IRF5210PBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB

Дискретные полупроводниковые приборы TO-220-3

Номер производителя:

IRF5210PBF

Производитель:

Infineon Technologies

Категория продукции:

Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

Описание:

MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB

Состояние RoHs:

Без свинца / в соответствии с RoHS

Таблицы данных:

IRF5210PBF Таблицы данных(PDF)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :

40A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss) :

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :

10V

FET Feature :

FET Type :

P-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

180nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :

2700pF @ 25V

Mounting Type :

Through Hole

Operating Temperature :

-55°C ~ 175°C (TJ)

Package / Case :

TO-220-3

Packaging :

Tube

Part Status :

Active

Power Dissipation (Max) :

200W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

60 mOhm @ 24A, 10V

Series :

HEXFET®

Supplier Device Package :

TO-220AB

Technology :

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max) :

±20V

Vgs(th) (Max) @ Id :

4V @ 250µA

в наличии

23,043

Unit Price:

Свяжитесь с нами Предложение

IRF5210PBF Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IRF5210PBF более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc IRF5210PBF. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на IRF5210PBF. Нажмите, чтобы получить предложение

IRF5210PBF Особенности

IRF5210PBF is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, and its best working temperature is -55°C ~ 175°C (TJ), the size is TO-220-3, and Tube is its most common packaging method, which belongs to the HEXFET® series, using TO-220AB.

IRF5210PBF Подробная информация о продукции

IRF5210PBF — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
IRF5210PBF производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRF5210PBF компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRF5210PBF (PDF), цена IRF5210PBF, Распиновка IRF5210PBF, руководство IRF5210PBF и решение на замену IRF5210PBF.

IRF5210PBF FAQ

1. What is the maximum drain-source voltage (Vds) rating of the IRF5210PBF MOSFET?
The maximum drain-source voltage (Vds) rating of the IRF5210PBF MOSFET is 100 volts.

2. What is the continuous drain current (Id) rating of the IRF5210PBF MOSFET?
The continuous drain current (Id) rating of the IRF5210PBF MOSFET is 40 amperes.

3. What is the on-state resistance (Rds(on)) of the IRF5210PBF MOSFET at a specified gate-source voltage and drain current?
The on-state resistance (Rds(on)) of the IRF5210PBF MOSFET is typically 0.040 ohms at a gate-source voltage of 10 volts and a drain current of 20 amperes.

4. What is the gate-source voltage (Vgs) range for proper operation of the IRF5210PBF MOSFET?
The gate-source voltage (Vgs) range for proper operation of the IRF5210PBF MOSFET is -20 to +20 volts.

5. What is the total power dissipation (Pd) of the IRF5210PBF MOSFET when operated within the specified temperature range?
The total power dissipation (Pd) of the IRF5210PBF MOSFET is 200 watts when operated within the specified temperature range.

6. What is the threshold voltage (Vth) of the IRF5210PBF MOSFET?
The threshold voltage (Vth) of the IRF5210PBF MOSFET is typically 2 volts.

7. What is the input capacitance (Ciss) of the IRF5210PBF MOSFET?
The input capacitance (Ciss) of the IRF5210PBF MOSFET is typically 2100 picofarads.

8. What is the output capacitance (Coss) of the IRF5210PBF MOSFET?
The output capacitance (Coss) of the IRF5210PBF MOSFET is typically 400 picofarads.

9. What is the reverse transfer capacitance (Crss) of the IRF5210PBF MOSFET?
The reverse transfer capacitance (Crss) of the IRF5210PBF MOSFET is typically 150 picofarads.

10. What are the recommended operating temperature range and storage temperature range for the IRF5210PBF MOSFET?
The recommended operating temperature range for the IRF5210PBF MOSFET is -55 to +175 degrees Celsius, and the storage temperature range is -55 to +175 degrees Celsius.

IRF5210PBF Связанные ключевые слова

IRF5210PBF Цена

IRF5210PBF Техническая спецификация

IRF5210PBF Картина

IRF5210PBF PDF

IRF5210PBF Технические характеристики

IRF5210PBF Напряжение на выводе

IRF5210PBF Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

Contact Us：mlccchips@gmail.com
Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

Contains "IRF5" series products

IRF520

MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
IRF520

MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
IRF520

MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
IRF520

MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
IRF520

MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
IRF520N

MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
IRF520N

MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
IRF520N

MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
IRF520NL

MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262
IRF520NL

MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262