IRF7106 Infineon Technologies MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC
Дискретные полупроводниковые приборы 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Номер производителя:
IRF7106
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC
Состояние RoHs:
Таблицы данных:
IRF7106 Таблицы данных(PDF)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
3A, 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
FET Feature :
Standard
FET Type :
N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
300pF @ 15V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-
Package / Case :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging :
Tube
Part Status :
Obsolete
Power - Max :
2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 1A, 10V
Series :
HEXFET®
Supplier Device Package :
8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
в наличии
48,894
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
IRF7106 Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IRF7106 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc IRF7106. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на IRF7106. Нажмите, чтобы получить предложение
IRF7106 Особенности
IRF7106 is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, and its best working temperature is -, the size is 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), and Tube is its most common packaging method, which belongs to the HEXFET® series, using 8-SO.
IRF7106 Подробная информация о продукции
:
IRF7106 — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Infineon Technologies.
IRF7106 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRF7106 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRF7106 (PDF), цена IRF7106, Распиновка IRF7106, руководство IRF7106 и решение на замену IRF7106.
IRF7106 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRF7106 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRF7106 (PDF), цена IRF7106, Распиновка IRF7106, руководство IRF7106 и решение на замену IRF7106.
IRF7106 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage (Vds) rating of the IRF7106 MOSFET?
The maximum drain-source voltage (Vds) rating of the IRF7106 MOSFET is 30 volts.
2. What is the continuous drain current (Id) rating of the IRF7106 MOSFET?
The continuous drain current (Id) rating of the IRF7106 MOSFET is 3.4 amperes.
3. What is the on-state resistance (Rds(on)) of the IRF7106 MOSFET?
The on-state resistance (Rds(on)) of the IRF7106 MOSFET is typically 0.02 ohms.
4. Can the IRF7106 MOSFET be used for high-frequency switching applications?
Yes, the IRF7106 MOSFET can be used for high-frequency switching applications due to its low on-state resistance and fast switching characteristics.
5. What is the maximum junction temperature (Tj) of the IRF7106 MOSFET?
The maximum junction temperature (Tj) of the IRF7106 MOSFET is 175 degrees Celsius.
6. Does the IRF7106 MOSFET require a heat sink for operation?
The need for a heat sink depends on the specific application and the power dissipation requirements. It is recommended to evaluate the thermal performance under actual operating conditions.
7. Is the IRF7106 MOSFET suitable for automotive applications?
Yes, the IRF7106 MOSFET is designed to meet the requirements for automotive applications, including AEC-Q101 qualification.
8. What is the gate-source voltage (Vgs) threshold of the IRF7106 MOSFET?
The gate-source voltage (Vgs) threshold of the IRF7106 MOSFET is typically 2.0 volts.
9. Can the IRF7106 MOSFET be operated in parallel for higher current capability?
Operating MOSFETs in parallel requires careful consideration of current sharing, gate drive, and thermal management. Consult the datasheet and application notes for guidelines on parallel operation.
10. What are the typical applications for the IRF7106 MOSFET?
The IRF7106 MOSFET is commonly used in power management, motor control, DC-DC converters, and other high-efficiency switching applications.
The maximum drain-source voltage (Vds) rating of the IRF7106 MOSFET is 30 volts.
2. What is the continuous drain current (Id) rating of the IRF7106 MOSFET?
The continuous drain current (Id) rating of the IRF7106 MOSFET is 3.4 amperes.
3. What is the on-state resistance (Rds(on)) of the IRF7106 MOSFET?
The on-state resistance (Rds(on)) of the IRF7106 MOSFET is typically 0.02 ohms.
4. Can the IRF7106 MOSFET be used for high-frequency switching applications?
Yes, the IRF7106 MOSFET can be used for high-frequency switching applications due to its low on-state resistance and fast switching characteristics.
5. What is the maximum junction temperature (Tj) of the IRF7106 MOSFET?
The maximum junction temperature (Tj) of the IRF7106 MOSFET is 175 degrees Celsius.
6. Does the IRF7106 MOSFET require a heat sink for operation?
The need for a heat sink depends on the specific application and the power dissipation requirements. It is recommended to evaluate the thermal performance under actual operating conditions.
7. Is the IRF7106 MOSFET suitable for automotive applications?
Yes, the IRF7106 MOSFET is designed to meet the requirements for automotive applications, including AEC-Q101 qualification.
8. What is the gate-source voltage (Vgs) threshold of the IRF7106 MOSFET?
The gate-source voltage (Vgs) threshold of the IRF7106 MOSFET is typically 2.0 volts.
9. Can the IRF7106 MOSFET be operated in parallel for higher current capability?
Operating MOSFETs in parallel requires careful consideration of current sharing, gate drive, and thermal management. Consult the datasheet and application notes for guidelines on parallel operation.
10. What are the typical applications for the IRF7106 MOSFET?
The IRF7106 MOSFET is commonly used in power management, motor control, DC-DC converters, and other high-efficiency switching applications.
IRF7106 Связанные ключевые слова
:
IRF7106 Цена
IRF7106 Картина
IRF7106 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"IRF7"
series
products
