IRF7338PBF Infineon Technologies MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8-SOIC
Дискретные полупроводниковые приборы 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Номер производителя:
IRF7338PBF
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8-SOIC
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
IRF7338PBF Таблицы данных(PDF)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
6.3A, 3A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
12V
FET Feature :
Logic Level Gate
FET Type :
N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
8.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
640pF @ 9V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging :
Tube
Part Status :
Obsolete
Power - Max :
2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
34 mOhm @ 6A, 4.5V
Series :
HEXFET®
Supplier Device Package :
8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
в наличии
17,862
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
IRF7338PBF Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IRF7338PBF более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc IRF7338PBF. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на IRF7338PBF. Нажмите, чтобы получить предложение
IRF7338PBF Особенности
IRF7338PBF is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, and its best working temperature is -55°C ~ 150°C (TJ), the size is 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), and Tube is its most common packaging method, which belongs to the HEXFET® series, using 8-SO.
IRF7338PBF Подробная информация о продукции
:
IRF7338PBF — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Infineon Technologies.
IRF7338PBF производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRF7338PBF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRF7338PBF (PDF), цена IRF7338PBF, Распиновка IRF7338PBF, руководство IRF7338PBF и решение на замену IRF7338PBF.
IRF7338PBF производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRF7338PBF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRF7338PBF (PDF), цена IRF7338PBF, Распиновка IRF7338PBF, руководство IRF7338PBF и решение на замену IRF7338PBF.
IRF7338PBF FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage (Vds) of the IRF7338PBF MOSFET?
The maximum drain-source voltage (Vds) of the IRF7338PBF MOSFET is 30 volts.
2. What is the continuous drain current (Id) rating of the IRF7338PBF MOSFET?
The continuous drain current (Id) rating of the IRF7338PBF MOSFET is 5.3 amperes.
3. What is the on-state resistance (Rds(on)) of the IRF7338PBF MOSFET?
The on-state resistance (Rds(on)) of the IRF7338PBF MOSFET is typically 14 milliohms.
4. What is the gate-source voltage (Vgs) for the IRF7338PBF MOSFET?
The gate-source voltage (Vgs) for the IRF7338PBF MOSFET is ±20 volts.
5. What is the total power dissipation (Pd) of the IRF7338PBF MOSFET?
The total power dissipation (Pd) of the IRF7338PBF MOSFET is 2.5 watts.
6. What is the operating junction and storage temperature range for the IRF7338PBF MOSFET?
The operating junction and storage temperature range for the IRF7338PBF MOSFET is -55°C to +150°C.
7. Does the IRF7338PBF MOSFET have a built-in diode?
Yes, the IRF7338PBF MOSFET has a built-in body diode.
8. What is the package type of the IRF7338PBF MOSFET?
The package type of the IRF7338PBF MOSFET is D-Pak (TO-252).
9. Is the IRF7338PBF MOSFET RoHS compliant?
Yes, the IRF7338PBF MOSFET is RoHS compliant.
10. What are the typical applications for the IRF7338PBF MOSFET?
The IRF7338PBF MOSFET is commonly used in power management, load switching, and battery protection applications.
The maximum drain-source voltage (Vds) of the IRF7338PBF MOSFET is 30 volts.
2. What is the continuous drain current (Id) rating of the IRF7338PBF MOSFET?
The continuous drain current (Id) rating of the IRF7338PBF MOSFET is 5.3 amperes.
3. What is the on-state resistance (Rds(on)) of the IRF7338PBF MOSFET?
The on-state resistance (Rds(on)) of the IRF7338PBF MOSFET is typically 14 milliohms.
4. What is the gate-source voltage (Vgs) for the IRF7338PBF MOSFET?
The gate-source voltage (Vgs) for the IRF7338PBF MOSFET is ±20 volts.
5. What is the total power dissipation (Pd) of the IRF7338PBF MOSFET?
The total power dissipation (Pd) of the IRF7338PBF MOSFET is 2.5 watts.
6. What is the operating junction and storage temperature range for the IRF7338PBF MOSFET?
The operating junction and storage temperature range for the IRF7338PBF MOSFET is -55°C to +150°C.
7. Does the IRF7338PBF MOSFET have a built-in diode?
Yes, the IRF7338PBF MOSFET has a built-in body diode.
8. What is the package type of the IRF7338PBF MOSFET?
The package type of the IRF7338PBF MOSFET is D-Pak (TO-252).
9. Is the IRF7338PBF MOSFET RoHS compliant?
Yes, the IRF7338PBF MOSFET is RoHS compliant.
10. What are the typical applications for the IRF7338PBF MOSFET?
The IRF7338PBF MOSFET is commonly used in power management, load switching, and battery protection applications.
IRF7338PBF Связанные ключевые слова
:
IRF7338PBF Цена
IRF7338PBF Картина
IRF7338PBF Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"IRF7"
series
products
