IPG20N04S4L07ATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 8TDSON

Дискретные полупроводниковые приборы 8-PowerVDFN

Номер производителя:

IPG20N04S4L07ATMA1

Производитель:

Infineon Technologies

Категория продукции:

Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы

Описание:

MOSFET 2N-CH 8TDSON

Состояние RoHs:

Без свинца / в соответствии с RoHS

Таблицы данных:

IPG20N04S4L07ATMA1 Таблицы данных(PDF)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :

20A

Drain to Source Voltage (Vdss) :

40V

FET Feature :

Logic Level Gate

FET Type :

2 N-Channel (Dual)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

50nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :

3980pF @ 25V

Mounting Type :

Surface Mount

Operating Temperature :

-55°C ~ 175°C (TJ)

Package / Case :

8-PowerVDFN

Packaging :

Tape & Reel (TR)

Part Status :

Active

Power - Max :

65W

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

7.2 mOhm @ 17A, 10V

Series :

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Supplier Device Package :

PG-TDSON-8-4

Vgs(th) (Max) @ Id :

2.2V @ 30µA

в наличии

60,280

Unit Price:

Свяжитесь с нами Предложение

IPG20N04S4L07ATMA1 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить IPG20N04S4L07ATMA1 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc IPG20N04S4L07ATMA1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на IPG20N04S4L07ATMA1. Нажмите, чтобы получить предложение

IPG20N04S4L07ATMA1 Особенности

IPG20N04S4L07ATMA1 is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, and its best working temperature is -55°C ~ 175°C (TJ), the size is 8-PowerVDFN, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ series, using PG-TDSON-8-4.

IPG20N04S4L07ATMA1 Подробная информация о продукции

IPG20N04S4L07ATMA1 — это Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
IPG20N04S4L07ATMA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
IPG20N04S4L07ATMA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных IPG20N04S4L07ATMA1 (PDF), цена IPG20N04S4L07ATMA1, Распиновка IPG20N04S4L07ATMA1, руководство IPG20N04S4L07ATMA1 и решение на замену IPG20N04S4L07ATMA1.

IPG20N04S4L07ATMA1 FAQ

1. What is the maximum drain-source voltage rating for the IPG20N04S4L07ATMA1?
The maximum drain-source voltage rating for the IPG20N04S4L07ATMA1 is 40 volts.

2. What is the continuous drain current rating for the IPG20N04S4L07ATMA1?
The continuous drain current rating for the IPG20N04S4L07ATMA1 is 20 amperes.

3. What is the on-state resistance (RDS(on)) for the IPG20N04S4L07ATMA1 at a specified gate-source voltage and drain current?
The on-state resistance (RDS(on)) for the IPG20N04S4L07ATMA1 is typically 7 milliohms at a gate-source voltage of 10 volts and a drain current of 20 amperes.

4. What is the maximum junction temperature for the IPG20N04S4L07ATMA1?
The maximum junction temperature for the IPG20N04S4L07ATMA1 is 175 degrees Celsius.

5. What is the gate threshold voltage for the IPG20N04S4L07ATMA1?
The gate threshold voltage for the IPG20N04S4L07ATMA1 is typically 2.0 volts.

6. What is the input capacitance for the IPG20N04S4L07ATMA1?
The input capacitance for the IPG20N04S4L07ATMA1 is typically 3200 picofarads.

7. What is the total gate charge for the IPG20N04S4L07ATMA1 at a specified gate-source voltage?
The total gate charge for the IPG20N04S4L07ATMA1 is typically 25 nanocoulombs at a gate-source voltage of 10 volts.

8. What is the reverse recovery time for the IPG20N04S4L07ATMA1's intrinsic diode?
The reverse recovery time for the IPG20N04S4L07ATMA1's intrinsic diode is typically 35 nanoseconds.

9. What is the thermal resistance from junction to ambient for the IPG20N04S4L07ATMA1?
The thermal resistance from junction to ambient for the IPG20N04S4L07ATMA1 is typically 50 degrees Celsius per watt.

10. What is the package type for the IPG20N04S4L07ATMA1?
The IPG20N04S4L07ATMA1 is available in a TO-220AB package.

IPG20N04S4L07ATMA1 Связанные ключевые слова

IPG20N04S4L07ATMA1 Цена

IPG20N04S4L07ATMA1 Техническая спецификация

IPG20N04S4L07ATMA1 Картина

IPG20N04S4L07ATMA1 PDF

IPG20N04S4L07ATMA1 Технические характеристики

IPG20N04S4L07ATMA1 Напряжение на выводе

IPG20N04S4L07ATMA1 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

Contact Us：mlccchips@gmail.com
Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

Contains "IPG2" series products

IPG20N04S408AATMA1

MOSFET 2N-CH 8TDSON
IPG20N04S408AATMA1

MOSFET 2N-CH 8TDSON
IPG20N04S408AATMA1

MOSFET 2N-CH 8TDSON
IPG20N04S408AATMA1

MOSFET 2N-CH 8TDSON
IPG20N04S408AATMA1

MOSFET 2N-CH 8TDSON
IPG20N04S408ATMA1

MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8
IPG20N04S408ATMA1

MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8
IPG20N04S408ATMA1

MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8
IPG20N04S408ATMA1

MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8
IPG20N04S408ATMA1

MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8