IRF7530PBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
Дискретные полупроводниковые приборы 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Номер производителя:
IRF7530PBF
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
IRF7530PBF Таблицы данных(PDF)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
5.4A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
FET Feature :
Standard
FET Type :
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
26nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
1310pF @ 15V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-
Package / Case :
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging :
Tube
Part Status :
Discontinued at Digi-Key
Power - Max :
1.3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
30 mOhm @ 5.4A, 4.5V
Series :
HEXFET®
Supplier Device Package :
Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
в наличии
56,667
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
IRF7530PBF Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IRF7530PBF более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc IRF7530PBF. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на IRF7530PBF. Нажмите, чтобы получить предложение
IRF7530PBF Особенности
IRF7530PBF is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, and its best working temperature is -, the size is 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width), and Tube is its most common packaging method, which belongs to the HEXFET® series, using Micro8™.
IRF7530PBF Подробная информация о продукции
:
IRF7530PBF — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Infineon Technologies.
IRF7530PBF производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRF7530PBF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRF7530PBF (PDF), цена IRF7530PBF, Распиновка IRF7530PBF, руководство IRF7530PBF и решение на замену IRF7530PBF.
IRF7530PBF производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRF7530PBF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRF7530PBF (PDF), цена IRF7530PBF, Распиновка IRF7530PBF, руководство IRF7530PBF и решение на замену IRF7530PBF.
IRF7530PBF FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage (Vds) rating for the IRF7530PBF MOSFET?
The maximum drain-source voltage (Vds) rating for the IRF7530PBF MOSFET is 100 volts.
2. What is the continuous drain current (Id) rating of the IRF7530PBF MOSFET?
The continuous drain current (Id) rating of the IRF7530PBF MOSFET is 200 amperes.
3. What is the on-state resistance (Rds(on)) of the IRF7530PBF MOSFET at a specified gate-source voltage and drain current?
The on-state resistance (Rds(on)) of the IRF7530PBF MOSFET is typically 2.5 milliohms at a gate-source voltage of 10 volts and a drain current of 75 amperes.
4. Can the IRF7530PBF MOSFET be used in automotive applications?
Yes, the IRF7530PBF MOSFET is suitable for use in automotive applications due to its robust construction and high performance characteristics.
5. What is the operating temperature range of the IRF7530PBF MOSFET?
The IRF7530PBF MOSFET has an operating temperature range of -55°C to 175°C, making it suitable for a wide range of environmental conditions.
6. Does the IRF7530PBF MOSFET have built-in ESD protection?
Yes, the IRF7530PBF MOSFET features built-in electrostatic discharge (ESD) protection, enhancing its reliability in sensitive applications.
7. What is the gate threshold voltage (Vgs(th)) of the IRF7530PBF MOSFET?
The gate threshold voltage (Vgs(th)) of the IRF7530PBF MOSFET is typically 2.0 volts, ensuring efficient switching performance.
8. Is the IRF7530PBF MOSFET RoHS compliant?
Yes, the IRF7530PBF MOSFET is compliant with the Restriction of Hazardous Substances (RoHS) directive, meeting environmental regulations.
9. What package type is used for the IRF7530PBF MOSFET?
The IRF7530PBF MOSFET is available in a TO-220AB package, providing ease of mounting and thermal dissipation.
10. Can the IRF7530PBF MOSFET be used in high-frequency switching applications?
Yes, the IRF7530PBF MOSFET is suitable for high-frequency switching applications due to its low on-state resistance and fast switching characteristics.
The maximum drain-source voltage (Vds) rating for the IRF7530PBF MOSFET is 100 volts.
2. What is the continuous drain current (Id) rating of the IRF7530PBF MOSFET?
The continuous drain current (Id) rating of the IRF7530PBF MOSFET is 200 amperes.
3. What is the on-state resistance (Rds(on)) of the IRF7530PBF MOSFET at a specified gate-source voltage and drain current?
The on-state resistance (Rds(on)) of the IRF7530PBF MOSFET is typically 2.5 milliohms at a gate-source voltage of 10 volts and a drain current of 75 amperes.
4. Can the IRF7530PBF MOSFET be used in automotive applications?
Yes, the IRF7530PBF MOSFET is suitable for use in automotive applications due to its robust construction and high performance characteristics.
5. What is the operating temperature range of the IRF7530PBF MOSFET?
The IRF7530PBF MOSFET has an operating temperature range of -55°C to 175°C, making it suitable for a wide range of environmental conditions.
6. Does the IRF7530PBF MOSFET have built-in ESD protection?
Yes, the IRF7530PBF MOSFET features built-in electrostatic discharge (ESD) protection, enhancing its reliability in sensitive applications.
7. What is the gate threshold voltage (Vgs(th)) of the IRF7530PBF MOSFET?
The gate threshold voltage (Vgs(th)) of the IRF7530PBF MOSFET is typically 2.0 volts, ensuring efficient switching performance.
8. Is the IRF7530PBF MOSFET RoHS compliant?
Yes, the IRF7530PBF MOSFET is compliant with the Restriction of Hazardous Substances (RoHS) directive, meeting environmental regulations.
9. What package type is used for the IRF7530PBF MOSFET?
The IRF7530PBF MOSFET is available in a TO-220AB package, providing ease of mounting and thermal dissipation.
10. Can the IRF7530PBF MOSFET be used in high-frequency switching applications?
Yes, the IRF7530PBF MOSFET is suitable for high-frequency switching applications due to its low on-state resistance and fast switching characteristics.
IRF7530PBF Связанные ключевые слова
:
IRF7530PBF Цена
IRF7530PBF Картина
IRF7530PBF Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"IRF7"
series
products
