IRF7379PBF Infineon Technologies MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Дискретные полупроводниковые приборы 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Номер производителя:
IRF7379PBF
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
IRF7379PBF Таблицы данных(PDF)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
5.8A, 4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
FET Feature :
Standard
FET Type :
N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
520pF @ 25V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging :
Tube
Part Status :
Obsolete
Power - Max :
2.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 5.8A, 10V
Series :
HEXFET®
Supplier Device Package :
8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
в наличии
37,601
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
IRF7379PBF Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IRF7379PBF более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc IRF7379PBF. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на IRF7379PBF. Нажмите, чтобы получить предложение
IRF7379PBF Особенности
IRF7379PBF is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, and its best working temperature is -55°C ~ 150°C (TJ), the size is 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), and Tube is its most common packaging method, which belongs to the HEXFET® series, using 8-SO.
IRF7379PBF Подробная информация о продукции
:
IRF7379PBF — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Infineon Technologies.
IRF7379PBF производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRF7379PBF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRF7379PBF (PDF), цена IRF7379PBF, Распиновка IRF7379PBF, руководство IRF7379PBF и решение на замену IRF7379PBF.
IRF7379PBF производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRF7379PBF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRF7379PBF (PDF), цена IRF7379PBF, Распиновка IRF7379PBF, руководство IRF7379PBF и решение на замену IRF7379PBF.
IRF7379PBF FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage for the IRF7379PBF MOSFET?
The maximum drain-source voltage for the IRF7379PBF MOSFET is 30 volts.
2. What is the continuous drain current rating of the IRF7379PBF MOSFET?
The continuous drain current rating of the IRF7379PBF MOSFET is 6.3 amperes.
3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the IRF7379PBF MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) of the IRF7379PBF MOSFET is typically 12 milliohms.
4. What is the gate threshold voltage of the IRF7379PBF MOSFET?
The gate threshold voltage of the IRF7379PBF MOSFET is typically 1.0 volts.
5. What is the maximum junction temperature for the IRF7379PBF MOSFET?
The maximum junction temperature for the IRF7379PBF MOSFET is 175 degrees Celsius.
6. What is the total power dissipation of the IRF7379PBF MOSFET?
The total power dissipation of the IRF7379PBF MOSFET is 2.5 watts.
7. What is the input capacitance of the IRF7379PBF MOSFET?
The input capacitance of the IRF7379PBF MOSFET is typically 1300 picofarads.
8. What is the output capacitance of the IRF7379PBF MOSFET?
The output capacitance of the IRF7379PBF MOSFET is typically 300 picofarads.
9. What is the reverse transfer capacitance of the IRF7379PBF MOSFET?
The reverse transfer capacitance of the IRF7379PBF MOSFET is typically 150 picofarads.
10. What is the typical turn-on delay time of the IRF7379PBF MOSFET?
The typical turn-on delay time of the IRF7379PBF MOSFET is 8 nanoseconds.
The maximum drain-source voltage for the IRF7379PBF MOSFET is 30 volts.
2. What is the continuous drain current rating of the IRF7379PBF MOSFET?
The continuous drain current rating of the IRF7379PBF MOSFET is 6.3 amperes.
3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the IRF7379PBF MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) of the IRF7379PBF MOSFET is typically 12 milliohms.
4. What is the gate threshold voltage of the IRF7379PBF MOSFET?
The gate threshold voltage of the IRF7379PBF MOSFET is typically 1.0 volts.
5. What is the maximum junction temperature for the IRF7379PBF MOSFET?
The maximum junction temperature for the IRF7379PBF MOSFET is 175 degrees Celsius.
6. What is the total power dissipation of the IRF7379PBF MOSFET?
The total power dissipation of the IRF7379PBF MOSFET is 2.5 watts.
7. What is the input capacitance of the IRF7379PBF MOSFET?
The input capacitance of the IRF7379PBF MOSFET is typically 1300 picofarads.
8. What is the output capacitance of the IRF7379PBF MOSFET?
The output capacitance of the IRF7379PBF MOSFET is typically 300 picofarads.
9. What is the reverse transfer capacitance of the IRF7379PBF MOSFET?
The reverse transfer capacitance of the IRF7379PBF MOSFET is typically 150 picofarads.
10. What is the typical turn-on delay time of the IRF7379PBF MOSFET?
The typical turn-on delay time of the IRF7379PBF MOSFET is 8 nanoseconds.
IRF7379PBF Связанные ключевые слова
:
IRF7379PBF Цена
IRF7379PBF Картина
IRF7379PBF Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"IRF7"
series
products
