-SO.
  

IRF9956PBF Подробная информация о продукции

:
IRF9956PBF — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
IRF9956PBF производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRF9956PBF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRF9956PBF (PDF), цена IRF9956PBF, Распиновка IRF9956PBF, руководство IRF9956PBF и решение на замену IRF9956PBF.
  

IRF9956PBF FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage (Vds) of the IRF9956PBF MOSFET?
The maximum drain-source voltage (Vds) of the IRF9956PBF MOSFET is 30 volts.

2. What is the continuous drain current (Id) rating of the IRF9956PBF MOSFET?
The continuous drain current (Id) rating of the IRF9956PBF MOSFET is 209 amperes.

3. What is the on-state resistance (Rds(on)) of the IRF9956PBF MOSFET?
The on-state resistance (Rds(on)) of the IRF9956PBF MOSFET is 1.8 milliohms.

4. What is the maximum power dissipation (Pd) of the IRF9956PBF MOSFET?
The maximum power dissipation (Pd) of the IRF9956PBF MOSFET is 280 watts.

5. What is the gate-source voltage (Vgs) for the IRF9956PBF MOSFET?
The gate-source voltage (Vgs) for the IRF9956PBF MOSFET is ±20 volts.

6. What is the threshold voltage (Vgs(th)) of the IRF9956PBF MOSFET?
The threshold voltage (Vgs(th)) of the IRF9956PBF MOSFET is 2 to 4 volts.

7. What is the input capacitance (Ciss) of the IRF9956PBF MOSFET?
The input capacitance (Ciss) of the IRF9956PBF MOSFET is 5700 picofarads.

8. What is the output capacitance (Coss) of the IRF9956PBF MOSFET?
The output capacitance (Coss) of the IRF9956PBF MOSFET is 470 picofarads.

9. What is the reverse transfer capacitance (Crss) of the IRF9956PBF MOSFET?
The reverse transfer capacitance (Crss) of the IRF9956PBF MOSFET is 180 picofarads.

10. What is the junction temperature (Tj) range for the IRF9956PBF MOSFET?
The junction temperature (Tj) range for the IRF9956PBF MOSFET is -55 to 175 degrees Celsius.
  

IRF9956PBF Связанные ключевые слова

:
IRF9956PBF Цена
IRF9956PBF Техническая спецификация
IRF9956PBF Картина
IRF9956PBF PDF
IRF9956PBF Технические характеристики
IRF9956PBF Напряжение на выводе
IRF9956PBF Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "IRF9" series products