+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы
  5. IRF9952QTRPBF Infineon Technologies MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
IRF9952QTRPBF Infineon Technologies MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
IRF9952QTRPBF Infineon Technologies MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

IRF9952QTRPBF Infineon Technologies MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Дискретные полупроводниковые приборы     8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Номер производителя:
IRF9952QTRPBF
Производитель:
Infineon Technologies
Категория продукции:
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы
Описание:
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
IRF9952QTRPBF Таблицы данных(PDF)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
3.5A, 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
FET Feature :
Logic Level Gate
FET Type :
N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
190pF @ 15V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging :
Cut Tape (CT)
Part Status :
Obsolete
Power - Max :
2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 2.2A, 10V
Series :
HEXFET®
Supplier Device Package :
8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
в наличии
29,322
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

IRF9952QTRPBF Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IRF9952QTRPBF более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc IRF9952QTRPBF. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на IRF9952QTRPBF. Нажмите, чтобы получить предложение
 

IRF9952QTRPBF Особенности

IRF9952QTRPBF is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, and its best working temperature is -55°C ~ 150°C (TJ), the size is 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), and Cut Tape (CT) is its most common packaging method, which belongs to the HEXFET® series, using 8-SO.
  

IRF9952QTRPBF Подробная информация о продукции

:
IRF9952QTRPBF — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
IRF9952QTRPBF производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRF9952QTRPBF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRF9952QTRPBF (PDF), цена IRF9952QTRPBF, Распиновка IRF9952QTRPBF, руководство IRF9952QTRPBF и решение на замену IRF9952QTRPBF.
  

IRF9952QTRPBF FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage (Vds) of the IRF9952QTRPBF MOSFET?
The maximum drain-source voltage (Vds) of the IRF9952QTRPBF MOSFET is 150 volts.

2. What is the continuous drain current (Id) rating of the IRF9952QTRPBF MOSFET?
The continuous drain current (Id) rating of the IRF9952QTRPBF MOSFET is 82 amperes.

3. What is the on-state resistance (Rds(on)) of the IRF9952QTRPBF MOSFET at a specified gate-source voltage?
The on-state resistance (Rds(on)) of the IRF9952QTRPBF MOSFET at a gate-source voltage of 10 volts is typically 4.5 milliohms.

4. Can the IRF9952QTRPBF MOSFET be used in automotive applications?
Yes, the IRF9952QTRPBF MOSFET is suitable for use in automotive applications.

5. What is the operating temperature range of the IRF9952QTRPBF MOSFET?
The operating temperature range of the IRF9952QTRPBF MOSFET is -55°C to 175°C.

6. Does the IRF9952QTRPBF MOSFET have built-in ESD protection?
Yes, the IRF9952QTRPBF MOSFET features built-in ESD protection.

7. What is the gate threshold voltage (Vgs(th)) of the IRF9952QTRPBF MOSFET?
The gate threshold voltage (Vgs(th)) of the IRF9952QTRPBF MOSFET is typically 2.0 volts.

8. Is the IRF9952QTRPBF MOSFET RoHS compliant?
Yes, the IRF9952QTRPBF MOSFET is RoHS compliant.

9. What is the total power dissipation (Pd) of the IRF9952QTRPBF MOSFET?
The total power dissipation (Pd) of the IRF9952QTRPBF MOSFET is 280 watts.

10. Can the IRF9952QTRPBF MOSFET be used in high-frequency switching applications?
Yes, the IRF9952QTRPBF MOSFET is suitable for high-frequency switching applications.
  

IRF9952QTRPBF Связанные ключевые слова

:
IRF9952QTRPBF Цена
IRF9952QTRPBF Техническая спецификация
IRF9952QTRPBF Картина
IRF9952QTRPBF PDF
IRF9952QTRPBF Технические характеристики
IRF9952QTRPBF Напряжение на выводе
IRF9952QTRPBF Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "IRF9" series products