+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы
  5. IRF7335D1TR Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 30V 10A 14-SOIC
IRF7335D1TR Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 30V 10A 14-SOIC
IRF7335D1TR Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 30V 10A 14-SOIC

IRF7335D1TR Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 30V 10A 14-SOIC

Дискретные полупроводниковые приборы     14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Номер производителя:
IRF7335D1TR
Производитель:
Infineon Technologies
Категория продукции:
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 10A 14-SOIC
Состояние RoHs:
Таблицы данных:
IRF7335D1TR Таблицы данных(PDF)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
10A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
FET Feature :
Logic Level Gate
FET Type :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
1500pF @ 15V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Obsolete
Power - Max :
2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17.5 mOhm @ 10A, 4.5V
Series :
FETKY™
Supplier Device Package :
14-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
в наличии
57,862
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

IRF7335D1TR Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IRF7335D1TR более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc IRF7335D1TR. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на IRF7335D1TR. Нажмите, чтобы получить предложение
 

IRF7335D1TR Особенности

IRF7335D1TR is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, and its best working temperature is -55°C ~ 150°C (TJ), the size is 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width), and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the FETKY™ series, using 14-SOIC.
  

IRF7335D1TR Подробная информация о продукции

:
IRF7335D1TR — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
IRF7335D1TR производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRF7335D1TR компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRF7335D1TR (PDF), цена IRF7335D1TR, Распиновка IRF7335D1TR, руководство IRF7335D1TR и решение на замену IRF7335D1TR.
  

IRF7335D1TR FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage (Vds) for the IRF7335D1TR MOSFET?
The maximum drain-source voltage (Vds) for the IRF7335D1TR MOSFET is 30 volts.

2. What is the continuous drain current (Id) rating of the IRF7335D1TR MOSFET?
The continuous drain current (Id) rating of the IRF7335D1TR MOSFET is 6.3 amperes.

3. What is the on-state resistance (Rds(on)) of the IRF7335D1TR MOSFET at Vgs = 10V?
The on-state resistance (Rds(on)) of the IRF7335D1TR MOSFET at Vgs = 10V is typically 0.012 ohms.

4. What is the gate threshold voltage (Vgs(th)) of the IRF7335D1TR MOSFET?
The gate threshold voltage (Vgs(th)) of the IRF7335D1TR MOSFET is typically 1.0 volts.

5. What is the total power dissipation (Pd) of the IRF7335D1TR MOSFET?
The total power dissipation (Pd) of the IRF7335D1TR MOSFET is 2.5 watts.

6. What is the operating junction temperature (Tj) range for the IRF7335D1TR MOSFET?
The operating junction temperature (Tj) range for the IRF7335D1TR MOSFET is -55°C to +150°C.

7. What is the input capacitance (Ciss) of the IRF7335D1TR MOSFET?
The input capacitance (Ciss) of the IRF7335D1TR MOSFET is typically 1100 picofarads.

8. What is the output capacitance (Coss) of the IRF7335D1TR MOSFET?
The output capacitance (Coss) of the IRF7335D1TR MOSFET is typically 200 picofarads.

9. What is the reverse transfer capacitance (Crss) of the IRF7335D1TR MOSFET?
The reverse transfer capacitance (Crss) of the IRF7335D1TR MOSFET is typically 90 picofarads.

10. What is the package type and lead finish of the IRF7335D1TR MOSFET?
The IRF7335D1TR MOSFET is available in a D-PAK package with lead finish consisting of matte tin.
  

IRF7335D1TR Связанные ключевые слова

:
IRF7335D1TR Цена
IRF7335D1TR Техническая спецификация
IRF7335D1TR Картина
IRF7335D1TR PDF
IRF7335D1TR Технические характеристики
IRF7335D1TR Напряжение на выводе
IRF7335D1TR Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "IRF7" series products