IRD3CH24DB6 Infineon Technologies DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
Дискретные полупроводниковые приборы -
Номер производителя:
IRD3CH24DB6
Производитель:
Категория продукции:
Описание:
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS Таблицы данных:
IRD3CH24DB6 Таблицы данных(PDF)
Capacitance @ Vr, F :
-
Current - Average Rectified (Io) :
-
Current - Reverse Leakage @ Vr :
-
Diode Type :
-
Mounting Type :
-
Operating Temperature - Junction :
-
Package / Case :
-
Packaging :
-
Part Status :
Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Series :
Speed :
-
Supplier Device Package :
-
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
-
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
-
в наличии
13,289
Unit Price:
Свяжитесь с нами
Предложение
IRD3CH24DB6 Конкурентные цены
ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IRD3CH24DB6 более
конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим
сервисом, купив Chipmlcc IRD3CH24DB6. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу
лучшей цены на IRD3CH24DB6. Нажмите, чтобы получить предложение
IRD3CH24DB6 Особенности
IRD3CH24DB6 is produced by Infineon Technologies, belongs to Диоды - выпрямители - одиночные, the size is -, and - is its most common packaging method, which belongs to the series, and has the speed of -, using -.
IRD3CH24DB6 Подробная информация о продукции
:
IRD3CH24DB6 — это Диоды - выпрямители - одиночные, буферные усилители, разработанные и
произведенные
Infineon Technologies.
IRD3CH24DB6 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRD3CH24DB6 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRD3CH24DB6 (PDF), цена IRD3CH24DB6, Распиновка IRD3CH24DB6, руководство IRD3CH24DB6 и решение на замену IRD3CH24DB6.
IRD3CH24DB6 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IRD3CH24DB6 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IRD3CH24DB6 (PDF), цена IRD3CH24DB6, Распиновка IRD3CH24DB6, руководство IRD3CH24DB6 и решение на замену IRD3CH24DB6.
IRD3CH24DB6 FAQ
:
1. What is the maximum drain current of the IRD3CH24DB6 power MOSFET?
The maximum drain current of the IRD3CH24DB6 power MOSFET is 120A.
2. What is the gate threshold voltage of the IRD3CH24DB6 MOSFET?
The gate threshold voltage of the IRD3CH24DB6 MOSFET is typically 2V.
3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the IRD3CH24DB6 at a specified voltage and temperature?
The on-state resistance (RDS(on)) of the IRD3CH24DB6 varies with voltage and temperature, but it is typically around 4.5mΩ at 10V and 25°C.
4. Can the IRD3CH24DB6 handle high-frequency switching applications?
Yes, the IRD3CH24DB6 is designed to handle high-frequency switching applications effectively.
5. What is the maximum junction temperature of the IRD3CH24DB6 MOSFET?
The maximum junction temperature of the IRD3CH24DB6 MOSFET is 175°C.
6. Does the IRD3CH24DB6 have built-in protection features?
Yes, the IRD3CH24DB6 MOSFET includes built-in overcurrent protection and thermal shutdown features.
7. What is the input capacitance of the IRD3CH24DB6 MOSFET?
The input capacitance of the IRD3CH24DB6 MOSFET is typically around 6800pF.
8. Is the IRD3CH24DB6 suitable for automotive applications?
Yes, the IRD3CH24DB6 is designed to meet the requirements for automotive applications.
9. What is the gate charge of the IRD3CH24DB6 at different voltages?
The gate charge of the IRD3CH24DB6 varies with voltage, but it is typically around 110nC at VGS = 10V.
10. Can the IRD3CH24DB6 be used in parallel to increase current handling capability?
Yes, the IRD3CH24DB6 can be used in parallel to increase current handling capability in high-power applications.
The maximum drain current of the IRD3CH24DB6 power MOSFET is 120A.
2. What is the gate threshold voltage of the IRD3CH24DB6 MOSFET?
The gate threshold voltage of the IRD3CH24DB6 MOSFET is typically 2V.
3. What is the on-state resistance (RDS(on)) of the IRD3CH24DB6 at a specified voltage and temperature?
The on-state resistance (RDS(on)) of the IRD3CH24DB6 varies with voltage and temperature, but it is typically around 4.5mΩ at 10V and 25°C.
4. Can the IRD3CH24DB6 handle high-frequency switching applications?
Yes, the IRD3CH24DB6 is designed to handle high-frequency switching applications effectively.
5. What is the maximum junction temperature of the IRD3CH24DB6 MOSFET?
The maximum junction temperature of the IRD3CH24DB6 MOSFET is 175°C.
6. Does the IRD3CH24DB6 have built-in protection features?
Yes, the IRD3CH24DB6 MOSFET includes built-in overcurrent protection and thermal shutdown features.
7. What is the input capacitance of the IRD3CH24DB6 MOSFET?
The input capacitance of the IRD3CH24DB6 MOSFET is typically around 6800pF.
8. Is the IRD3CH24DB6 suitable for automotive applications?
Yes, the IRD3CH24DB6 is designed to meet the requirements for automotive applications.
9. What is the gate charge of the IRD3CH24DB6 at different voltages?
The gate charge of the IRD3CH24DB6 varies with voltage, but it is typically around 110nC at VGS = 10V.
10. Can the IRD3CH24DB6 be used in parallel to increase current handling capability?
Yes, the IRD3CH24DB6 can be used in parallel to increase current handling capability in high-power applications.
IRD3CH24DB6 Связанные ключевые слова
:
IRD3CH24DB6 Цена
IRD3CH24DB6 Картина
IRD3CH24DB6 Напряжение на выводе
Акции: Быстрая проверка котировок
Минимальный заказ: 1
Contains
"IRD3"
series
products