IPG20N06S3L-35 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8

Дискретные полупроводниковые приборы     8-PowerVDFN
Номер производителя:
IPG20N06S3L-35
Производитель:
Описание:
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
20A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
55V
FET Feature :
Logic Level Gate
FET Type :
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
1730pF @ 25V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
8-PowerVDFN
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Obsolete
Power - Max :
30W
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 11A, 10V
Series :
OptiMOS™
Supplier Device Package :
PG-TDSON-8-4
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.2V @ 15µA
в наличии
57,228
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

IPG20N06S3L-35 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IPG20N06S3L-35 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc IPG20N06S3L-35. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на IPG20N06S3L-35. Нажмите, чтобы получить предложение
 

IPG20N06S3L-35 Особенности

IPG20N06S3L-35 is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, and its best working temperature is -55°C ~ 175°C (TJ), the size is 8-PowerVDFN, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the OptiMOS™ series, using PG-TDSON-8-4.
  

IPG20N06S3L-35 Подробная информация о продукции

:
IPG20N06S3L-35 — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
IPG20N06S3L-35 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IPG20N06S3L-35 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IPG20N06S3L-35 (PDF), цена IPG20N06S3L-35, Распиновка IPG20N06S3L-35, руководство IPG20N06S3L-35 и решение на замену IPG20N06S3L-35.
  

IPG20N06S3L-35 FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage rating for the IPG20N06S3L-35 MOSFET?
The maximum drain-source voltage rating for the IPG20N06S3L-35 MOSFET is 60 volts.

2. What is the continuous drain current rating for the IPG20N06S3L-35 MOSFET?
The continuous drain current rating for the IPG20N06S3L-35 MOSFET is 20 amperes.

3. What is the on-state resistance (RDS(on)) for the IPG20N06S3L-35 MOSFET at a specified gate-source voltage?
The on-state resistance (RDS(on)) for the IPG20N06S3L-35 MOSFET is typically 35 milliohms at a gate-source voltage of 10 volts.

4. Can the IPG20N06S3L-35 MOSFET be used in high-frequency switching applications?
Yes, the IPG20N06S3L-35 MOSFET is suitable for high-frequency switching applications due to its low on-state resistance and fast switching characteristics.

5. What is the maximum junction temperature for the IPG20N06S3L-35 MOSFET?
The maximum junction temperature for the IPG20N06S3L-35 MOSFET is 175 degrees Celsius.

6. Does the IPG20N06S3L-35 MOSFET require a heat sink for operation?
The need for a heat sink depends on the specific application and the power dissipation requirements. It is recommended to evaluate the thermal performance based on the operating conditions.

7. What is the gate-source threshold voltage for the IPG20N06S3L-35 MOSFET?
The gate-source threshold voltage for the IPG20N06S3L-35 MOSFET is typically 2.0 volts.

8. Is the IPG20N06S3L-35 MOSFET suitable for automotive applications?
Yes, the IPG20N06S3L-35 MOSFET is designed to meet the requirements for automotive applications, including AEC-Q101 qualification.

9. What are the package dimensions and outline for the IPG20N06S3L-35 MOSFET?
The IPG20N06S3L-35 MOSFET is available in a TO-220 package with standard dimensions and outline as per industry specifications.

10. Can the IPG20N06S3L-35 MOSFET be used in parallel to increase current handling capability?
Yes, the IPG20N06S3L-35 MOSFET can be used in parallel to increase the overall current handling capability in a circuit. However, proper attention should be given to current sharing and thermal management.
  

IPG20N06S3L-35 Связанные ключевые слова

:

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us:chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "IPG2" series products