IRF7910TRPBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC

Дискретные полупроводниковые приборы 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Номер производителя:

IRF7910TRPBF

Производитель:

Infineon Technologies

Категория продукции:

Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы

Описание:

MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC

Состояние RoHs:

Без свинца / в соответствии с RoHS

Таблицы данных:

IRF7910TRPBF Таблицы данных(PDF)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :

10A

Drain to Source Voltage (Vdss) :

12V

FET Feature :

Logic Level Gate

FET Type :

2 N-Channel (Dual)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

26nC @ 4.5V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :

1730pF @ 6V

Mounting Type :

Surface Mount

Operating Temperature :

-55°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case :

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Packaging :

Tape & Reel (TR)

Part Status :

Active

Power - Max :

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

15 mOhm @ 8A, 4.5V

Series :

HEXFET®

Supplier Device Package :

8-SO

Vgs(th) (Max) @ Id :

2V @ 250µA

в наличии

26,299

Unit Price:

Свяжитесь с нами Предложение

IRF7910TRPBF Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IRF7910TRPBF более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc IRF7910TRPBF. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на IRF7910TRPBF. Нажмите, чтобы получить предложение

IRF7910TRPBF Особенности

IRF7910TRPBF is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, and its best working temperature is -55°C ~ 150°C (TJ), the size is 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the HEXFET® series, using 8-SO.

IRF7910TRPBF Подробная информация о продукции

IRF7910TRPBF — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
IRF7910TRPBF производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRF7910TRPBF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRF7910TRPBF (PDF), цена IRF7910TRPBF, Распиновка IRF7910TRPBF, руководство IRF7910TRPBF и решение на замену IRF7910TRPBF.

IRF7910TRPBF FAQ

1. What is the maximum drain-source voltage (Vds) for the IRF7910TRPBF power MOSFET?
The maximum drain-source voltage (Vds) for the IRF7910TRPBF power MOSFET is 100V.

2. What is the continuous drain current (Id) rating of the IRF7910TRPBF MOSFET?
The continuous drain current (Id) rating of the IRF7910TRPBF MOSFET is 75A.

3. Can you provide the on-state resistance (Rds(on)) specification for the IRF7910TRPBF MOSFET?
The on-state resistance (Rds(on)) specification for the IRF7910TRPBF MOSFET is typically 4.5mΩ at Vgs=10V.

4. What is the gate-source voltage (Vgs) for turning on the IRF7910TRPBF MOSFET?
The gate-source voltage (Vgs) for turning on the IRF7910TRPBF MOSFET is typically 2.0V.

5. Does the IRF7910TRPBF MOSFET have a specified threshold voltage (Vth)?
Yes, the threshold voltage (Vth) for the IRF7910TRPBF MOSFET is typically 1.0V.

6. What is the maximum junction temperature (Tj) allowed for the IRF7910TRPBF MOSFET?
The maximum junction temperature (Tj) allowed for the IRF7910TRPBF MOSFET is 175°C.

7. Can you provide the total power dissipation (Pd) rating for the IRF7910TRPBF MOSFET?
The total power dissipation (Pd) rating for the IRF7910TRPBF MOSFET is 200W.

8. Is the IRF7910TRPBF MOSFET RoHS compliant?
Yes, the IRF7910TRPBF MOSFET is RoHS compliant.

9. What is the package type and dimensions of the IRF7910TRPBF MOSFET?
The IRF7910TRPBF MOSFET comes in a D2PAK package with dimensions of 10.16mm x 12.70mm.

10. Can you provide information on the gate charge (Qg) specification for the IRF7910TRPBF MOSFET?
The gate charge (Qg) specification for the IRF7910TRPBF MOSFET is typically 60nC.

IRF7910TRPBF Связанные ключевые слова

IRF7910TRPBF Цена

IRF7910TRPBF Техническая спецификация

IRF7910TRPBF Картина

IRF7910TRPBF PDF

IRF7910TRPBF Технические характеристики

IRF7910TRPBF Напряжение на выводе

IRF7910TRPBF Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com
Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

Contains "IRF7" series products

IRF7901D1

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
IRF7901D1TR

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
IRF7901D1TR

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
IRF7901D1TRPBF

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
IRF7901D1TRPBF

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
IRF7901D1TRPBF

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
IRF7901D1TRPBF

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
IRF7901D1TRPBF

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
IRF7901D1TRPBF

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
IRF7902PBF

MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC