IRF8313TRPBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC

Дискретные полупроводниковые приборы 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Номер производителя:

IRF8313TRPBF

Производитель:

Infineon Technologies

Категория продукции:

Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы

Описание:

MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC

Состояние RoHs:

Без свинца / в соответствии с RoHS

Таблицы данных:

IRF8313TRPBF Таблицы данных(PDF)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :

9.7A

Drain to Source Voltage (Vdss) :

30V

FET Feature :

Logic Level Gate

FET Type :

2 N-Channel (Dual)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

9nC @ 4.5V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :

760pF @ 15V

Mounting Type :

Surface Mount

Operating Temperature :

-55°C ~ 175°C (TJ)

Package / Case :

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Packaging :

Tape & Reel (TR)

Part Status :

Not For New Designs

Power - Max :

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

15.5 mOhm @ 9.7A, 10V

Series :

HEXFET®

Supplier Device Package :

8-SO

Vgs(th) (Max) @ Id :

2.35V @ 25µA

в наличии

18,336

Unit Price:

Свяжитесь с нами Предложение

IRF8313TRPBF Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IRF8313TRPBF более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc IRF8313TRPBF. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на IRF8313TRPBF. Нажмите, чтобы получить предложение

IRF8313TRPBF Особенности

IRF8313TRPBF is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, and its best working temperature is -55°C ~ 175°C (TJ), the size is 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the HEXFET® series, using 8-SO.

IRF8313TRPBF Подробная информация о продукции

IRF8313TRPBF — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
IRF8313TRPBF производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRF8313TRPBF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRF8313TRPBF (PDF), цена IRF8313TRPBF, Распиновка IRF8313TRPBF, руководство IRF8313TRPBF и решение на замену IRF8313TRPBF.

IRF8313TRPBF FAQ

1. What is the maximum drain-source voltage (Vds) for the IRF8313TRPBF MOSFET?
The maximum drain-source voltage (Vds) for the IRF8313TRPBF MOSFET is 30 volts.

2. What is the continuous drain current (Id) rating of the IRF8313TRPBF MOSFET?
The continuous drain current (Id) rating of the IRF8313TRPBF MOSFET is 12 amperes.

3. Can you provide the on-state resistance (Rds(on)) specification for the IRF8313TRPBF MOSFET?
The on-state resistance (Rds(on)) specification for the IRF8313TRPBF MOSFET is typically 9.5 milliohms at Vgs = 10V.

4. What is the gate threshold voltage (Vgs(th)) for the IRF8313TRPBF MOSFET?
The gate threshold voltage (Vgs(th)) for the IRF8313TRPBF MOSFET is specified as 1 to 2 volts.

5. Does the IRF8313TRPBF MOSFET have a low input capacitance?
Yes, the IRF8313TRPBF MOSFET features low input capacitance, which makes it suitable for high-frequency applications.

6. What is the maximum junction temperature (Tj) for the IRF8313TRPBF MOSFET?
The maximum junction temperature (Tj) for the IRF8313TRPBF MOSFET is 175 degrees Celsius.

7. Is the IRF8313TRPBF MOSFET RoHS compliant?
Yes, the IRF8313TRPBF MOSFET is RoHS compliant, meeting the industry's environmental standards.

8. Can the IRF8313TRPBF MOSFET be used in automotive applications?
Yes, the IRF8313TRPBF MOSFET is suitable for automotive applications, offering reliable performance in harsh environments.

9. What package type does the IRF8313TRPBF MOSFET come in?
The IRF8313TRPBF MOSFET is available in a DPAK (TO-252) package, providing ease of mounting and thermal performance.

10. Does the IRF8313TRPBF MOSFET have built-in ESD protection?
Yes, the IRF8313TRPBF MOSFET incorporates built-in ESD protection, enhancing its robustness in handling electrostatic discharge events.

IRF8313TRPBF Связанные ключевые слова

IRF8313TRPBF Цена

IRF8313TRPBF Техническая спецификация

IRF8313TRPBF Картина

IRF8313TRPBF PDF

IRF8313TRPBF Технические характеристики

IRF8313TRPBF Напряжение на выводе

IRF8313TRPBF Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com
Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

Contains "IRF8" series products

IRF830

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220
IRF830

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB
IRF830

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220
IRF830

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB
IRF830

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220
IRF8301MTRPBF

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT
IRF8301MTRPBF

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT
IRF8301MTRPBF

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT
IRF8301MTRPBF

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT
IRF8301MTRPBF

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT