IRF5810 Infineon Technologies MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Дискретные полупроводниковые приборы SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Номер производителя:
IRF5810
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Состояние RoHs:
Таблицы данных:
IRF5810 Таблицы данных(PDF)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
2.9A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
FET Feature :
Logic Level Gate
FET Type :
2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
9.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
650pF @ 16V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-
Package / Case :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging :
Tube
Part Status :
Obsolete
Power - Max :
960mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Series :
HEXFET®
Supplier Device Package :
6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
в наличии
33,952
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
IRF5810 Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IRF5810 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc IRF5810. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на IRF5810. Нажмите, чтобы получить предложение
IRF5810 Особенности
IRF5810 is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, and its best working temperature is -, the size is SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, and Tube is its most common packaging method, which belongs to the HEXFET® series, using 6-TSOP.
IRF5810 Подробная информация о продукции
:
IRF5810 — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Infineon Technologies.
IRF5810 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRF5810 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRF5810 (PDF), цена IRF5810, Распиновка IRF5810, руководство IRF5810 и решение на замену IRF5810.
IRF5810 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRF5810 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRF5810 (PDF), цена IRF5810, Распиновка IRF5810, руководство IRF5810 и решение на замену IRF5810.
IRF5810 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage rating for the IRF5810 MOSFET?
The maximum drain-source voltage rating for the IRF5810 MOSFET is 100V.
2. What is the continuous drain current rating for the IRF5810 MOSFET?
The continuous drain current rating for the IRF5810 MOSFET is 50A.
3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the IRF5810 MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) of the IRF5810 MOSFET is typically 6.5mΩ at VGS = 10V.
4. What is the gate-source voltage (VGS) for the IRF5810 MOSFET?
The gate-source voltage (VGS) for the IRF5810 MOSFET is ±20V.
5. What is the total power dissipation for the IRF5810 MOSFET?
The total power dissipation for the IRF5810 MOSFET is 300W.
6. What is the junction temperature range for the IRF5810 MOSFET?
The junction temperature range for the IRF5810 MOSFET is -55°C to +175°C.
7. What is the input capacitance (Ciss) of the IRF5810 MOSFET?
The input capacitance (Ciss) of the IRF5810 MOSFET is typically 5200pF at VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz.
8. What is the output capacitance (Coss) of the IRF5810 MOSFET?
The output capacitance (Coss) of the IRF5810 MOSFET is typically 570pF at VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz.
9. What is the reverse transfer capacitance (Crss) of the IRF5810 MOSFET?
The reverse transfer capacitance (Crss) of the IRF5810 MOSFET is typically 320pF at VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz.
10. What is the threshold voltage (VGS(th)) of the IRF5810 MOSFET?
The threshold voltage (VGS(th)) of the IRF5810 MOSFET is typically 2-4V.
The maximum drain-source voltage rating for the IRF5810 MOSFET is 100V.
2. What is the continuous drain current rating for the IRF5810 MOSFET?
The continuous drain current rating for the IRF5810 MOSFET is 50A.
3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the IRF5810 MOSFET?
The on-state resistance (RDS(on)) of the IRF5810 MOSFET is typically 6.5mΩ at VGS = 10V.
4. What is the gate-source voltage (VGS) for the IRF5810 MOSFET?
The gate-source voltage (VGS) for the IRF5810 MOSFET is ±20V.
5. What is the total power dissipation for the IRF5810 MOSFET?
The total power dissipation for the IRF5810 MOSFET is 300W.
6. What is the junction temperature range for the IRF5810 MOSFET?
The junction temperature range for the IRF5810 MOSFET is -55°C to +175°C.
7. What is the input capacitance (Ciss) of the IRF5810 MOSFET?
The input capacitance (Ciss) of the IRF5810 MOSFET is typically 5200pF at VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz.
8. What is the output capacitance (Coss) of the IRF5810 MOSFET?
The output capacitance (Coss) of the IRF5810 MOSFET is typically 570pF at VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz.
9. What is the reverse transfer capacitance (Crss) of the IRF5810 MOSFET?
The reverse transfer capacitance (Crss) of the IRF5810 MOSFET is typically 320pF at VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz.
10. What is the threshold voltage (VGS(th)) of the IRF5810 MOSFET?
The threshold voltage (VGS(th)) of the IRF5810 MOSFET is typically 2-4V.
IRF5810 Связанные ключевые слова
:
IRF5810 Цена
IRF5810 Картина
IRF5810 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"IRF5"
series
products
