IRF7342TRPBF Infineon Technologies MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
Дискретные полупроводниковые приборы 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Номер производителя:
IRF7342TRPBF
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
IRF7342TRPBF Таблицы данных(PDF)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
55V
FET Feature :
Logic Level Gate
FET Type :
2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
690pF @ 25V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Active
Power - Max :
2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
105 mOhm @ 3.4A, 10V
Series :
HEXFET®
Supplier Device Package :
8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
в наличии
32,080
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
IRF7342TRPBF Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IRF7342TRPBF более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc IRF7342TRPBF. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на IRF7342TRPBF. Нажмите, чтобы получить предложение
IRF7342TRPBF Особенности
IRF7342TRPBF is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, and its best working temperature is -55°C ~ 150°C (TJ), the size is 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the HEXFET® series, using 8-SO.
IRF7342TRPBF Подробная информация о продукции
:
IRF7342TRPBF — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Infineon Technologies.
IRF7342TRPBF производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRF7342TRPBF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRF7342TRPBF (PDF), цена IRF7342TRPBF, Распиновка IRF7342TRPBF, руководство IRF7342TRPBF и решение на замену IRF7342TRPBF.
IRF7342TRPBF производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRF7342TRPBF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRF7342TRPBF (PDF), цена IRF7342TRPBF, Распиновка IRF7342TRPBF, руководство IRF7342TRPBF и решение на замену IRF7342TRPBF.
IRF7342TRPBF FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage (Vds) for the IRF7342TRPBF MOSFET?
The maximum drain-source voltage (Vds) for the IRF7342TRPBF MOSFET is 55 volts.
2. What is the continuous drain current (Id) rating of the IRF7342TRPBF MOSFET?
The continuous drain current (Id) rating of the IRF7342TRPBF MOSFET is 3.4 amperes.
3. What is the on-state resistance (Rds(on)) of the IRF7342TRPBF MOSFET at a specified gate-source voltage and drain current?
The on-state resistance (Rds(on)) of the IRF7342TRPBF MOSFET is typically 0.045 ohms at a gate-source voltage of 10 volts and a drain current of 2.6 amperes.
4. Can the IRF7342TRPBF MOSFET be used in high-temperature applications?
Yes, the IRF7342TRPBF MOSFET is designed to operate in high-temperature environments, with a specified junction temperature of up to 175 degrees Celsius.
5. What is the gate threshold voltage (Vgs(th)) of the IRF7342TRPBF MOSFET?
The gate threshold voltage (Vgs(th)) of the IRF7342TRPBF MOSFET typically ranges from 1 to 2 volts.
6. Does the IRF7342TRPBF MOSFET have built-in ESD protection?
Yes, the IRF7342TRPBF MOSFET features built-in electrostatic discharge (ESD) protection, enhancing its robustness in handling transient voltage events.
7. What is the total power dissipation (Pd) of the IRF7342TRPBF MOSFET under specified operating conditions?
The total power dissipation (Pd) of the IRF7342TRPBF MOSFET is 2.5 watts when operated within the specified temperature and current limits.
8. Is the IRF7342TRPBF MOSFET suitable for use in switching applications?
Yes, the IRF7342TRPBF MOSFET is well-suited for switching applications due to its fast switching characteristics and low on-state resistance.
9. What is the input capacitance (Ciss) of the IRF7342TRPBF MOSFET?
The input capacitance (Ciss) of the IRF7342TRPBF MOSFET is typically 1100 picofarads at a specified gate-source voltage.
10. Can the IRF7342TRPBF MOSFET be used in automotive electronics applications?
Yes, the IRF7342TRPBF MOSFET is qualified for automotive electronics applications, meeting the necessary industry standards and requirements.
The maximum drain-source voltage (Vds) for the IRF7342TRPBF MOSFET is 55 volts.
2. What is the continuous drain current (Id) rating of the IRF7342TRPBF MOSFET?
The continuous drain current (Id) rating of the IRF7342TRPBF MOSFET is 3.4 amperes.
3. What is the on-state resistance (Rds(on)) of the IRF7342TRPBF MOSFET at a specified gate-source voltage and drain current?
The on-state resistance (Rds(on)) of the IRF7342TRPBF MOSFET is typically 0.045 ohms at a gate-source voltage of 10 volts and a drain current of 2.6 amperes.
4. Can the IRF7342TRPBF MOSFET be used in high-temperature applications?
Yes, the IRF7342TRPBF MOSFET is designed to operate in high-temperature environments, with a specified junction temperature of up to 175 degrees Celsius.
5. What is the gate threshold voltage (Vgs(th)) of the IRF7342TRPBF MOSFET?
The gate threshold voltage (Vgs(th)) of the IRF7342TRPBF MOSFET typically ranges from 1 to 2 volts.
6. Does the IRF7342TRPBF MOSFET have built-in ESD protection?
Yes, the IRF7342TRPBF MOSFET features built-in electrostatic discharge (ESD) protection, enhancing its robustness in handling transient voltage events.
7. What is the total power dissipation (Pd) of the IRF7342TRPBF MOSFET under specified operating conditions?
The total power dissipation (Pd) of the IRF7342TRPBF MOSFET is 2.5 watts when operated within the specified temperature and current limits.
8. Is the IRF7342TRPBF MOSFET suitable for use in switching applications?
Yes, the IRF7342TRPBF MOSFET is well-suited for switching applications due to its fast switching characteristics and low on-state resistance.
9. What is the input capacitance (Ciss) of the IRF7342TRPBF MOSFET?
The input capacitance (Ciss) of the IRF7342TRPBF MOSFET is typically 1100 picofarads at a specified gate-source voltage.
10. Can the IRF7342TRPBF MOSFET be used in automotive electronics applications?
Yes, the IRF7342TRPBF MOSFET is qualified for automotive electronics applications, meeting the necessary industry standards and requirements.
IRF7342TRPBF Связанные ключевые слова
:
IRF7342TRPBF Цена
IRF7342TRPBF Картина
IRF7342TRPBF Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"IRF7"
series
products
