+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы
  5. IRF5852TRPBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
IRF5852TRPBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
IRF5852TRPBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP

IRF5852TRPBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP

Дискретные полупроводниковые приборы     SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Номер производителя:
IRF5852TRPBF
Производитель:
Infineon Technologies
Категория продукции:
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы
Описание:
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
IRF5852TRPBF Таблицы данных(PDF)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
2.7A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
FET Feature :
Logic Level Gate
FET Type :
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
400pF @ 15V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging :
Cut Tape (CT)
Part Status :
Obsolete
Power - Max :
960mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Series :
HEXFET®
Supplier Device Package :
6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id :
1.25V @ 250µA
в наличии
55,832
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

IRF5852TRPBF Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IRF5852TRPBF более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc IRF5852TRPBF. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на IRF5852TRPBF. Нажмите, чтобы получить предложение
 

IRF5852TRPBF Особенности

IRF5852TRPBF is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, and its best working temperature is -55°C ~ 150°C (TJ), the size is SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, and Cut Tape (CT) is its most common packaging method, which belongs to the HEXFET® series, using 6-TSOP.
  

IRF5852TRPBF Подробная информация о продукции

:
IRF5852TRPBF — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
IRF5852TRPBF производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRF5852TRPBF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRF5852TRPBF (PDF), цена IRF5852TRPBF, Распиновка IRF5852TRPBF, руководство IRF5852TRPBF и решение на замену IRF5852TRPBF.
  

IRF5852TRPBF FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage rating for the IRF5852TRPBF MOSFET?
The maximum drain-source voltage rating for the IRF5852TRPBF MOSFET is 150 volts.

2. What is the continuous drain current rating for the IRF5852TRPBF MOSFET?
The continuous drain current rating for the IRF5852TRPBF MOSFET is 31 amperes.

3. What is the on-state resistance (RDS(on)) for the IRF5852TRPBF MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) for the IRF5852TRPBF MOSFET is 0.028 ohms.

4. What is the gate threshold voltage for the IRF5852TRPBF MOSFET?
The gate threshold voltage for the IRF5852TRPBF MOSFET is typically 2.0 volts.

5. What is the total power dissipation for the IRF5852TRPBF MOSFET?
The total power dissipation for the IRF5852TRPBF MOSFET is 200 watts.

6. What is the operating temperature range for the IRF5852TRPBF MOSFET?
The operating temperature range for the IRF5852TRPBF MOSFET is -55°C to 175°C.

7. What is the input capacitance for the IRF5852TRPBF MOSFET?
The input capacitance for the IRF5852TRPBF MOSFET is 3700 picofarads.

8. What is the output capacitance for the IRF5852TRPBF MOSFET?
The output capacitance for the IRF5852TRPBF MOSFET is 280 picofarads.

9. What is the reverse transfer capacitance for the IRF5852TRPBF MOSFET?
The reverse transfer capacitance for the IRF5852TRPBF MOSFET is 160 picofarads.

10. What is the typical turn-on delay time for the IRF5852TRPBF MOSFET?
The typical turn-on delay time for the IRF5852TRPBF MOSFET is 15 nanoseconds.
  

IRF5852TRPBF Связанные ключевые слова

:
IRF5852TRPBF Цена
IRF5852TRPBF Техническая спецификация
IRF5852TRPBF Картина
IRF5852TRPBF PDF
IRF5852TRPBF Технические характеристики
IRF5852TRPBF Напряжение на выводе
IRF5852TRPBF Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "IRF5" series products