+86 0755-82566872 +86 15999521008 Email: chen_hx1688@hotmail.com
Свяжитесь с нами  |  Положения и условия
Профессиональный поставщики электронных компонентов | Chipmlcc

Членство

Добро пожаловать в Chipmlcc

Мои личные данные. Статус заказа & amp; История Запрос Управление адресами
РегистрацияИлиРегистрация
  1. Главная
  2. категории
  3. Дискретные полупроводниковые приборы
  4. Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
  5. BCR198WE6327BTSA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
BCR198WE6327BTSA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
BCR198WE6327BTSA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

BCR198WE6327BTSA1 Infineon Technologies TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

Дискретные полупроводниковые приборы     SC-70, SOT-323
Номер производителя:
BCR198WE6327BTSA1
Производитель:
Infineon Technologies
Категория продукции:
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
Состояние RoHs:
Без свинца / в соответствии с RoHS
Таблицы данных:
BCR198WE6327BTSA1 Таблицы данных(PDF)
Current - Collector (Ic) (Max) :
100mA
Current - Collector Cutoff (Max) :
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition :
190MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Package / Case :
SC-70, SOT-323
Packaging :
Tape & Reel (TR)
Part Status :
Obsolete
Power - Max :
250mW
Resistor - Base (R1) :
47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) :
47 kOhms
Series :
-
Supplier Device Package :
PG-SOT323-3
Transistor Type :
PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50V
в наличии
27,064
Unit Price:
Свяжитесь с нами Предложение
 

BCR198WE6327BTSA1 Конкурентные цены

ChipMlcc имеет уникальный источник поставок. Мы можем предложить BCR198WE6327BTSA1 более конкурентоспособную цену для наших клиентов. Вы можете насладиться нашим лучшим сервисом, купив Chipmlcc BCR198WE6327BTSA1. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться по поводу лучшей цены на BCR198WE6327BTSA1. Нажмите, чтобы получить предложение
 

BCR198WE6327BTSA1 Особенности

BCR198WE6327BTSA1 is produced by Infineon Technologies, belongs to Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые, the size is SC-70, SOT-323, and Tape & Reel (TR) is its most common packaging method, which belongs to the - series, using PG-SOT323-3.
  

BCR198WE6327BTSA1 Подробная информация о продукции

:
BCR198WE6327BTSA1 — это Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые, буферные усилители, разработанные и произведенные Infineon Technologies.
BCR198WE6327BTSA1 производства Infineon Technologies можно приобрести на сайте CHIPMLCC.
Здесь вы можете найти различные виды электронных деталей от ведущих производителей мира.
BCR198WE6327BTSA1 компании CHIPMLCC прошел строгий контроль качества и соответствует всем требованиям.
Статус запасов, отмеченный на CHIPMLCC, предназначен только для справки.
Если вы не нашли запчасть, которую ищете, вы можете связаться с нами для получения дополнительной информации, такой как количество запасов в таблице данных BCR198WE6327BTSA1 (PDF), цена BCR198WE6327BTSA1, Распиновка BCR198WE6327BTSA1, руководство BCR198WE6327BTSA1 и решение на замену BCR198WE6327BTSA1.
  

BCR198WE6327BTSA1 FAQ

:
1. What is the maximum collector current (Ic) rating for BCR198WE6327BTSA1?
The maximum collector current (Ic) rating for BCR198WE6327BTSA1 is 100 mA.

2. What is the typical collector-emitter saturation voltage (VCEsat) for BCR198WE6327BTSA1 at a specified current?
The typical collector-emitter saturation voltage (VCEsat) for BCR198WE6327BTSA1 at a specified current is 300 mV at 10 mA.

3. What is the maximum power dissipation (Ptot) for BCR198WE6327BTSA1?
The maximum power dissipation (Ptot) for BCR198WE6327BTSA1 is 200 mW.

4. Can BCR198WE6327BTSA1 be used in high-speed switching applications?
Yes, BCR198WE6327BTSA1 can be used in high-speed switching applications due to its fast switching speed.

5. What is the typical DC current gain (hFE) for BCR198WE6327BTSA1?
The typical DC current gain (hFE) for BCR198WE6327BTSA1 is 250 at 2 mA.

6. Is BCR198WE6327BTSA1 suitable for low noise amplifier (LNA) applications?
Yes, BCR198WE6327BTSA1 is suitable for low noise amplifier (LNA) applications due to its low noise characteristics.

7. What is the maximum operating temperature range for BCR198WE6327BTSA1?
The maximum operating temperature range for BCR198WE6327BTSA1 is -55°C to 150°C.

8. Does BCR198WE6327BTSA1 have built-in ESD protection?
Yes, BCR198WE6327BTSA1 has built-in ESD protection, making it suitable for robust applications.

9. What is the typical input capacitance (Cib) for BCR198WE6327BTSA1?
The typical input capacitance (Cib) for BCR198WE6327BTSA1 is 4.5 pF.

10. Can BCR198WE6327BTSA1 be used in automotive applications?
Yes, BCR198WE6327BTSA1 can be used in automotive applications as it meets the necessary automotive quality and reliability standards.
  

BCR198WE6327BTSA1 Связанные ключевые слова

:
BCR198WE6327BTSA1 Цена
BCR198WE6327BTSA1 Техническая спецификация
BCR198WE6327BTSA1 Картина
BCR198WE6327BTSA1 PDF
BCR198WE6327BTSA1 Технические характеристики
BCR198WE6327BTSA1 Напряжение на выводе
BCR198WE6327BTSA1 Поставщик

Акции: Быстрая проверка котировок

Минимальный заказ: 1

Заполните все обязательные поля и нажмите «Отправить», и мы свяжемся с вами по электронной почте в течение 12 часов. по электронной почте. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, оставьте сообщение или электронное письмо. Отправьте письмо на адрес chipsemiconductor@mail.ru и мы ответим как можно скорее.

  • Contact Us：chen_hx1688@hotmail.com

  • Немедленный срок доставки:в течение 24 часов-72 часов.

 Contains "BCR1" series products